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扇出型天线封装结构及封装方法

阅读：518发布：2020-05-08

专利汇可以提供扇出型天线封装结构及封装方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，所述扇出型天线封装方法中，将半导体芯片的正面接合于分离层的上表面；采用封装层包覆半导体芯片的侧面及底面；基于分离层，分离封装层，以显露半导体芯片的正面；重新布线层与半导体芯片电连接；于重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，天线结构与重新布线层电连接；贯穿封装层形成通孔，通孔显漏重新布线层中的金属布线层；通过通孔，形成与金属布线层电连接的金属凸块。可降低生产成本，形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。，下面是扇出型天线封装结构及封装方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种扇出型天线封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；
提供半导体芯片，将所述半导体芯片的正面接合于所述分离层的上表面；
采用封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；
基于所述分离层，分离所述封装层，以显露所述半导体芯片的正面；
于所述封装层的第一面上形成重新布线层，且所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；
于所述重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层电连接；
贯穿所述封装层形成通孔，所述通孔显漏所述重新布线层中的金属布线层；
通过所述通孔，形成与所述金属布线层电连接的金属凸块。
2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述重新布线层的上表面包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。
3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述分离层包括在加热或光照下粘度降低的胶带。
4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：形成的扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。
5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光钻孔法及干法刻蚀中的一种或组合。
6.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。
7.根据权利要求6所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线封装层覆盖所述天线金属连接柱且显漏所述天线金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述天线封装层的上表面且与所述天线金属连接柱电连接。
8.根据权利要求6所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述封装层及所述天线封装层包括环氧塑封层。
9.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。
10.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述金属凸块凸出于所述通孔。
11.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；
堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接；
半导体芯片，位于所述重新布线层的第一面上，所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接；
封装层，所述封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层中包括显漏所述金属布线层的通孔；
金属凸块，所述金属凸块通过所述通孔与所述金属布线层电连接。
12.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。
13.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。
14.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。
15.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。
16.根据权利要求15所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线封装层覆盖所述天线金属连接柱且显漏所述天线金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述天线封装层的上表面与所述金属连接柱电连接。
17.根据权利要求15所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述封装层及所述天线封装层包括环氧塑封层。
18.根据权利要求15所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述金属凸块凸出于所述通孔。

说明书全文

扇出型天线封装结构及封装方法

技术领域

[0001] 本发明属于半导体封装技术领域，涉及一种扇出型天线封装结构及封装方法。

背景技术

[0002] 更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，常用的封装方法包括：晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Package，FOWLP)，倒装芯片(Flip Chip)，叠层封装(Package on Package，POP)等等。其中，FOWLP由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好，已成为目前较为常用的封装方法之一。

[0003] 随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加，特别是为了配合移动的需求，大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。

[0004] 一般来说，现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面，这种做法会让天线占据额外的电路板面积，整合性较差、成本较高。对于各种高科技电子产品而言，若将天线直接制作于电路板的表面，将需要具有较大体积的电路板，从而使得高科技电子产品也占据较大的体积，这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背，因此，如何减小天线封装结构的体积、提高天线封装结构的整合性能及降低生产成本，将是这些电子装置所需克服的问题。

[0005] 鉴于此，有必要设计一种新型的扇出型天线封装结构及封装方法，用于解决天线封装结构的上述问题。

发明内容

[0006] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，用于解决现有技术中天线封装结构体积大、整合性能低及生产成本高的封装问题。

[0007] 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种扇出型天线封装方法，包括以下步骤：

[0008] 提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

[0009] 提供半导体芯片，将所述半导体芯片的正面接合于所述分离层的上表面；

[0010] 采用封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

[0011] 基于所述分离层，分离所述封装层，以显露所述半导体芯片的正面；

[0012] 于所述封装层的第一面上形成重新布线层，且所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；

