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基于磁絮凝的反应池及其污 水处理系统

阅读：536发布：2020-05-08

专利汇可以提供基于磁絮凝的反应池及其污水处理系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了基于磁絮凝的反应池及其污水处理系统，属于污水处理领域，所述反应池包括池体和位于池体内的导流装置，其特征在于，所述导流装置包括位于池体底部的用于导流和防污泥堆积的第一导流板、位于池体底部四角的用于防止污泥在池体四角堆积的垫块，所述第一导流板固定于池体底部中心位置池体中间还设有搅拌机。所述反应池实现导流与防止污泥堆积，提高磁絮凝反应效果。，下面是基于磁絮凝的反应池及其污水处理系统专利的具体信息内容。

权利要求

1.基于磁絮凝的反应池，包括池体和位于池体内的导流装置，其特征在于，所述导流装置包括位于池体底部的用于导流和防污泥堆积的第一导流板、位于池体底部四角的用于防止污泥在池体四角堆积的垫块，所述第一导流板固定于池体底部中心位置；所述池体一侧设有进水管，相对的一侧设有出水管，池体中间还设有搅拌机。
2.根据权利要求1所述的基于磁絮凝的反应池，其特征在于，所述导流装置还包括位于池体四周的侧壁上的第二导流板，每个所述第二导流板上设有至少一个用于水流穿过的孔洞；水流由进水管进入后，在搅拌机、第一导流板、第二导流板的作用下形成上升旋转流。
3.根据权利要求1所述的基于磁絮凝的反应池，其特征在于，所述第一导流板包括呈十字状布置的竖板，相邻竖板与池体底部的夹角处填充为圆弧状的斜面。
4.根据权利要求1所述的基于磁絮凝的反应池，其特征在于，所述垫块填充在池体底部的四个角上，构成圆弧状的斜面。
5.基于磁絮凝反应池的污水处理系统，其特征在于，包括权利要求2-4任一项所述的反应池，还包括沉淀池、磁粉回收系统和污泥排放系统，所述反应池内部通过隔板分隔为前置混凝反应区和后置磁絮凝反应区，所述磁粉回收系统包括依次设置的磁粉回收分配装置、剪切机和磁分离器，沉淀池底部排出的污泥经过管路排至所述的磁粉回收分配装置，所述磁粉回收分配装置设有两根出泥管路，一根连接反应池的后置磁絮凝反应区、一根连接剪切机；所述磁分离器分离的磁粉再次投加入所述后置磁絮凝反应区。
6.根据权利要求5所述的基于磁絮凝反应池的污水处理系统，其特征在于，所述前置混凝反应区和后置磁絮凝反应区的底部中心分别设第一导流板，底部的夹角处分别设垫块，且隔板两侧也分别设置第二导流板。

说明书全文

基于磁絮凝的反应池及其污水处理系统

技术领域

[0001] 本实用新型属于污水处理技术领域，特别涉及基于磁絮凝的反应池及其污水处理系统。

背景技术

[0002] 现有磁絮凝沉淀技术的工艺通常是在反应池内添加磁粉，利用搅拌机的搅拌进行絮凝反应，存在的问题是由于磁粉的投加，使得含有磁粉的污泥容易在池底堆积，需要定期停水清理池底，影响正常生产。实用新型内容

[0003] 针对现有技术存在的不足，本实用新型提供基于磁絮凝的反应池及其污水处理系统，通过导流和防堆积的设计，解决现有磁絮凝反应池池底含磁粉污泥的堆积问题，同时提高磁絮凝反应效率。

[0004] 为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

[0005] 本实用新型提供一种基于磁絮凝的反应池，包括池体和位于池体内的导流装置，所述导流装置包括位于池体底部的用于导流和防污泥堆积的第一导流板、位于池体底部四角的用于防止污泥在池体四角堆积的垫块，所述第一导流板固定于池体底部中心位置；所述池体一侧设有进水管，相对的一侧设有出水管，池体中间还设有搅拌机。

[0006] 进一步的，所述导流装置还包括位于池体四周的侧壁上的第二导流板，每个所述第二导流板上设有至少一个用于水流穿过的孔洞；水流由进水管进入后，在搅拌机、第一导流板、第二导流板的作用下形成上升旋转流。

[0007] 进一步的，所述第一导流板包括呈十字状布置的竖板，相邻竖板与池体底部的夹角处填充为圆弧状的斜面。

[0008] 进一步的，所述垫块填充在池体底部的四个角上，构成圆弧状的斜面。

[0009] 本实用新型还提供一种基于磁絮凝反应池的污水处理系统，包括前述的反应池，还包括沉淀池、磁粉回收系统和污泥排放系统，所述反应池内部通过隔板分隔为前置混凝反应区和后置磁絮凝反应区，所述磁粉回收系统包括依次设置的磁粉回收分配装置、剪切机和磁分离器，沉淀池底部排出的污泥经过管路排至所述的磁粉回收分配装置，所述磁粉回收分配装置设有两根出泥管路，一根连接反应池的后置磁絮凝反应区、一根连接剪切机；所述磁分离器分离的磁粉再次投加入所述后置磁絮凝反应区。

