技术领域
[0001] 本实用新型涉及
硅片测量仪器技术领域，尤其涉及一种硅片测厚仪。
背景技术
[0002] 硅片作为晶体硅
太阳能电池的
基础材料，其
质量对电池性能有很重要的影响，而硅片的厚度作为衡量硅片质量的一项指标列入硅片来料检验的范围，为了进一步降低晶体硅
太阳能电池的成本，硅片的厚度越来越薄，而当硅片厚度超过一定下限值时将会导致光电转化效率的下降；另外硅片厚度的均匀性也很重要，硅片厚度的均匀性不仅影响太阳能电池的制备工艺，而且厚薄不均的硅片会增加各工段的碎片率。为了保证电池片产出的效率，需要对来料硅片的厚度进行管控，确保其符合检验标准，从而保证电池片的质量。
[0003] 测量硅片厚度时，需要选取五个点，一般情况下，测试人员随机选取硅片的四个
角点及其中心点作为测量点，这样测量点的随机性就会导致测试人员不同测量的结果就可能不同，采集到的数据人为误差相对较大，影响实验分析。实用新型内容
[0004] 本实用新型的目的在于提供一种硅片测厚仪，该硅片测厚仪对硅片进行测量时，测量点不是随机选取的，避免了测试人员不同带来的人为误差。
[0005] 为解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅片测厚仪，包括底盘、测量平台、
支架和安装于所述支架上用于测量硅片厚度的测量表，所述支架固定在所述底盘上，所述测量表螺旋安装在所述支架上，所述测量平台活动放置在所述底盘上，所述测量平台的下表面与所述底盘的上表面相贴；
[0006] 所述底盘的上表面靠近四个角的
位置上设有角点
定位槽，所述角点定位槽以所述底盘上表面的中心点呈中心对称分布，所述底盘上表面上还设有一个中心点定位槽，所述中心点定位槽的角点位于其中一个所述角点定位槽的角点和所述底盘中心点的连线上；
[0007] 所述角点定位槽和所述中心点定位槽呈直角结构，所述角点定位槽和所述中心点定位槽呈直角结构的每条直角边均与所述底盘上与其邻近的侧边平行，所述角点定位槽和所述中心点定位槽的角点朝向远离所述底盘中心点的方向；
[0008] 所述测量平台上表面上设有一个硅片定位槽，所述硅片定位槽位于所述测量平台的上表面的其中一角；
[0009] 所述硅片定位槽呈直角结构，其每条直角边均与所述测量平台上与其邻近的侧边平行，且所述硅片定位槽的角点朝向远离测量平台中心点的方向；
[0010] 所述角点定位槽和中心点定位槽均配有与之形状尺寸相适配的测量平台定位板，所述硅片定位槽配有与之形状尺寸相适配的硅片定位板，所述测量平台定位板插入相应的角点定位槽或中心点定位槽之后，所述测量平台定位板的顶部突出于所述底盘的上表面，所述硅片定位板插入相应的硅片定位槽之后，所述硅片定位板的顶部突出于所述测量平台的上表面。
[0011] 作为一种改进的方案，所述角点定位槽为单晶角点定位槽，所述硅片定位槽为
单晶硅片定位槽。
[0012] 作为一种改进的方案，所述角点定位槽为多晶角点定位槽，所述硅片定位槽为
多晶硅片定位槽。
[0013] 作为一种改进的方案，所述角点定位槽包括单晶角点定位槽和多晶角点定位槽，所述单晶角点定位槽，位于所述多晶角点定位槽围成的区域的内部，所述硅片定位槽包括单晶硅片定位槽和多晶硅片定位槽，所述多晶硅片定位槽位于单晶硅片定位槽的外侧。
[0014] 作为一种改进的方案，所述测量平台下表面和侧面有镂空，测量平台上表面上设有贯穿测量平台的通气孔。
[0015] 作为一种改进的方案，所述通气孔为多个。
[0016] 由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：硅片测厚仪在测量硅片厚度时，调整支架上的螺旋将测量平台和测量表之间的距离确定后，打开测量表进行置零校准，然后将硅片放置在测量平台上，通过硅片定位槽和硅片定位板的配合使用，使硅片在测量平台上的中心点位置固定；通过中心点定位槽和测量平台定位板的配合使用，使测量平台在底盘上的中心点位置可以固定；通过角点定位槽和测量平台定位板的配合使用，使测量平台在底盘上的四角位置可以固定；因此，测量时硅片的中心点和角点不再是随机选取，而是被不同位置的定位板进行了限定，测试人员在测试硅片厚度时可以相对固定的测量硅片四个角点和中心点，避免了测试人员不同带来的人为误差。