[0013] 于所述重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层电连接；

[0014] 贯穿所述封装层形成通孔，所述通孔显漏所述重新布线层中的金属布线层；

[0015] 通过所述通孔，形成与所述金属布线层电连接的金属凸块。

[0016] 可选地，所述重新布线层的上表面包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

[0017] 可选地，所述分离层包括在加热或光照下粘度降低的胶带。

[0018] 可选地，形成的扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

[0019] 可选地，形成所述通孔的方法包括激光钻孔法及干法刻蚀中的一种或组合。

[0020] 可选地，所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。

[0021] 可选地，所述天线封装层覆盖所述天线金属连接柱且显漏所述天线金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述天线封装层的上表面且与所述天线金属连接柱电连接。

[0022] 可选地，所述封装层及所述天线封装层包括环氧塑封层。

[0023] 可选地，所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。

[0024] 可选地，所述金属凸块凸出于所述通孔。

[0025] 本发明还提供一种扇出型天线封装结构，所述封装结构包括：

[0026] 重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；

[0027] 堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接；

[0028] 半导体芯片，位于所述重新布线层的第一面上，所述半导体芯片的正面与所述重新布线层电连接；

[0029] 封装层，所述封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层中包括显漏所述金属布线层的通孔；

[0030] 金属凸块，所述金属凸块通过所述通孔与所述金属布线层电连接。

[0031] 可选地，所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

[0032] 可选地，所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

[0033] 可选地，所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。

[0034] 可选地，所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。

[0035] 可选地，所述天线封装层覆盖所述天线金属连接柱且显漏所述天线金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述天线封装层的上表面与所述天线金属连接柱电连接。

[0036] 可选地，所述封装层及所述天线封装层包括环氧塑封层。

[0037] 可选地，所述金属凸块凸出于所述通孔。

[0038] 如上所述，本发明的扇出型天线封装方法，可降低生产成本，形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。附图说明

[0039] 图1显示为本发明中的扇出型天线封装方法的流程示意图。

[0040] 图2～图16显示为本发明中的扇出型天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图16显示为本发明中的扇出型天线封装结构的结构示意图。

[0041] 元件标号说明

[0042] 101 支撑基底

[0043] 102 分离层

[0044] 103 半导体芯片

[0045] 104 封装层

[0046] 105 重新布线层

[0047] 115 介质层

[0048] 125 金属布线层

[0049] 106 第一天线结构

[0050] 116 第一天线金属连接块

[0051] 126 第一天线金属连接柱

[0052] 136 第一天线封装层

[0053] 146 第一天线金属层

[0054] 107 第二天线结构

[0055] 117 第二天线金属连接块

[0056] 127 第二天线金属连接柱

[0057] 137 第二天线封装层

[0058] 147 第二天线金属层

[0059] 108 通孔

[0060] 109 金属凸块

具体实施方式

[0061] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

[0062] 请参阅图1～图16。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

[0063] 实施例一

[0064] 如图1，本实施例提供一种扇出型天线封装方法，包括以下步骤：

[0065] 提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

[0066] 提供半导体芯片，将所述半导体芯片的正面接合于所述分离层的上表面；

[0067] 采用封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面，所述封装层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

[0068] 基于所述分离层，分离所述封装层，以显露所述半导体芯片的正面；

[0069] 于所述封装层的第一面上形成重新布线层，且所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；

[0070] 于所述重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层电连接；

[0071] 贯穿所述封装层形成通孔，所述通孔显漏所述重新布线层中的金属布线层；

[0072] 通过所述通孔，形成与所述金属布线层电连接的金属凸块。

[0073] 本实施例的扇出型天线封装方法，可降低生产成本，形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。

[0074] 如图2～图16，示意了本实施例中扇出型天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图。

[0075] 如图2，首先提供支撑基底101，于所述支撑基底101上形成分离层102。

[0076] 作为该实施例的进一步实施例，所述分离层102包括在加热或光照下粘度降低的胶带，以便于后续工艺的操作，降低生产成本。

[0077] 具体的，所述分离层102可以包括发泡剂，所述发泡剂可以包括碳酸钠、碳酸氢钠、偶氮化合物、磺酰肼类化合物、或亚硝基化合物，但不限于这些列举的例子。在加热的条件下，所述分离层102可以生成气泡，以便膨胀所述分离层102，降低所述分离层102的粘接强度，从而便于后续工艺的操作。所述分离层102经加热后，体积可膨胀的范围包括1％～15％，如10％。所述分离层102还可以包括在光照下粘度降低的胶带，如在紫外线照射下，粘度降低的UV膜，所述UV膜，在UV光照射下，可以被固化为固态，从而在尺寸上可收缩所述分离层102，降低所述分离层102的粘接强度，所述UV膜，体积可收缩的范围包括5％～10％，如
8％。所述支撑基底101可包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，此处不作限制。

