一种高强度碳化硅/氮化硅复相陶瓷及其制备方法专利检索-碳化学元素和化合物专利检索查询-专利查询网

一种高强度 碳化 硅/氮化硅复相陶瓷及其制备方法

阅读：40发布：2024-02-20

专利汇可以提供一种高强度碳化硅/氮化硅复相陶瓷及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及一种高强度碳化硅 /氮化硅复相陶瓷及其制备方法，以SiC为主相，以亚微米Si3N4、纳米Si3N4和β-Si3N4晶须中的至少一种作为增强相，以Al2O3和Y2O3作为烧结助剂，再经过热压烧结后，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。，下面是一种高强度碳化硅/氮化硅复相陶瓷及其制备方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种SiC/Si3N4复相陶瓷，其特征在于，以SiC为主相，以亚微米Si3N4、纳米Si3N4和β-Si3N4晶须中的至少一种作为增强相，以Al2O3和Y2O3作为烧结助剂，再经过热压烧结后，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。
2.根据权利要求1所述的SiC/Si3N4复相陶瓷，其特征在于，所述SiC/Si3N4复相陶瓷的原料组成包括：90～95wt% SiC、2.5～7.5wt% 增强相、0.94～1.19wt% Al2O3，1.31～1.56wt% Y2O3，各组分质量百分比为100wt%。
3.根据权利要求1或2所述的SiC/Si3N4复相陶瓷，其特征在于，所述SiC/Si3N4复相陶瓷
1/2
的抗弯强度为976.8～1186.3 MPa，断裂韧性为5.92～7.86 MPa·m 。
4.一种SiC/Si3N4复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：
（1）选用SiC粉体、Si3N4粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体作为原料粉体，按照（90～95）：（2.5～7.5）：（0.94～1.19）：（1.31～1.56）的质量比称量并混合，得到混合粉体，所述Si3N4粉体选自亚微米Si3N4粉体、纳米Si3N4粉体和β-Si3N4晶须中的至少一种；
（2）将所得混合粉体压制成型后，放入石墨热压模具中进行热压烧结，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体的粒径为0.1～0.5μm。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述亚微米Si3N4粉体的粒径为0.1～0.5μm；所述纳米Si3N4粉体的粒径为20～50nm；所述β-Si3N4晶须的直径为1～5μm，长径比为（5～30）：1。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述Al2O3粉体的粒径为
0.1～0.4μm；所述Y2O3粉体的粒径为0.5～1μm。
8.根据权利要求4-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述混合为球磨混合，所述球磨混合的参数包括：球料比为1:1～3:1，球磨转数为200～400rpm，球磨时间为6～10小时。
9.根据权利要求4-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述压制成型的方式为干压预成型，所述干压预成型的压力为20～40 MPa。
10.根据权利要求4-9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述热压烧结的参数包括：压力为40～60MPa，温度为1800～1850℃，时间为1～3小时，烧结气氛为保护气氛；优选地，所述保护气氛为氩气气氛或/和氮气气氛。

说明书全文

一种高强度碳化 硅/氮化硅复相陶瓷及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种高强度SiC/Si3N4复相陶瓷及其制备方法，具体涉及一种以SiC为主相，、Si3N4为增强相、Al2O3和Y2O3为烧结助剂来制备的高强度和高韧性的SiC/Si3N4复相陶瓷，属于复相陶瓷的制备领域。

背景技术

[0002] SiC是一种强共价键化合物，在室温和高温下都有很高的强度，具有仅次于金刚石和立方氮化硼的硬度、高的热导率、优异的抗蠕变、抗氧化和耐酸碱腐蚀性能，因此，在冶金、航天、汽车、机械、石化、冶金和电子等行业得到了广泛的应用。但是，相比于ZrO2和Si3N4等陶瓷材料，SiC陶瓷的强度还有待提高。

[0003] 根据混合法则，在SiC陶瓷中掺入强度更高的颗粒将有助于SiC陶瓷强度的提升。Si3N4同样是一种强共价键化合物，具有一系列优良的性能，比如在常温和高温下都具有高强度、高硬度，良好的抗腐蚀、抗氧化和抗热震性能等。因而，Si3N4颗粒掺入SiC陶瓷中将有效提高其强度。另一方面，SiC陶瓷和Si3N4陶瓷都可以采用Al2O3和Y2O3作为烧结助剂完成致密化并取得优异的力学性能。因而，采用Si3N4作为SiC陶瓷的增强相无论在补强效果还是烧结致密化方面都较为理想。