附图说明
[0017] 下面结合附图和
实施例对本实用新型进一步说明：
[0018] 图1是本实用新型提供的硅片测厚仪的结构示意图；
[0019] 图2是本实用新型实施例一测量单晶硅片中心点时测量平台和底盘俯视图；
[0020] 图3是本实用新型实施例二硅片测厚仪的结构示意图；
[0021] 图4是本实用新型实施例二测量多晶硅片角点时测量平台和底盘俯视图；
[0022] 图5是本实用新型实施例三硅片测厚仪的结构示意图；
[0023] 图6是本实用新型实施例三测量多晶硅片中心点时测量平台和底盘俯视图；
[0024] 其中：1-底盘，2-测量平台，3-测量表，4-支架，5-硅片定位板，51-测量平台定位板，6-单晶硅片定位槽，61-多晶硅片定位槽，7-中心点定位槽，81单晶角点定位槽，811-多晶角点定位槽，90-硅片中心点，91、92、93、94-单晶硅片角点，911、921、931、941-多晶硅片角点，10-单晶硅片，11-多晶硅片，12-通气孔。
具体实施方式
[0025] 为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0026] 实施例一
[0027] 如图1所示，本实用新型的硅片测厚仪，包括底盘1、测量平台2、支架4和安装于支架4上用于测量硅片厚度的测量表3，支架4固定在底盘1上，测量平台2活动放置在底盘1上，测量平台2的下表面与底盘1的上表面相贴；
[0028] 底盘1的上表面靠近四个角的位置上设有角点定位槽，角点定位槽以底盘1上表面的中心点呈中心对称分布，底盘1上表面上还设有一个中心点定位槽7，中心点定位槽7的角点位于其中一个角点定位槽的角点和底盘1中心点的连线上；
[0029] 角点定位槽和中心点定位槽7呈直角结构，角点定位槽和中心点定位槽7呈直角结构的每条直角边均与底盘1上与其邻近的侧边平行，角点定位槽和中心点定位槽7的角点朝向远离底盘1中心点的方向；
[0030] 测量平台2上表面上设有一个硅片定位槽，硅片定位槽位于测量平台2的上表面的其中一角；
[0031] 硅片定位槽呈直角结构，其每条直角边均与测量平台2上与其邻近的侧边平行，且硅片定位槽的角点朝向远离测量平台2中心点的方向；
[0032] 角点定位槽和中心点定位槽7均配有与之形状尺寸相适配的测量平台定位板51，硅片定位槽配有与之形状尺寸相适配的硅片定位板5，测量平台定位板51插入相应的角点定位槽或中心点定位槽7之后，测量平台定位板51的顶部突出于底盘1的上表面，硅片定位板5插入相应的硅片定位槽之后，硅片定位板5的顶部突出于测量平台2的上表面。
[0033] 在上述实施例基础上，测量平台2底面中心部位镂空，测量平台2上表面上设有贯穿测量平台2的通气孔12。当将硅片放置在测量平台2上时，硅片与测量平台2之间的空气可以通过通气孔12排出，使硅片和测量平台2紧密
接触，减小测量误差。
[0034] 其中，上述通气孔12可以设置多个，例如9个。使空气排出更加顺畅和彻底，使硅片和测量平台2更加紧密的接触，进一步的减小测量误差。
[0035] 其中，该硅片测厚仪可以用于对单晶硅片10的测量，也可以用于对多晶硅片11的测量，当然，优选的该测厚仪既可以对单晶硅片10进行厚度测量，也可以对多晶硅片11进行测量，即在该硅片测厚仪上设置相应的两套测量结构并进行相应的组合即可实现，下述给出相应的具体的实施例进行说明，在此不再赘述。
[0036] 结合图1和图2所示，当该硅片为单晶硅片10时，具体操作步骤如下：