[0078] 如图3，提供半导体芯片103，将所述半导体芯片103的正面接合于所述分离层102的上表面。

[0079] 具体的，所述分离层102优选为双面具有粘度的胶带，且所述分离层102与所述支撑基底101之间的粘接强度大于与所述半导体芯片103之间的粘接强度，从而所述半导体芯片103可直接粘合于所述分离层102的上表面上，且有利于后续分离工艺的进行，降低工艺复杂度，节约成本。

[0080] 如图4，采用封装层104包覆所述半导体芯片103的侧面及底面，所述封装层104包括与所述分离层102相接触的第一面及相对的第二面。

[0081] 具体的，所述封装层104的材料可包括环氧树脂、聚酰亚胺及硅胶中的一种。本实施例优选为较为常用的环氧塑封层作为所述封装层104。所述封装层104的厚度可根据具体需要进行选择，如100μm～1000μm，此处不作限制。

[0082] 如图5，基于所述分离层102，分离所述封装层104，以显露所述半导体芯片103的正面。而后如图6所示，于所述封装层104的第一面上形成重新布线层105，且所述重新布线层105与所述半导体芯片103的正面电连接。

[0083] 具体的，所述重新布线层105包括介质层115及金属布线层125。制作所述重新布线层105包括以下步骤：采用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺于所述封装层104的第一面上形成所述介质层115，并对所述介质层115进行刻蚀形成图形化的所述介质层115；而后采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于图形化的所述介质层115的表面形成所述金属布线层125，并对所述金属布线层125进行刻蚀形成图形化的所述金属布线层125。其中，所述介质层115的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，优选为较为常用的环氧树脂材料，以便于与所述封装层104之间具有良好的结合性能，降低产品的翘曲度。所述金属布线层125的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。所述重新布线层105中的所述金属布线层125的层数及分布形貌，可根据具体需要进行选择，此处不作限制。

[0084] 如图7～图14，于所述重新布线层105的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层105中的所述金属布线层125电连接。

[0085] 作为该实施例的进一步实施例，所述重新布线层105的上表面包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3，以进一步提高所述扇出型天线封装结构的集成度及整合性能。

[0086] 具体的，本实施例中，所述N为2，即包括堆叠设置的2层所述天线结构，包括第一天线结构106及第二天线结构107，在另一实施例中，也可包括N≥3层堆叠设置的所述天线结构，如4层、5层等，此处不作限制。

[0087] 作为该实施例的进一步实施例，所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。

[0088] 具体的，如图7～图10，示意了形成所述第一天线结构106的各步骤的结构示意图。所述第一天线结构106包括第一天线金属连接柱126、第一天线封装层136及第一天线金属层146，其中所述第一天线金属连接柱126与所述重新布线层105中的所述金属布线层125电连接；所述第一天线封装层136覆盖所述第一天线金属连接柱126且显漏所述第一天线金属连接柱126的上表面；所述第一天线金属层146位于所述第一天线封装层136的上表面且与所述第一天线金属连接柱126电连接；从而形成所述第一天线结构106。

[0089] 作为该实施例的进一步实施例，形成所述第一天线金属连接柱126的方法包括焊线工艺，如热压焊线工艺、超声波焊线工艺及热压超声波焊线工艺中的一种。所述第一天线金属连接柱126的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种或组合。

[0090] 作为该实施例的进一步实施例，所述第一天线封装层136包括环氧塑封层，以便于与所述重新布线层105之间形成良好的结合性能，进一步降低产品的翘曲度。形成所述第一天线封装层136的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述第一天线封装层136的材料还可以包括聚酰亚胺及硅胶中的一种，可根据具体需要进行选择。在形成所述第一天线封装层136后，可采用研磨或抛光的方法作用于所述第一天线封装层136的上表面，以提供平整的所述第一天线封装层136，提高产品质量。