发明内容

[0004] 针对上述问题，本发明的目的在于提供一种高强度SiC/Si3N4复相陶瓷及其制备方法。

[0005] 一方面，本发明提供了一种SiC/Si3N4复相陶瓷，以SiC为主相，以亚微米Si3N4、纳米Si3N4和β-Si3N4晶须中的至少一种作为增强相，以Al2O3和Y2O3作为烧结助剂，再经过热压烧结后，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。

[0006] 本发明中，采用亚微米Si3N4、纳米Si3N4、β-Si3N4晶须中的一种或多种作为增强相，可以在SiC基体中产生钉扎效应，对裂纹扩展起到阻碍作用，有效抑制裂纹扩展，从而提高SiC陶瓷的强度和断裂韧性，以获得高强度的SiC/Si3N4复相陶瓷。

[0007] 较佳的，所述SiC/Si3N4复相陶瓷的原料组成包括：90～95wt％SiC、2.5～7.5wt％增强相、0.94～1.19wt％Al2O3，1.31～1.56wt％Y2O3，各组分质量百分比为100wt％。

[0008] 较佳的，所述SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为976.8～1186.3MPa，断裂韧性为5.92～7.86MPa·m1/2。

[0009] 另一方面，本发明还提供了一种SiC/Si3N4复相陶瓷的制备方法，包括：(1)选用SiC粉体、Si3N4粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体作为原料粉体，按照(90～95)：(2.5～7.5)：(0.94～1.19)：(1.31～1.56)的质量比称量并混合，得到混合粉体，所述Si3N4粉体选自亚微米Si3N4粉体、纳米Si3N4粉体和β-Si3N4晶须中的至少一种；
(2)将所得混合粉体压制成型后，放入石墨热压模具中进行热压烧结，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。

[0010] 本发明中，以亚微米Si3N4，纳米Si3N4或β-Si3N4晶须中的一种或多种为增强相，通过热压烧结的方式来制备高强度和高韧性的SiC/Si3N4复相陶瓷。

[0011] 较佳的，所述SiC粉体的粒径为0.1～0.5μm。

[0012] 较佳的，所述亚微米Si3N4粉体的粒径为0.1～0.5μm；所述纳米Si3N4粉体的粒径为20～50nm；所述β-Si3N4晶须的直径为1～5μm，长径比为(5～30)：1。

[0013] 较佳的，所述Al2O3粉体的粒径为0.1～0.4μm；所述Y2O3粉体的粒径为0.5～1μm。

[0014] 较佳的，所述混合为球磨混合，所述球磨混合的参数包括：球料比为1:1～3:1，球磨转数为200～400rpm，球磨时间为6～10小时。

[0015] 较佳的，所述压制成型的方式为干压预成型，所述干压预成型的压力为20～40MPa。

[0016] 较佳的，所述热压烧结的参数包括：压力为40～60MPa，温度为1800～1850℃，时间为1～3小时，烧结气氛为保护气氛。

[0017] 又，较佳的，所述保护气氛为氩气气氛或/和氮气气氛。

[0018] 有益效果：本发明基于混合法则，采用不同形式的Si3N4颗粒(包括亚微米Si3N4、纳米Si3N4和β-Si3N4晶须)作为增强相来提高SiC陶瓷的强度。Si3N4颗粒的加入能够在SiC基体中起到钉扎效应，有效抑制SiC陶瓷中的微裂纹扩展，显著提高SiC陶瓷的抗弯强度和断裂韧性，获得具有高强度和高韧性的SiC/Si3N4复相陶瓷。
附图说明

[0019] 图1为实施例1所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抛光面形貌图；图2为实施例3所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抛光面裂纹扩展形貌图；
图3为实施例6所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抛光面形貌图。

具体实施方式

[0020] 以下通过下述实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。

[0021] 在本公开中，SiC/Si3N4复相陶瓷的原料组成包括：SiC作为主相，含量为90～95wt％；β-Si3N4晶须、纳米Si3N4、亚微米Si3N4中的一种或多种作为增强相，含量2.5～
7.5wt％；Al2O3和Y2O3为烧结助剂，Al2O3含量为0.94～1.19wt％，Y2O3含量为1.31～
1.56wt％。在本发明中，获得高度致密且细晶的微结构是实现高强度的必要途径。一方面，通过少量Si3N4颗粒(Si3N4粉体)的添加，能够在SiC基体中形成钉扎效应，阻止SiC晶粒的长大。另一方面，Si3N4是一种综合性能优良的陶瓷材料，具有高于SiC陶瓷的抗弯强度和断裂韧性，根据混合法则，Si3N4的加入能够起到复相陶瓷抗弯强度和断裂韧性的作用。再则，SiC晶粒和Si3N4晶粒之间形成的弱界面能够有效偏转裂纹，提高复相陶瓷的断裂韧性。在可选的实施方式中，所述SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为976.8～1186.3MPa，断裂韧性为5.92
1/2
～7.86MPa·m 。

