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半导体 光 放大器芯片、光接收子组件和光模块

阅读：511发布：2020-05-11

专利汇可以提供半导体光放大器芯片、光接收子组件和光模块专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本申请公开了一种半导体光放大器芯片，该芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中，有源区包括N个子有源区，并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此，本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。此外，本申请还提供了一种光接收子组件以及光模块。，下面是半导体光放大器芯片、光接收子组件和光模块专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种半导体光放大器芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的有源区；所述有源区包括N个子有源区；N为大于或等于2的整数；
位于所述有源区上的光波导，所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端延伸到所述半导体光放大器芯片的出射端；
以及，沿所述光波导的长度方向覆盖所述光波导上的N个电极；相邻两个所述电极之间电隔离，所述光波导的长度方向为所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端向所述半导体光放大器芯片的出射端的延伸方向；
其中，所述N个电极和所述N个子有源区一一对应，沿垂直于所述有源区的方向，每一所述电极在所述有源区内的投影位于对应的子有源区内；
所述N个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N个子有源区中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收处理。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，沿所述光波导的长度方向，所述N个电极中，至少两个所述电极的长度不等。
4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述N个电极中，长度最长的电极对应的子有源区用于对在所述长度最长的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理。
5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述N个电极中，长度最短的电极对应的子有源区用于对在所述长度最短的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。
6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述N个电极中，除所述长度最长的电极之外的其它每一电极对应的子有源区用于对在对应电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。
7.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述长度最长的电极靠近所述半导体光放大器芯片的出射端。
8.一种光接收子组件，其特征在于，包括第一透镜、第二透镜和如权利要求1至7任一项所述的半导体光放大器芯片；
所述第一透镜用于汇聚入射的光信号，并将汇聚的光信号耦合到所述半导体光放大器芯片；
所述半导体光放大器芯片用于对从所述第一透镜处耦合的光信号进行功率调节，并将功率调节后的光信号耦合到所述第二透镜；
所述第二透镜用于将从所述半导体光放大器处耦合的光信号进行汇聚。
9.根据权利要求8所述的光接收子组件，其特征在于，所述光接收子组件还包括光探测器，所述第二透镜还用于将汇聚后的光信号耦合到所述光探测器，所述光探测器用于将收集到的光信号转换为电信号，实现光电信号的转换。
10.根据权利要求8或9所述的光接收子组件，其特征在于，所述光接收子组件还包括：
电路板，所述电路板用于实现所述多个元部件与外部控制电路之间的电信号传输。
11.一种光模块，其特征在于，包括：控制电路和如权利要求8-10任一项所述的光接收子组件，所述控制电路一端分别连接位于所述芯片内的N个电极，用于分别向所述N个电极提供驱动信号，以驱动每一电极对应的有源区的子有源区对光信号进行放大或吸收处理。
12.根据权利要求11所述的光模块，其特征在于，所述控制电路的另一端连接所述光探测器，所述控制电路还用于接收所述N个电极中每一电极的上报信号以及所述光探测器的上报信号，并依据接收到的上报信号调整所述控制电路分别下发给所述N个电极的驱动信号。
13.根据权利要求12所述的光模块，其特征在于，控制电路依据接收到的上报信号调整所述控制电路分别下发给所述N个电极的驱动信号，具体包括：
所述控制电路从预先配置的上报信号与驱动信号的对应关系中查找与接收到的上报信号相对应的驱动信号；
将查找到的驱动信号分别下发给对应的电极。

说明书全文

半导体 光 放大器芯片、光接收子组件和光模块

技术领域

[0001] 本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器芯片、包含该半导体光放大器芯片的光接收子组件以及光模块。

背景技术

[0002] 半导体光放大器(Semiconductor Optical Amp l ifier，SOA)是以半导体材料作为增益介质，能对外来光子进行放大或提供增益的光电子器件。现有的半导体光放大器芯片一般仅能实现对光信号的增益，而不能满足较大的动态范围需求。发明内容