[0091] 作为该实施例的进一步实施例，形成所述第一天线金属层146的方法包括物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺中的一种。于所述第一天线封装层136的上表面形成所述第一天线金属层146之后，可采用刻蚀工艺形成所需图形化的所述第一天线金属层146。

[0092] 如图11～图14，示意了所述第二天线结构107的各步骤的结构示意图。所述第二天线结构107包括第二天线金属连接柱127、第二天线封装层137及第二天线金属层147，其中所述第二天线金属连接柱127与所述第一天线结构106中的所述第一天线金属层146电连接；所述第二天线封装层137覆盖所述第二天线金属连接柱127且显漏所述第二天线金属连接柱127的上表面；所述第二天线金属层147位于所述第二天线封装层137的上表面且与所述第二天线金属连接柱127电连接；从而形成所述第二天线结构107。其中，形成所述第二天线金属连接柱127及第二天线金属层147的具体方法及材料同所述第一天线结构106，此处不再赘述。

[0093] 作为该实施例的进一步实施例，所述第二天线封装层137包括环氧塑封层，以便于与所述第一天线封装层136之间形成良好的结合性能，进一步降低产品的翘曲度。形成所述第二天线封装层137的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的一种，所述第二天线封装层137的材料还可以包括聚酰亚胺及硅胶中的一种，可根据具体需要进行选择。在形成所述第二天线封装层137后，可采用研磨或抛光的方法作用于所述第二天线封装层137的上表面，以提供平整的所述第二天线封装层137，提高产品质量。

[0094] 作为该实施例的进一步实施例，所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm，如100μm、500μm等，可根据具体需要进行选择，此处不作限制。

[0095] 作为该实施例的进一步实施例，形成的所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

[0096] 具体的，由于所述封装层104、介质层115、第一天线封装层136及第二天线封装层137均采用具有相同材料的环氧树脂材料，因此可降低形成的所述扇出型天线封装结构的翘曲度，所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm，如0.5mm、1.0mm及
2.0mm等。

[0097] 作为该实施例的进一步实施例，所述天线金属连接柱还可包括横截面积大于所述天线金属连接柱的天线金属连接块，如位于所述第一天线金属连接柱126与所述金属布线层125之间的所述第一天线金属连接块116及位于所述第二天线金属连接柱127与所述第一天线金属层146之间的第二天线金属连接块117，从而增大接触面积，提高电性稳定性。

[0098] 接着如图15，贯穿所述封装层104形成通孔108，所述通孔108显漏所述重新布线层105中的所述金属布线层125，所述通孔108的具体形貌及尺寸此处不作限制。

[0099] 作为该实施例的进一步实施例，形成所述通孔108的方法可包括激光钻孔法及干法刻蚀中的一种或组合。本实施例中，优选为操作方便且价格便宜的激光钻孔法，以便于进一步降低生产成本。

[0100] 最后如图16，通过所述通孔108，形成与所述金属布线层125电连接的金属凸块109。所述金属凸块109包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种，此处不作过分限制。所述金属凸块109优选为凸出于所述通孔108，以便于后续电路的连接，降低工艺复杂度。

[0101] 实施例二

[0102] 为进一步使本领域技术人员了解本发明的优点与功效，如图16，示意了本发明中的扇出型天线封装结构的结构示意图，所述封装结构包括：

[0103] 重新布线层105，所述重新布线层105包括相对的第一面及第二面；

[0104] 堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层105的第二面上，与所述重新布线层105中的金属布线层125电连接；

[0105] 半导体芯片103，位于所述重新布线层105的第一面上，所述半导体芯片103的正面与所述重新布线层105电连接；

[0106] 封装层104，所述封装层104包覆所述半导体芯片103的侧面及底面，所述封装层104中包括显漏所述金属布线层125的通孔108；

[0107] 金属凸块109，所述金属凸块109通过所述通孔108与所述金属布线层125电连接。

[0108] 本实施例可形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。

[0109] 具体的，所述封装层104的材料可包括环氧树脂、聚酰亚胺及硅胶中的一种。本实施例优选为较为常用的环氧塑封层作为所述封装层104。所述封装层104的厚度可根据具体需要进行选择，如100μm～1000μm，此处不作限制。所述重新布线层105包括介质层115及金属布线层125。所述介质层115的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，优选为较为常用的环氧树脂材料，以便于与所述封装层104之间具有良好的结合性能，降低产品的翘曲度。所述金属布线层125的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。所述重新布线层105中的所述金属布线层125的层数及分布形貌，可根据具体需要进行选择，此处不作限制。