[0037] 由于本实用新型具有以上结构，当测试人员测试单晶硅片10厚度时，调整支架4上的螺旋将测量平台2和测量表3之间的距离确定后，打开测量表3进行置零校准，然后将单晶硅片10放置在测量平台2上，将硅片定位板5插入到单晶硅片定位槽6中，硅片定位板5的顶部突出于测量平台2的上表面，移动单晶硅片10，使单晶硅片10相邻的两直角边分别紧靠硅片定位板5的两个直角边，此时，单晶硅片10正好处于测量平台2的中心位置；将测量平台定位板51插入到底盘1上的中心点定位槽7中，测量平台定位板51的顶部突出于底盘1的上表面，启动硅片测厚仪，测量表3探针下降到单晶硅片10进行测量，探针正好接触到单晶硅片10的中心点90，记录单晶硅片10中心点90厚度数据，中心点90测量完毕之后，取出测量平台定位板51，将其插入到单晶角点定位槽81中，移动测量平台2，使测量平台2的两直角边与测量平台定位板51的两直角边紧密贴合，启动硅片测厚仪，测量表
3探针下降到单晶硅片10进行测量，探针正好接触到单晶硅片10的单晶硅片角点91，测量单晶硅片角点91处的厚度，记录单晶硅片角点91的厚度数据；单晶硅片角点92、93和94处的测量方式与单晶硅片角点91的测量方式一致。
[0038] 由于采用了实施例一的技术方案，单晶硅片10的中心点90和单晶硅片角点91、92、93和94不再是测试人员随机选取，而是被硅片定位板5和测量平台定位板51进行了限定，测试人员在测试单晶硅片10厚度时可以相对固定的测量单晶硅片10的四个角点和中心点，测量点不是随机选取的，避免了测试人员不同带来的人为误差。
[0039] 实施例二
[0040] 如图3和图4所示，测量多晶硅片11的厚度，角点定位槽和硅片定位槽的位置与实施例一中所记载的不同，多晶硅片角点定位槽811位于单晶硅片角点定位槽81外侧，且多晶硅片定位槽61位于单晶硅片定位槽6外侧，下面以测量多晶硅片角点911处的厚度为例进行说明；
[0041] 当测试人员测量多晶硅片角点911处的厚度时，将多晶硅片11放置在测量平台2上，通过硅片定位板5使多晶硅片11正好处于测量平台2的中心位置，将测量平台定位板51插入到多晶角点定位槽811中，移动测量平台2，使测量平台2的两直角边与测量平台定位板51的两直角边紧密贴合，启动硅片测厚仪，测量表3探针下降到多晶硅片11进行测量，探针正好接触到多晶硅片11的多晶硅片角点911，测量多晶硅片角点911处的厚度，记录多晶硅片角点911的厚度数据；多晶硅片角点921、931和941处的测量方式与多晶硅片角点911的测量方式一致。
[0042] 由于采用了实施例二的技术方案，多晶硅片11的中心点90和多晶硅片角点911、921、931和941不再是测试人员随机选取，而是被硅片定位板5和测量平台定位板51进行了限定，测试人员在测试多晶硅片11厚度时可以相对固定的测量多晶硅片11四个角点和中心点，测量点不是随机选取的，避免了测试人员不同带来的人为误差。
[0043] 实施例三
[0044] 在实施例一的基础上，如图5和图6所示，实施例三结合了实施例一和实施例二的方案，实施例三的硅片测厚仪既可以测量单晶硅片10也可以测量多晶硅片11。实施例三同时具有单晶硅片定位槽6和多晶硅片定位槽61，单晶角点定位槽81和多晶角点定位槽811，因此可以分别测量单晶硅片10和多晶硅片11。图6是本实用新型实施例三测量多晶硅片11中心点时的测量平台2和底盘1俯视图，测量方法同实施例二的测量方法，不再详细说明。
[0045] 实施例三的有益效果是：
[0046] 由于采用了实施例三的技术方案，该硅片测厚仪既可以测量单晶硅片10也可以测量多晶硅片11，且硅片的中心点和硅片角点不再是测试人员随机选取，而是被硅片定位板5和测量平台定位板51进行了限定，测试人员在测试硅片厚度时可以相对固定的测量硅片四个角点和中心点，测量点不是随机选取的，且硅片与测量平台2之间紧密接触，减小测量误差，避免了测试人员不同带来的人为误差，同时实现了一机两用，节省了成本。
[0047] 以上所述实用新型的三个较佳实施例，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作出的任何
修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型保护范围之内。