[0003] 有鉴于此，本申请提供了一种半导体光放大器芯片、包含该半导体光放大器芯片的光接收子组件以及光模块。

[0004] 为了达到上述发明目的，本申请采用了如下技术方案：

[0005] 本申请的第一方面提供了一种半导体光放大器芯片，包括：

[0006] 衬底。

[0007] 位于所述衬底上的有源区，所述有源区包括N个子有源区；N为大于或等于2的整数。

[0008] 位于所述有源区上的光波导，所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端延伸到所述半导体光放大器芯片的出射端。

[0009] 以及，沿所述光波导的长度方向覆盖所述光波导上的N个电极。相邻两个所述电极之间电隔离。所述光波导的长度方向为所述光波导从所述半导体光放大器芯片的入射端向所述半导体光放大器芯片的出射端的延伸方向。其中，所述N个电极和所述N个子有源区一一对应。沿垂直于所述有源区的方向，每一所述电极在所述有源区内的投影位于对应的子有源区内。所述N个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节。其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。

[0010] 基于本申请的第一方面提供的半导体光放大器芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中，有源区包括多个子有源区，并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此，本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。

[0011] 在一种可能的实现方式中，所述N个子有源区中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收处理。

[0012] 在本实施例提供的半导体光放大器芯片,部分子有源区对对应电极覆盖的光波导内传出的光信号进行放大处理，且部分子有源区对对应电极覆盖的光波导内传出的光信号进行吸收处理。应当知道的是，当部分子有源区对对应电极覆盖的光波导内传出的光信号进行吸收处理时，该光波导内传输的光信号能够产生一定程度的衰减，也即，能够起到可变光衰减器的作用。因此，本实施例提供的半导体光放大器芯片能够实现现有技术中可变光衰减器和半导体光放大器共同实现的功能，且相对于现有技术来说，本实施例提供的半导体光放大器芯片尺寸较小，能够满足光模块小尺寸要求。

[0013] 在一种可能的实现方式中，沿所述光波导的长度方向，所述N个电极中，至少两个所述电极的长度不等。该实现方式能够使半导体光放大器芯片更好地满足较大的动态范围的需求。

[0014] 在一种可能的实现方式中，所述N个电极中，长度最长的电极对应的子有源区用于对在所述长度最长的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理。

[0015] 在一种可能的实现方式中，所述N个电极中，长度最短的电极对应的子有源区用于对在所述长度最短的电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。

[0016] 在一种可能的实现方式中，所述N个电极中，除所述长度最长的电极之外的其它每一电极对应的子有源区用于对在对应电极覆盖的部分光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。

[0017] 在一种可能的实现方式中，所述长度最长的电极靠近所述半导体光放大器芯片的出射端。

[0018] 本申请的第二方面提供了一种光接收子组件，包括第一透镜、第二透镜和如上述第一方面及其任一可能的实现方式所述的半导体光放大器芯片。所述第一透镜用于汇聚入射的光信号，并将汇聚的光信号耦合到所述半导体光放大器芯片。所述半导体光放大器芯片用于对从所述第一透镜处耦合的光信号进行功率调节，并将功率调节后的光信号耦合到所述第二透镜；所述第二透镜用于将从所述半导体光放大器处耦合的光信号进行汇聚。

[0019] 在该第二方面，集成在光接收子组件内的半导体放大器芯片为上述第一方面提供的任一种半导体光放大器芯片。因本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。

[0020] 进一步地，在该半导体光放大器芯片的部分子有源区对对应光波导内传出的光信号进行放大，且部分子有源区对对应光波导内传出的光信号进行吸收(相对于起到光衰减的作用)时，该半导体光放大器芯片能够实现现有技术中光放大器和可变光衰减器两个光器件合作达到的效果。由于该半导体光放大器芯片还能够实现光衰减的作用，所以就不能再集成可变光衰减器了，因此相对于现有技术来说，能够达到减小光模块尺寸的效果。