[0022] 在本发明一实施方式中，以亚微米Si3N4，纳米Si3N4或β-Si3N4晶须中的一种或多种为增强相，通过热压烧结的方式来制备高强度和高韧性的SiC/Si3N4复相陶瓷。该方法制备的SiC/Si3N4复相陶瓷具有高强度和高韧性等突出优点。以下示例性地说明SiC/Si3N4复相陶瓷的制备方法。

[0023] 混合粉体的制备。将SiC粉体、Si3N4粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体作为原料粉体，按照(90-95)：(2.5-7.5)：(0.94-1.19)：(1.31-1.56)的质量比例称量并混合，得到混合粉体。其中，混合的方式可为球磨混合。在球磨混合之前，可在原料粉体中添加溶剂(例如，酒精)形成一定固含量的浆料，再进行球磨混合。将球磨得到的浆料经过烘干和过筛，得到混合粉体。

[0024] 作为一个球磨混合的示例，包括：将SiC粉体、Si3N4粉体、Al2O3粉体和Y2O3粉体配制成固含量为20-25vol％的浆料，控制球料比为1:1-3:1，球磨转数为200-400rpm，球磨时间为6-10h。球磨结束后进行烘干，烘干温度为100℃-120℃，烘干时间为2-4h。最后经过过筛，过筛的目数为100-200目，得到混合粉体。若是Si3N4粉体含量过高，将很大程度上影响复相陶瓷的致密化，导致复相陶瓷中存在较多孔洞，使其抗弯强度大幅降低。

[0025] 在可选的实施方式中，SiC粉体的粒径可为0.1-0.5μm。Al2O3粉体的粒径可为0.1-0.4μm。Y2O3粉体的粒径可为0.5-1μm。

[0026] 在可选的实施方式中，Si3N4粉体选自亚微米Si3N4粉体、纳米Si3N4粉体和β-Si3N4晶须中的至少一种。亚微米Si3N4粉体的粒径可为0.1-0.5μm。纳米Si3N4粉体的粒径可为20-50nm。β-Si3N4晶须的直径为1-5μm，长径比可为(5-30)：1。为获得高强度的陶瓷材料，需要获得细晶粒的微结构，如果Si3N4粉体的粒径较高(例如，对于亚微米Si3N4粉体、纳米Si3N4粉体的粒径较高；或β-Si3N4晶须直径或/和长度较高)，提高SiC/Si3N4复相陶瓷的效果远不如添加细晶粒的Si3N4粉体明显。

[0027] 将混合粉体压制成型，得到素坯。上述压制成型包括但不仅限于干压预成型等。干压预成型的压力可为20-40MPa。

[0028] 将素坯放入石墨热压模具中，并放入碳管炉中进行热压烧结，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。其中，热压烧结的温度可为1800-1850℃。热压烧结的保温时间可为1-3h。热压烧结的烧结压力可为40-60MPa。热压烧结的烧结气氛可为Ar或/和N2。

[0029] 在本发明中，以亚微米Si3N4，纳米Si3N4、β-Si3N4晶须中的一种或多种为增强相，以亚微米SiC为主相，在40-60MPa压力下，Ar或N2气氛下，1800-1850℃范围内热压烧结1-3小时，可得到高强度的SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷具有高的抗弯强度和断裂韧性，综合性能优良。其抗弯强度相比于单纯无压烧结或者单纯热压烧结获得的SiC陶瓷的强度典型值具有大幅提高。

[0030] 下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

[0031] 下述实施例和对比例中若无特殊说明，选用原料包括：SiC粉体的粒径为0.1～0.5μm；亚微米Si3N4粉体的粒径为0.1～0.5μm；纳米Si3N4粉体的粒径为20～50nm；β-Si3N4晶须的直径为1～5μm，长径比为(5～30)：1；Al2O3粉体的粒径为0.1～0.4μm，Y2O3粉体的粒径为0.5～1μm。

