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使用鰭式場效電晶體及具有靜態隨機存取記憶體(SRAM)之積體電路

阅读:1029发布:2021-01-07

专利汇可以提供使用鰭式場效電晶體及具有靜態隨機存取記憶體(SRAM)之積體電路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且An integrated circuit includes a logic circuit and a memory cell. The logic circuit includes a P-channel transistor, and the memory cell includes a P-channel transistor. The P-channel transistor of the logic circuit includes a channel region. The channel region has a portion located along a sidewall of a semiconductor structure having a surface orientation of (110). The portion of the channel region located along the sidewall has a first vertical dimension that is greater than a vertical dimension of any portion of the channel region of the P-channel transistor of the memory cell located along a sidewall of a semiconductor structure having a surface orientation of (110).,下面是使用鰭式場效電晶體及具有靜態隨機存取記憶體(SRAM)之積體電路专利的具体信息内容。

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