[0021] 在一种可能的实现方式中，所述光接收子组件还包括光探测器，所述第二透镜还用于将汇聚后的光信号耦合到所述光探测器，所述光探测器用于将收集到的光信号转换为电信号，实现光电信号的转换。

[0022] 在一种可能的实现方式中，所述光接收子组件还包括：电路板，所述电路板用于实现所述多个元部件与外部控制电路之间的电信号传输。

[0023] 在一种可能的实现方式中，所述N个子有源区中的结构和/或材料完全相同。该实现方式能够简化工艺，降低成本。

[0024] 在一种可能的实现方式中，所述N个子有源区中的结构和/或材料不完全相同。该实现方式中，半导体光放大器具有更好的性能。

[0025] 在一种可能的实现方式中，还包括跨阻放大器，所述跨阻放大器用于对所述光探测器产生的电信号进行放大，以用于信号检测。

[0026] 在一种可能的实现方式中，还包括载板，所述载板用于承载所述半导体光放大器芯片。

[0027] 在一种可能的实现方式中，还包括隔离器，所述隔离器用于对从所述光插头出射的光信号进行光隔离，以保证入射光的单向传输。

[0028] 在一种可能的实现方式中，还包括光插头，所述光插头用于将所述光接收子组件与外部的光纤插芯进行固定。

[0029] 在一种可能的实现方式中，所述多个元部件还包括：光解复用器，位于所述第二透镜和所述光探测器之间，用于将入射的光信号按照波长的不同进行区分，实现波长的解复用，并入射到对应的光探测器中。

[0030] 在一种可能的实现方式中，所述光解复用器为基于自由空间的解复用器结构或者基于光波导型结构的光解复用器结构。该实现方式能够使得光接收子组件满足波分复用场景的要求。

[0031] 在一种可能的实现方式中，所述多个元部件还包括：半导体制冷器，用于为所述半导体光放大器芯片进行温度控制。该实现方式能够降低较高温度对半导体光放大器芯片的影响。

[0032] 在一种可能的实现方式中，所述光接收子组件还包括：光接收子组件管壳，用于为所述多个元部件提供承载和气密封装。该实现方式能够实现光接收子组件内部元器件的气密封装。

[0033] 本申请的第三方面提供了一种光模块，包括：控制电路和如第二方面及其任一可能实现方式所述的光接收子组件，所述控制电路一端分别连接位于所述芯片内的N个电极，用于分别向所述N个电极提供驱动信号，以驱动每一电极对应的有源区的子有源区对光信号进行放大或吸收处理。

[0034] 本申请第三方面提供的光模块，包括上述第二方面提供的任一种光接收子组件。因 ROSA内集成有能够满足较大动态范围的半导体光放大器芯片，因而，在该光模块的接收端无需集成可变光衰减器芯片，因而该光模块不会存在制造半导体光放大器芯片和可变光衰减器芯片的工艺不兼容的问题，因而，也就能够有效降低光模块接收端的制造成本。而且，由于本申请提供的能够能够满足较大动态范围的半导体光放大器芯片，将该半导体光放大器芯片集成到ROSA内部，能够保证ROSA的小尺寸、低成本和高性能。因而，相较于现有的光模块结构(其采用分立的VOA+SOA和ROSA器件)，本申请提供的光模块，将单片集成的SOA芯片集成到ROSA内，无需采用分立的VOA+SOA和ROSA器件形态，因而，能够降低光模块的尺寸和成本，使得光模块能够实现QSFP28(Quad small form-factor pluggabe，四通道SPF 接口)28的封装形态。

[0035] 在一种可能的实现方式中，所述控制电路的另一端连接所述光探测器，所述控制电路还用于接收所述N个电极中每一电极的上报信号以及所述光探测器的上报信号，并依据接收到的上报信号调整所述控制电路分别下发给所述N个电极的驱动信号。

