酸化物焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物透明導電膜及びその製造方法、並びに太陽電池
专利汇可以提供酸化物焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物透明導電膜及びその製造方法、並びに太陽電池专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且 本発明は、ビックスバイト型 酸化 物相及びペロブスカイト型酸化物相の結晶相、又はビックスバイト型酸化物相の結晶相から構成され、結晶相は、構成元素としてインジウム、錫、ストロンチウム及び酸素を有しており、インジウム、錫及びストロンチウムの含有量が、 原子 比で下記式（１）及び（２）を満たす酸化物焼結体２及びスパッタリングターゲットを提供する。また、スパッタリングターゲットを用いて形成される酸化物透明導電膜及び太陽電池を提供する。 Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１～０．１１ （１） Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５～０．００４ （２） ［上記式（１）及び（２）中、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｒは、それぞれインジウム、錫及びストロンチウムの含有量（原子％）を示す。］，下面是酸化物焼結体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物透明導電膜及びその製造方法、並びに太陽電池专利的具体信息内容。
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