[0032] 实施例1称取亚微米Si3N4粉体7.5g，与SiC粉体90g，Al2O3粉体0.94g和Y2O3 1.56g粉体混合，添加99.25g酒精作为溶剂，300g Si3N4球为球磨介质，在200rpm下球磨10h，然后放入100℃恒温箱中烘4h，研磨，过100目筛；将所得粉体在20MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1800℃，40MPa压力下烧结1h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为943.7±33.1MPa，断裂韧性为
5.77±0.15MPa·m1/2。

[0043] 对本实施例1得到的SiC/Si3N4复相陶瓷进行抛光面观察，结果如图1所示，复相陶瓷中没有明显孔洞，致密度较高，说明亚微米Si3N4的加入不会对复相陶瓷的致密化产生影响，因而强度较高。

[0034] 实施例2称取纳米Si3N4粉体2.5g和亚微米Si3N4粉体2.5g，与SiC粉体92.5g，Al2O3粉体1.07g和Y2O3 1.43g粉体混合，添加85.47g酒精作为溶剂，200g Si3N4球为球磨介质，在300rpm下球磨8h，然后放入110℃恒温箱中烘3h，研磨，过200目筛；将所得粉体在30MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1800℃，50MPa压力下烧结1h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1053.2±
45.3MPa，断裂韧性为7.12±0.18MPa·m1/2。

[0035] 实施例3称取β-Si3N4晶须2.5g，与SiC粉体95g，Al2O3粉体1.19g和Y2O3 1.31g粉体混合，添加
74.44g酒精作为溶剂，100g Si3N4球为球磨介质，在400rpm下球磨6h，然后放入120℃恒温箱中烘2h，研磨，过100目筛；将所得粉体在40MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1800℃，60MPa压力下烧结1h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1022.5±39.3MPa，断裂韧性为6.63±0.08MPa·m1/2。

[0036] 对本实施例3得到的SiC/Si3N4复相陶瓷进行抛光面裂纹扩展路径观察，结果如图2所示，复相陶瓷中裂纹存在较多的、明显的偏转，说明Si3N4的加入对于裂纹偏转具有有益效果，能够明显提高复相陶瓷的抗弯强度和断裂韧性。

[0037] 实施例4称取亚微米Si3N4粉体7.5g，与SiC粉体90g，Al2O3粉体0.94g和Y2O3 1.56g粉体混合，添加99.25g酒精作为溶剂，300g Si3N4球为球磨介质，在200rpm下球磨10h，然后放入100℃恒温箱中烘4h，研磨，过100目筛；将所得粉体在20MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1825℃，40MPa压力下烧结2h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为988.7±13.6MPa，断裂韧性为
6.28±0.13MPa·m1/2。

[0038] 实施例5称取β-Si3N4晶须5g，与SiC粉体92.5g，Al2O3粉体1.07g和Y2O3 1.43g粉体混合，添加
85.47g酒精作为溶剂，200g Si3N4球为球磨介质，在300rpm下球磨8h，然后放入110℃恒温箱中烘3h，研磨，过100目筛；将所得粉体在30MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1825℃，50MPa压力下烧结2h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1171.7±14.6MPa，断裂韧性为7.73±0.13MPa·m1/2。

[0039] 实施例6称取纳米Si3N4粉体2.5g，与SiC粉体95g，Al2O3粉体1.19g和Y2O3 1.31g粉体混合，添加
74.4g酒精作为溶剂，100g Si3N4球为球磨介质，在400rpm下球磨6h，然后放入120℃恒温箱中烘2h，研磨，过200目筛；将所得粉体在40MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入Ar作为保护气，在1825℃，60MPa压力下烧结2h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1048.1±27.6MPa，断裂韧性为6.96±0.31MPa·m1/2。

[0040] 对本实施例6得到的SiC/Si3N4复相陶瓷进行断面观察，结果如图3所示，纳米Si3N4的加入在复相陶瓷中形成了许多小晶粒，使得微结构细化，对于提高复相陶瓷的抗弯强度具有重要作用。

[0041] 实施例7称取亚微米Si3N4粉体5g和β-Si3N4晶须2.5g，与SiC粉体90g，Al2O3粉体0.94g和Y2O31.56g粉体混合，添加99.25g酒精作为溶剂，300g Si3N4球为球磨介质，在200rpm下球磨
10h，然后放入100℃恒温箱中烘4h，研磨，过100目筛；将所得粉体在20MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1850℃，40MPa压力下烧结3h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1031.4±
21.2MPa，断裂韧性为6.43±0.17MPa·m1/2。