[0036] 在一种可能的实现方式中，控制电路依据接收到的上报信号调整所述控制电路分别下发给所述N个电极的驱动信号，具体包括：所述控制电路从预先配置的上报信号与驱动信号的对应关系中查找与接收到的上报信号相对应的驱动信号；将查找到的驱动信号分别下发给对应的电极。

[0037] 相较于现有技术，本申请具有以下有益效果：

[0038] 基于以上技术方案可知，本申请提供的半导体光放大器芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中，有源区包括多个子有源区，并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此，本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。附图说明

[0039] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0040] 图1A至图1D本申请实施例提供的包括2个子有源区和2个电极的半导体光放大器芯片的结构示意图；

[0041] 图2为本申请实施例提供的包括3个子有源区和3个电极的半导体光放大器芯片的结构示意图；

[0042] 图3为本申请实施例提供的光接收子组件的结构示意图；

[0043] 图4为本申请实施例提供的光模块的结构示意图。

具体实施方式

[0044] 基于背景技术部分可知，现有的半导体光放大器芯片不能满足较大的动态范围需求。

[0045] 为了实现半导体光放大器芯片具有较大的动态范围，本申请提供的半导体光放大器芯片包括依次位于衬底上的有源区、光波导和N个相互电隔离的电极。其中，有源区包括多个子有源区，并且电极和子有源区一一对应。该多个子有源区中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，其中，至少一个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。如此，本申请提供的半导体光放大器芯片可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。

[0046] 为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

[0047] 请参见图1A至图1D，图1A为本申请实施例提供的包括2个子有源区和2个电极的一种半导体光放大器芯片的立体结构示意图，图1B为沿图1A中的I-I方向的剖面结构示意图，图1C是本申请实施例提供的包括2个子有源区和2个电极的另一种半导体光放大器芯片的立体结构示意图，图1D为沿图1C中的I-I方向的剖面结构示意图，

[0048] 在图1A和图1B中，半导体光放大器芯片包括：衬底11，位于衬底11之上的有源区 12，位于有源区12之上的光波导13，以及，沿光波导13的长度方向覆盖光波导13的第一电极
141和第二电极142。

[0049] 其中，有源区12包括第一子有源区121和第二子有源区122。第一电极141与第二电极142之间电隔离。其中，光波导13的长度方向为光波导13从半导体光放大器芯片的入射端向半导体光放大器芯片的出射端的延伸方向。

[0050] 第一电极141与第一子有源区121对应，而且，第一电极141与第一子有源区121的长度相等。当第一电极141沿垂直于第一有源区121所在平面的方向进行投影，该投影位于第一子有源区121内。

[0051] 第二电极142与第二子有源区122对应，而且，第二电极142与第二子有源区122的长度相等。当第二电极142沿垂直于第二有源区122所在平面的方向进行投影，该投影位于第二子有源区122内。

[0052] 在上述第一子有源区121和第二子有源区122中，其中，每个子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，且至少一个子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。作为示例，第一子有源区121用于对第一电极 141覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。第二子有源区122用于对第二电极142 覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理或吸收处理。

[0053] 作为本申请的另一实施例，如图1C和图1D所示，为了保护第一电极141、第二电极 142以及光波导13，上述所述的半导体光放大器芯片还可以包括包覆第一电极141以及该第一电极141下方的光波导的第一保护层151，和包覆第二电极142以及该第二电极142 下方的光波导的的第二保护层152。

[0054] 作为示例，第一保护层151和第二保护层152可以由二氧化硅材料制成。

[0055] 作为本申请的一个示例，为了实现第一电极141和第二电极142之间的电隔离，可以在第一电极141和第二电极142之间的间隙内设置电阻。而且，为了达到较好的电隔离效果，该电阻的阻值较高，例如可以在10kΩ以上。

[0056] 作为本申请的另一示例，第一电极141和第二电极142可以由金属材料制成。相应地，第一电极141和第二电极142均为金属电极。

[0057] 作为本申请的又一示例，为了简化半导体光放大器的工艺步骤，降低其工艺成本，每个子有源区的材料和结构可以完全相同。如此，该各个子有源区可以通过同步工艺制作完成，从而简化工艺，降低成本。

