专利汇可以提供一种镍热敏薄膜电阻加工方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种镍热敏 薄膜 电阻 加工方法,属于微 机电系统 技术领域。该方法以普通 硅 片 作为基片,在 硅片 的 抛光 面生长底层SiO2膜或Si3N4膜,而后依次溅射镍膜、 铜 膜和金属膜, 腐蚀 后形成金属 锚点 、铜连接层、镍丝 热敏电阻 ; 热处理 和划片后得到以SiO2膜或Si3N4膜为隔 热层 的镍热敏电阻。本发明有益效果为:1.相比于聚酰亚胺做热敏电阻 隔热 层,SiO2膜或Si3N4膜做隔热层在热处理时可以加温至1000度以上,更加有效的改善镍的结晶结构;2.基于标准MEMS工艺加工镍热敏电阻,易于实现大批量生产;3.在镍膜与金属膜中间溅射一层铜膜, 刻蚀 顺序为金属膜、铜膜、镍膜,可以防止刻蚀金属膜时对镍膜进行刻蚀;4.铜膜上溅射金属膜,增加电连接。,下面是一种镍热敏薄膜电阻加工方法专利的具体信息内容。
1.一种镍热敏薄膜电阻加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:清洗普通硅片,去除表面原生氧化层、有机物污染,然后干燥;
步骤2:以普通硅片作为基片,在硅片的抛光面生长底层SiO2膜或Si3N4膜;
步骤3:在SiO2膜或Si3N4膜表面上溅射镍膜;
步骤4:在镍膜表面上溅射铜膜;
步骤5:在铜膜表面上溅射金属膜,所述金属膜电阻率ρ1与镍膜电阻率ρ2满足:
步骤6:旋涂光刻胶,对金属膜进行光刻、显影,湿法腐蚀金属膜,形成金属锚点;
步骤7:继续腐蚀铜膜,形成铜连接层,去除光刻胶;
步骤8:旋涂光刻胶,对镍膜进行光刻、显影,对镍膜进行腐蚀,去除光刻胶,形成镍丝热敏电阻;划片,得到以SiO2膜或Si3N4膜为隔热层的镍热敏电阻。
2.一种如权利要求1所述的镍热敏薄膜电阻加工方法,其特征在于,所述步骤8划片前对镍丝热敏电阻进行热处理。
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