[0042] 实施例8称取纳米Si3N4粉体5g，与SiC粉体92.5g，Al2O3粉体1.07g和Y2O3 1.43g粉体混合，添加
85.47g酒精作为溶剂，200g Si3N4球为球磨介质，在300rpm下球磨8h，然后放入110℃恒温箱中烘3h，研磨，过200目筛；将所得粉体在30MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入Ar作为保护气，在1850℃，50MPa压力下烧结3h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1128.9±51.2MPa，断裂韧性为7.30±0.26MPa·m1/2。

[0043] 实施例9称取β-Si3N4晶须2.5g，与SiC粉体95g，Al2O3粉体1.19g和Y2O3 1.31g粉体混合，添加
74.44g酒精作为溶剂，100g Si3N4球为球磨介质，在400rpm下球磨6h，然后放入120℃恒温箱中烘2h，研磨，过100目筛；将所得粉体在40MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1850℃，60MPa压力下烧结3h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1098.3±33.8MPa，断裂韧性为7.26
1/2
±0.16MPa·m 。

[0044] 实施例10称取β-Si3N4晶须2.5g，与SiC粉体95g，Al2O3粉体1.19g和Y2O3 1.31g粉体混合，添加
74.44g酒精作为溶剂，100g Si3N4球为球磨介质，在400rpm下球磨6h，然后放入120℃恒温箱中烘2h，研磨，过100目筛；将所得粉体在40MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1825℃，40MPa压力下烧结1h，得到所述SiC/Si3N4复相陶瓷。所得SiC/Si3N4复相陶瓷的抗弯强度为1035.5±28.6MPa，断裂韧性为6.89±0.10MPa·m1/2。

[0045] 对比例1称取SiC粉体97.5g，与Al2O3粉体1.07g和Y2O3 1.43g粉体混合，添加85.47g酒精作为溶剂，200g Si3N4球为球磨介质，在300rpm下球磨8h，然后放入110℃恒温箱中烘3h，研磨，过
100目筛；将所得粉体在30MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1825℃，50MPa压力下烧结2h，得到所述SiC陶瓷。所得SiC陶瓷的抗弯强度为695.9±48.6MPa，断裂韧性为5.15±0.18MPa·m1/2。

[0046] 对比例2称取SiC粉体97.5g，与Al2O3粉体1.07g和Y2O3 1.43g粉体混合，添加85.47g酒精作为溶剂，200g Si3N4球为球磨介质，在300rpm下球磨8h，然后放入110℃恒温箱中烘3h，研磨，过
100目筛；将所得粉体在30MPa压力下干压预成型后装入石墨热压模具中，将样品放置到碳管炉中，充入N2作为保护气，在1850℃，60MPa压力下烧结2h，得到所述SiC陶瓷。所得SiC陶瓷的抗弯强度为776.3±55.2MPa，断裂韧性为5.58±0.18MPa·m1/2。

[0047] 对比例3本对比例3中，所得SiC/Si3N4复相陶瓷的制备过程参见实施例1，区别在于：亚微米Si3N4含量为10g，SiC粉体87.5g，Al2O3 0.94g，Y2O3 1.56g。所得SiC/Si3N4陶瓷的抗弯强度为
597.8±39.4MPa，断裂韧性为4.11±0.09MPa·m1/2。

[0048] 对比例4本对比例4中，所得SiC/Si3N4复相陶瓷的制备过程参见实施例1，区别在于：亚微米Si3N4粉体的粒径高达1～5μm。所得SiC/Si3N4陶瓷的抗弯强度为823.6±26.9MPa，断裂韧性为5.29±0.18MPa·m1/2。

[0049] 表1为本发明中实施例1-10和对比例3-4制备的SiC/Si3N4复相陶瓷和对比例1-2制备的SiC陶瓷的组成和性能参数：

[0050] 从上述实施例和对比例可以看出，本发明通过添加亚微米Si3N4、纳米Si3N4、β-Si3N4晶须中的至少一种作为增强相，采用氧化铝和氧化钇作为烧结助剂，以热压烧结的方式，可以获得高强度和高韧性的SiC/Si3N4复相陶瓷。

[0051] 最后有必要说明的是：以上实施例只用于对本发明的技术方案作进一步详细说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。

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