[0058] 此外，作为本申请实施例的扩展，为了匹配不同的应用场景，每个子有源区中的内部材料可以不完全相同，内部结构也可以不完全相同，从而使得制成的半导体光放大器具有更好的性能。

[0059] 另外，需要说明，每个子有源区对光的吸收和放大幅度与其长度相关，当长度越长时，吸收和放大幅度越大，当长度越短时，吸收和放大幅度越小。因此，为了满足对入射光进行不同程度的放大或吸收时，半导体光放大器芯片的多个子有源区的长度可以不完全相等。另外，当入射光包括多个不同波长的光时，为了保证半导体光放大器芯片能够实现对不同波长的光进行相同幅度的吸收或放大时，该半导体光放大器芯片内可以包括多个不同长度的子有源区，如此，也要求多个子有源区的长度可以不完全相等。

[0060] 而在本申请中，子有源区的长度与其对应的电极长度近似相等，两者的差值最大为电隔离区域的长度。而电隔离区域的长度一般仅为数微米，所以，子有源区的长度与其对应的电极长度可以看作相等。

[0061] 因此，作为本申请的一个示例，为了更好地满足芯片具有较大的动态范围要求，第一电极141和第二电极142的长度可以相等或不等。

[0062] 作为具体示例，第一电极141的长度为20-100μm，第二电极142的长度为 400-1500μm。作为更具体示例，为了满足40km和80km长距应用场景的100G光模块的规格需求，第一电极141的长度为30μm，第二电极的长度142为700μm。

[0063] 为了匹配大多数应用场景，包含在该半导体光放大器芯片的多个子有源区中，长度最长的电极对应的子有源区能够对光信号进行放大，不管入射光的功率多大，该长度最长的电极对应的子有源区均处于开启状态。而长度非最长的电极对应的子有源区能够根据动态范围的需求以及加载的控制信号(或偏置电压或偏置电流)对光信号进行吸收或放大，其可以根据入射光的功率大小，其可以调整为开启状态或关闭状态，同时开启状态的增益或者关闭状态的衰减可以通过控制信号的大小进行调节。

[0064] 此外，作为本申请的一具体示例，在多个长度不等的电极中，其中，长度最长的电极对应的子有源区靠近半导体光放大器芯片的出射端，该出射端为半导体光放大器芯片中最远离入射光的一端。

[0065] 另外，受限于现有制造工艺的限制，子有源区的长度不能太短，另外，当子有源区太短，可能达不到预期的光吸收效果，因而，每个子有源区的长度不能太短。另外，子有源区的长度也不能太长，这是因为，长度太长，因导致光噪声很大。因此，该半导体光放大器内的子有源区的长度可以在20-1500微米之间。

[0066] 作为本申请的又一具体示例，为了简化半导体光放大器芯片的工艺步骤，降低其工艺成本，每个子有源区除了长度不同外，其材料和结构可以完全相同。如此，该各个子有源区可以通过同步工艺制作完成。

[0067] 此外，作为本申请实施例的扩展，为了匹配不同的应用场景，每个子有源区中的内部材料可以不完全相同，内部结构也可以不完全相同，从而使得制成的半导体光放大器具有更好的性能。

[0068] 作为本申请的又一具体示例，为了提高半导体光放大器对入射光功率的调节能力，每个子有源区可以采用半导体激光器中有源区的结构。更具体地，该半导体激光器结构可以为基于体材料的半导体激光器结构，也可以为基于量子阱结构的半导体激光器结构，还可以为基于量子点的半导体激光器结构。