[0110] 作为该实施例的进一步实施例，所述重新布线层105的上表面包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3，以进一步提高所述扇出型天线封装结构的集成度及整合性能。

[0111] 具体的，本实施例中，所述N为2，即包括堆叠设置的2层所述天线结构，包括第一天线结构106及第二天线结构107，在另一实施例中，也可包括N≥3层堆叠设置的所述天线结构，如4层、5层等，此处不作限制。

[0112] 作为该实施例的进一步实施例，所述天线结构包括天线金属连接柱、天线封装层及天线金属层。

[0113] 具体的，如图7～图10，示意了形成所述第一天线结构106的各步骤的结构示意图。所述第一天线结构106包括第一天线金属连接柱126、第一天线封装层136及第一天线金属层146，其中所述第一天线金属连接柱126与所述重新布线层105中的所述金属布线层125电连接；所述第一天线封装层136覆盖所述第一天线金属连接柱126且显漏所述第一天线金属连接柱126的上表面；所述第一天线金属层146位于所述第一天线封装层136的上表面且与所述第一天线金属连接柱126电连接；从而形成所述第一天线结构106。

[0114] 作为该实施例的进一步实施例，所述第一天线封装层136包括环氧塑封层，以便于与所述重新布线层105之间形成良好的结合性能，进一步降低产品的翘曲度。所述第一天线封装层136的材料还可以包括聚酰亚胺及硅胶中的一种，可根据具体需要进行选择。

[0115] 如图11～图14，示意了所述第二天线结构107的各步骤的结构示意图。所述第二天线结构107包括第二天线金属连接柱127、第二天线封装层137及第二天线金属层147，其中所述第二天线金属连接柱127与所述第一天线结构106中的所述第一天线金属层146电连接；所述第二天线封装层137覆盖所述第二天线金属连接柱127且显漏所述第二天线金属连接柱127的上表面；所述第二天线金属层147位于所述第二天线封装层137的上表面且与所述第二天线金属连接柱127电连接；从而形成所述第二天线结构107。

[0116] 作为该实施例的进一步实施例，所述第二天线封装层137包括环氧塑封层，以便于与所述第一天线封装层136之间形成良好的结合性能，进一步降低产品的翘曲度。所述第二天线封装层137的材料还可以包括聚酰亚胺及硅胶中的一种，可根据具体需要进行选择。

[0117] 作为该实施例的进一步实施例，所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm，如100μm、500μm等，可根据具体需要进行选择，此处不作限制。

[0118] 作为该实施例的进一步实施例，形成的所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm。

[0119] 具体的，由于所述封装层104、介质层115、第一天线封装层136及第二天线封装层137均采用具有相同材料的环氧树脂材料，因此可降低形成的所述扇出型天线封装结构的翘曲度，所述扇出型天线封装结构的翘曲度的范围包括0.1mm～3.0mm，如0.5mm、1.0mm及
2.0mm等。

[0120] 作为该实施例的进一步实施例，所述天线金属连接柱还可包括横截面积大于所述天线金属连接柱的天线金属连接块，如位于所述第一天线金属连接柱126与所述金属布线层125之间的所述第一天线金属连接块116及位于所述第二天线金属连接柱127与所述第一天线金属层146之间的第二天线金属连接块117，从而增大接触面积，提高电性稳定性。

[0121] 作为该实施例的进一步实施例，所述金属凸块109包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种，此处不作过分限制。所述金属凸块109优选为凸出于所述通孔108，以便于后续电路的连接，降低工艺复杂度。

[0122] 综上所述，本发明的扇出型天线封装方法，可降低生产成本，形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构；通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片，提高扇出型天线封装结构性能。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

[0123] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

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扇出型天线封装结构及封装方法

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