[0010] 进一步的，所述前置混凝反应区和后置磁絮凝反应区的底部中心分别设第一导流板，底部的夹角处分别设垫块，且隔板两侧也分别设置第二导流板。

[0011] 与现有技术相比，本实用新型优点在于：

[0012] 在反应池底部的四角设置垫块，防止污泥堆积；在反应池底部中心设置第一导流板、并在反应池侧壁上设置第二导流板，用于导流作用，形成上升旋转流，使得污水与磁粉充分接触反应，提高磁粉的絮凝效果，解决现有磁絮凝反应池池底含磁粉污泥的堆积问题，同时提高磁絮凝反应效率。附图说明

[0013] 为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0014] 图1为本实用新型实施例1的反应池结构示意图；

[0015] 图2为本实用新型实施例1的反应池的俯视示意图；

[0016] 图3为A-A剖视图；

[0017] 图4为本实用新型实施例2的污水处理系统示意图；

[0018] 图中，1.池体；2.第一导流板；3.第二导流板；4.垫块；5.进水管；6.出水管；7.搅拌机；8.前置混凝反应区；9.后置磁絮凝反应区；10.沉淀池；11.磁粉回收分配装置；12.剪切机；13.磁分离器；14.隔板；15.污泥泵；16.流量计；20.竖板；30.孔洞；100.斜板；101.刮泥机。

具体实施方式

[0019] 下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

[0020] 实施例1

[0021] 如图1-3所示，其中图1和图2中部分结构(搅拌机等)未示出，本实施例提供一种基于磁絮凝的反应池，包括池体1和位于池体1内的导流装置，导流装置包括第一导流板2和垫块4。

[0022] 其中，具体结构设计是：第一导流板2固定于池体1底部中心位置，用于导流和防污泥堆积；第一导流板2包括呈十字状布置的竖板20，相邻竖板20与池体1底部的夹角处填充为圆弧状的斜面。

[0023] 垫块4位于池体1底部四角，用于防止污泥在池体1四角堆积。垫块4填充在池体1底部的四个角上，也构成圆弧状的斜面。

[0024] 池体1一侧设有进水管5，相对的一侧设有出水管6，池体1中间还设有搅拌机7。其中进出水方式可以是下进上出或上进下出的方式，更优的方式为前者(参见图1所示结构)：进水管5采用下进水方式、出水管6采用上出水方式，增加污水与磁粉的混合效果，水流由进水管5进入后，在搅拌机7、第一导流板2的作用下形成上升旋转流。

[0025] 为进一步提高反应池内导流效果，所述导流装置还包括位于池体1四周的侧壁上的第二导流板3。每个侧壁上至少设置一个第二导流板3，每个第二导流板3上设有至少一个用于水流穿过的孔洞30；水流由进水管5进入后，在搅拌机7、第一导流板2、第二导流板3的作用下形成上升旋转流，使得污水与磁粉充分接触反应，提高磁粉的絮凝效果。

[0026] 本实施例的第一导流板2和垫块4都可以是预制的成品件，直接固定在池底，也可以是直接与池体一体化浇筑，可根据实际需求来选择。

[0027] 实施例2

[0028] 如图4所示，本实施例提供一种基于磁絮凝反应池的污水处理系统，包括反应池、沉淀池10、磁粉回收系统和污泥排放系统。

[0029] 反应池内部通过隔板14分隔为前置混凝反应区8和后置磁絮凝反应区9，所述磁粉回收系统包括依次设置的磁粉回收分配装置11、剪切机12和磁分离器13，沉淀池10内设有斜板100，同时沉淀池10底部设有污泥刮泥机101，沉淀池10底部刮泥机刮集的污泥通过剩余污泥管路、污泥泵15、流量计16送至磁粉回收分配装置11。磁粉回收分配装置11设有两根出泥管路，一根通过污泥回流管连接反应池的后置磁絮凝反应区9、一根通过磁粉回收管连接剪切机12。磁粉回收分配装置11的作用是用于控制污泥回流量及用于磁粉回收的污泥量，可以在其出泥管路上设置电磁阀来控制计量，也可以采用其他现有结构，能实现功能即可，非本实用新型设计要点，此处不再赘述。

[0030] 为实现磁粉回收利用，磁分离器13分离回收的磁粉通过管路再次投加到后置磁絮凝反应区9，继续参与磁絮凝反应。前置混凝反应区8和后置磁絮凝反应区9内分别设有搅拌机，提高絮凝反应效果。

[0031] 其中，反应池的结构采用实施例1的设计，增设导流装置，可以在前置混凝反应区8和后置磁絮凝反应区9的底部中心分别设第一导流板，底部的夹角处分别设垫块，且隔板14两侧也分别设置第二导流板。关于导流装置的结构与实施例1相同，此处不再赘述。

[0032] 综上所述，本实用新型通过在反应池底部的四角设置垫块，防止污泥堆积；在反应池底部中心设置第一导流板、并在反应池侧壁上设置第二导流板，用于导流作用，形成上升旋转流，使得污水与磁粉充分接触反应，提高磁粉的絮凝效果，解决现有磁絮凝反应池池底含磁粉污泥的堆积问题，同时提高磁絮凝反应效率。

[0033] 当然，上述说明并非是对本实用新型的限制，本实用新型也并不限于上述举例，本技术领域的普通技术人员，在本实用新型的实质范围内，做出的变化、改型、添加或替换，都应属于本实用新型的保护范围。

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