[0069] 另外，在本申请实施例中，每个电极可以根据接收的控制信号控制其对应的子有源区处于不同的工作状态，而且，该控制信号可以为偏置电流或偏置电压。

[0070] 为了较为清楚地理解本申请实施例提供的半导体光放大器芯片的工作原理，下面以包括2个子有源区和2个电极的半导体光放大器芯片的工作原理为例进行说明。

[0071] 当半导体光放大器芯片工作时，第一电极141可以根据接收第一控制信号控制第一子有源区121处于不同的工作状态；第二电极142可以根据接收的第二控制信号控制第二子有源区122处于不同的工作状态。

[0072] 需要说明的是，在本申请实施例中，每个子有源区可以处于开启和关闭两种不同的工作状态。当子有源区处于开启状态时，子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理，并且放大的增益可以通过调整控制信号大小进行调节；当子有源区处于关闭状态时，子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收处理，并且衰减的大小可以通过调整控制信号大小进行调节。

[0073] 作为示例，根据入射到半导体光放大器芯片的光信号功率的大小，第一子有源区121 可以用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收或放大，第二子有源区
122可以用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大。

[0074] 作为更具体示例，下面分别介绍入射到半导体光放大器芯片内的光信号功率不同时，每个子有源区的工作状态。

[0075] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为低功率(比如为-24dBm到-14dBm)时，每个子有源区的工作状态的具体实施方式如下：

[0076] 第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第一电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第一电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大。此时，半导体光放大器的每个子有源区均对入射光进行放大，保证半导体光放大器输出的光功率不至于很小，从而保证后续光探测器的灵敏度性能满足要求。

[0077] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为中等功率(比如为-16dBm到-6dBm)时，每个子有源区的工作状态可以采用以下两种实施方式：

[0078] 第一种实施方式

[0079] 第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，使第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行一定程度的放大，需要说明的是，相较于小功率入射光的控制方式，该第一控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小，从而降低对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号的增益；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142 覆盖的光波导内传输的光信号进行放大。此时，半导体光放大器可以通过子有源区对入射光进行一次程度较低的放大和一次程度较高的放大，从而综合实现对入射光进行中等程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为 -8dBm到+3dBm)。

[0080] 第二种实施方式

[0081] 第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，使第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行一定程度的放大，需要说明的是，相较于小功率入射光的控制方式，该第一控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小，从而降低对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号的增益；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142 覆盖的光波导内传输的光信号进行一定程度的放大，需要说明的是，相较于小功率入射光的控制方式，该第二控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小，从而降低对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号的增益。此时，半导体光放大器可以通过子有源区依次对入射光进行两次程度居中的放大，从而综合实现对入射光进行中等程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为-8dBm到 +3dBm)。

[0082] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为高功率(比如为-8dBm到+5dBm)时，每个子有源区的工作状态的具体实施方式如下：

[0083] 第一控制信号关闭第一子有源区121，使第一子有源区121处于关闭状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行衰减；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；此时，可以对入射光进行较小程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为-8dBm到+3dBm)。

[0084] 以上为本申请实施例提供的一种半导体光放大器芯片的具体实现方式。在该具体实现方式中，包括两个子有源区，每个子有源区均可以用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节。具体到本申请实施例，第一子有源区121和第二子有源区122可以根据入射光信号的大小以及加载的控制信号来对对应光波导内的光信号的大小进行调节，从而使得半导体光放大器芯片能够满足较大的动态范围的需求。

[0085] 在上述实施例中，是以半导体光放大器芯片包括两个子有源区为例进行说明的，实际上，作为本申请实施例的扩展，为了满足更大的动态范围需求，本申请实施例提供的半导体光放大器芯片也可以包括三个或三个以上的子有源区。作为示例，下面介绍包含3个子有源区的半导体光放大器芯片的具体结构。

[0086] 请参见图2，该图为本申请实施例提供的包括3个子有源区和3个电极的半导体光放大器芯片的结构示意图。

[0087] 在图2中，半导体光放大器芯片包括衬底11，位于衬底11之上的有源区12，位于有源区12之上的光波导13，以及，沿光波导13的长度方向覆盖光波导13的第一电极141、第二电极142和第三电极143。

