专利汇可以提供基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置及其加工方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种基于 石墨 烯 谐振器 的平面差分式 加速 度计 装置及其加工方法的设计方案,提出了一种三层结构设计方案:上下两层为设有 信号 引线的玻璃衬底,中层为差分式 石墨烯 加速度计结构。中层差分式石墨烯加速度计结构由两个结构相同但反相布置的石墨烯谐振器、两个中部 支撑 块 和一个外部支撑块组成。石墨烯谐振器的支撑块通过连接短梁跟中部支撑块相连,中部支撑块再通过另一连接短梁跟外部支撑块相连,最后外部支撑块通过四个 顶点 处的 锚点 固定在上下两层玻璃衬底上。本发明通过检测差分式石墨烯谐振器谐振 频率 的变化,实现对加速度的敏感。本发明具有体积小、重量轻、结构紧凑、灵敏度高、抗干扰能 力 强等优点。,下面是基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置及其加工方法专利的具体信息内容。
1.一种基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置,其特征在于:由三层结构组成,上、下两层结构均为设有信号引线的玻璃衬底(1-1、1-2),中层为差分式石墨烯加速度计结构;
所述中层差分式石墨烯加速度计结构由第一石墨烯谐振器(2-1)和第二石墨烯谐振器(2-2),第一中部支撑块(6-1)、第二中部支撑块(6-2)和一个外部支撑块(7)组成;其中第一石墨烯谐振器(2-1)和第二石墨烯谐振器(2-2)结构相同但中心对称排布方式相反;
其中第一石墨烯谐振器(2-1)位于差分式石墨烯加速度计结构中轴线的左侧,第二石墨烯谐振器(2-2)位于差分式石墨烯加速度计结构中轴线的右侧;
第一石墨烯谐振器(2-1)正面朝上层玻璃衬底,第二石墨烯谐振器(2-2)的正面朝下层玻璃衬底,当垂直方向有输入加速度时,第一石墨烯谐振器(2-1)和第二石墨烯谐振器(2-
1)的运动方向刚好相反,形成差分结构;
其中第一石墨烯谐振器(2-1)通过位于上方的第一连接短梁(5-1)与第一中部支撑块(6-1)相连,第一中部支撑块(6-1)通过位于下方的第二连接短梁(5-2)与外部支撑块(7)相连;
其中所述第二石墨烯谐振器(2-2)通过位于下方方的第三连接短梁(5-3)与第二中部支撑块(6-2)相连,第二中部支撑块(6-2)通过位于上方的第四连接短梁(5-4)与外部支撑块(7)相连;
其中所述外部支撑块(7)通过其右下、左下、左上、右上四个顶点上的锚点(8-1、8-2、8-
3、8-4)固定在上、下两层玻璃基底上。
2. 如权利要求1所述的一种基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置,其特征在于:其中第一石墨烯谐振器(2-1)的上半部分为第一支撑块(10-1)且下半部分为第一质量块(9-1);其中所述第一质量块(9-1)和第一支撑块(10-1)的形状均呈U型且相互对称分布,所述第一质量块(9-1)和第一支撑块(10-1)的下端分别通过第一扭梁(11-1)和第二扭梁(11-2)连接固定;其中所述第一扭梁(11-1)和第二扭梁(11-2)均呈H型;其中所述第一质量块(9-1)和第一支撑块(10-1)的上端U型凹槽之间通过第一石墨烯带(4-1)连接;所述第二石墨烯谐振器(2-2)的上半部分为第二质量块(9-2),下半部分为第二支撑块(10-2),其中第二质量块(9-2)和第二支撑块(10-2)的形状均为U型且相互对称分布,质量块(9-2)和支撑块(10-2)的上端分别通过第三扭梁(11-3)和第四扭梁(11-4)连接固定; 所述第三扭梁(11-3)和第四扭梁(11-4)均呈H型;第二支撑块(10-2)和第二质量块(9-2)的U型凹槽之间通过第二石墨烯带(4-2)连接;所述第一石墨烯谐振器(2-1)上方的第一石墨烯带(4-1)两端布置有第一输入电极(3-2)和第一输出电极(3-3);第二石墨烯谐振器(-2)下方的第二石墨烯带(4-2)两端布置有第二输入电机(3-5)第二输出电极(3-6);所述第一石墨烯谐振器(2-1)正对的上层玻璃衬底(1-1)上布置有第一栅极电极(3-1),第二石墨烯谐振器(2-2)正对的下层玻璃衬底(1-2)上布置有第二栅极电极(3-2)。
3.如权利要求1所述的一种基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置,其特征在于:其中上、下两层玻璃衬底(1-1、1-2)均采用硼基玻璃制作。
4.如权利要求1所述的一种基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置,其特征在于:所述外部支撑块(7)位于中层为差分式石墨烯加速度计结构的最外侧并向内包围第一、二中部支撑块(6-1、6-2)和第一、二石墨烯谐振器(2-1、2-2);其中内部的第一中部支撑块(6-1)和第二中部支撑块(6-2)分别位于所述中层为差分式石墨烯加速度计结构中轴线的左右两侧。
5.一种基于石墨烯谐振器的平面差分式加速度计装置的加工方法,其特征在于:依次包括以下步骤:
(1)用25um厚的铜箔作为基底材料,在1000oC条件下方法将甲烷和氢气进行混合,通过化学蒸汽沉积方法CVD在铜箔基底上生长石墨烯薄膜;
(2)将30-50nm厚的甲基丙烯酸甲酯(PMMA)涂覆在石墨烯表面;
(3)对厚度为100um的硅片进行双面抛光,利用干法刻蚀技术刻蚀台阶,并在其中两个台阶表面局部喷涂SU-8光刻胶并刻蚀;
(4)对硅结构进行一次深刻蚀,得到两个40um深的沟槽;
(5)将石墨烯薄膜固定在已刻蚀的硅结构上并修正结构;
(6)用氯化铁蚀刻溶液(CE-200,氯氮卓二钾)去除铜箔基底,然后利用DIH2O对石墨烯进行冲洗;
(7)通过加热分解去除石墨烯上的PMMA,完成将石墨烯薄膜转移到硅结构;
(8)在石墨烯上溅射金属Au形成电极;
(9)对两片玻璃基底进行抛光,清洗,并溅射金属Au形成电极;
(10)将两片玻璃基底和硅结构进行键合形成整个完整结构;
(11)通过SU-8光刻胶,利用热拉升的方式在石墨烯薄膜施加一定的预载应力。
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