[0088] 其中，有源区12包括第一子有源区121、第二子有源区122和第三子有源区123。第一电极141与第二电极142之间电隔离，第二电极142与第三电极143之间电隔离。具体的，光波导13的长度方向为光波导13从半导体光放大器芯片的入射端向半导体光放大器芯片的出射端的延伸方向。

[0089] 第一电极141与第一子有源区121对应。当第一电极141沿垂直于第一有源区121所在平面的方向进行投影，该投影位于第一子有源区121内。

[0090] 第二电极142与第二子有源区122对应。当第二电极142沿垂直于第二有源区122所在平面的方向进行投影，该投影位于第二子有源区122内。

[0091] 第三电极143与第三子有源区123对应。当第三电极143沿垂直于第三有源区123所在平面的方向进行投影，该投影位于第三子有源区123内。

[0092] 在上述第一子有源区121、第二子有源区122和第三子有源区123中，其中，每个所述子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号的大小进行调节，至少一个子有源区用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大处理。

[0093] 为了进一步清楚地理解本申请实施例提供的半导体光放大器芯片的工作原理，下面以包括3个子有源区和3个电极的半导体光放大器芯片的工作原理为例进行进一步说明。

[0094] 当半导体光放大器芯片工作时，第一电极141可以根据接收第一控制信号控制第一子有源区121处于不同的工作状态；第二电极142可以根据接收的第二控制信号控制第二子有源区122处于不同的工作状态。第三电极143可以根据接收的第三控制信号控制第三子有源区123处于不同的工作状态。

[0095] 作为示例，根据入射到半导体光放大器芯片的光信号功率的大小，第一子有源区121 和第二子有源区122分别可以用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行吸收或放大，第三子有源区123可以用于对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大。

[0096] 作为更具体示例，下面分别介绍入射到半导体光放大器芯片内的光信号功率不同时，每个子有源区的工作状态。

[0097] 具体示例一

[0098] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为低功率(比如为-24dBm到-14dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极 143将根据第三控制信号控制第三子有源区123处于开启状态，对第三电极143覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；此时，半导体光放大器的每个子有源区均对入射光进行放大，保证半导体光放大器输出的光功率不至于很小，从而保证后续光探测器的灵敏度性能满足要求。

[0099] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为中等功率(比如为-16dBm到-6dBm)时，第一控制信号关闭第一子有源区121，使第一子有源区121处于关闭状态，对第一电极141 覆盖的光波导内传输的光信号进行一定程度的衰减；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极143将根据第三控制信号控制第三子有源区123处于开启状态，对第三电极
143覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；此时，半导体光放大器可以对入射光进行中等程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为-8dBm到+3dBm)。

[0100] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为高功率(比如为-8dBm到+5dBm)时，第一控制信号关闭第一子有源区121，使第一子有源区121处于吸收态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行衰减；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区 122处于关闭状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行衰减；第三电极143 将根据第三控制信号控制第三子有源区123处于开启状态，对第三电极143覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；此时，可以对入射光进行较小程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为-8dBm到+3dBm)。

[0101] 具体示例二

[0102] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为低功率(比如为-24dBm到-14dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极 143将根据第三控制信号控制第三子有源区123处于开启状态，对第三电极143覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；此时，半导体光放大器的每个子有源区均对入射光进行放大，保证半导体光放大器输出的光功率不至于很小，从而保证后续光探测器的灵敏度性能满足要求。

[0103] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为中等功率(比如为-16dBm到-6dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141 覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极143将根据第三控制信号控制第三子有源区123，需要说明的是，相较于小功率入射光的控制方式，该第三控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小，从而降低对第三电极143覆盖的光波导内传输的光信号的增益；此时，半导体光放大器可以对入射光进行中等程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内 (比如为-8dBm到+3dBm)。

[0104] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为高功率(比如为-8dBm到+5dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区 122，需要说明的是，相较于小功率入射光的控制方式，该第二控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小，从而降低对第一电极142覆盖的光波导内传输的光信号的增益；第三电极143将根据第三控制信号控制第三子有源区123，需要说明的是，相较于小功率或中等功率入射光的控制方式，该第三控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小；此时，半导体光放大器可以对入射光进行很小的光功率的增益甚至衰减；此时，可以对入射光进行较小程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为-8dBm到+5dBm)。

[0105] 具体示例三

[0106] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为低功率(比如为-24dBm到-14dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极 143将根据第三控制信号控制第三子有源区123处于开启状态，对第三电极143覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；此时，半导体光放大器的每个子有源区均对入射光进行放大，保证半导体光放大器输出的光功率不至于很小，从而保证后续光探测器的灵敏度性能满足要求。

[0107] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为中等功率(比如为-16dBm到-6dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121处于开启状态，对第一电极141 覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对第二电极142覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极143将根据第三控制信号控制第三子有源区123，需要说明的是，相较于小功率入射光的控制方式，该第三控制信号(偏置电流或者偏置电压)的信号值较小，从而降低对第三电极143覆盖的光波导内传输的光信号的增益；此时，半导体光放大器可以对入射光进行中等程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内 (比如为-8dBm到+3dBm)。

[0108] 当入射到半导体光放大器芯片内的入射光为高功率(比如为-8dBm到+5dBm)时，第一电极141将根据第一控制信号控制第一子有源区121，并且相较于小功率或中等功率入射光的控制方式，该第一控制信号的信号值减小；第二电极142将根据第二控制信号控制第二子有源区122处于开启状态，对对应电极覆盖的光波导内传输的光信号进行放大；第三电极143将根据第三控制信号控制第三子有源区123，并且相较于小功率或中等功率入射光的控制方式，该第三控制信号的信号值一直处于较小的数值；此时，半导体光放大器可以对入射光进行很小的光功率放大甚至衰减；此时，可以对入射光进行较小程度的光功率放大，从而使得后续光探测器接收的光功率能够处于合理的范围区间内(比如为-8dBm到 +5dBm)。

[0109] 以上为本申请实施例提供的另一种半导体光放大器芯片的具体实现方式。在该具体实现方式中，包括三个子有源区。因此，相较于图1所示的半导体光放大器芯片，图2所示的半导体光放大器芯片能够更容易地满足较大动态范围的需求。

[0110] 需要说明，在上述实施例中，是以其包含两个或三个子有源区的半导体光放大器芯片为例进行说明的。实际上，作为本申请实施例的扩展，本申请实施例提供的半导体光放大器芯片只要包括两个或两个以上的子有源区即可实现满足较大的动态范围的需求。具体地说，本申请实施例提供的半导体光放大器芯片包括的子有源区的个数可以为2、3、4等其它整数数值。

[0111] 基于上述提供的一种半导体光放大器芯片，本申请实施例还提供了一种光接收子组件 (Receiver Optical Subassembly，ROSA)，下面将结合附图进行解释和说明。

[0112] 参见图3，该图为本申请实施例提供的光接收子组件的结构示意图。

[0113] 本申请实施例提供的ROSA，包括：多个元部件和电路板301，其中多个元部件包括光插头302、隔离器303、第一透镜304、半导体光放大器芯片305、载板306、第二透镜307、光探测器308和跨阻放大器(Transimpedance Amplifier，TIA)309。

[0114] 电路板301，用于实现多个元部件与外部控制电路之间的电信号传输。在本申请实施例中，电路板301可以为普通的PCB板，也可以为柔性电路板(Flexible Printed Circuit， FPC)。因柔性电路板的厚度和重量均较小，且具有可弯曲性，抗振动冲击性能好，因此，采用FPC板能够减小包含ROSA的产品重量和厚度，且使得产品具有可弯曲性。

[0115] 另外，电路板301可以通过插针或其他连接方式与外部控制电路进行连接。

[0116] 光插头302，用于将光接收子组件与外部的光纤插芯进行固定。

[0117] 第一透镜304，用于汇聚从光纤插芯入射的光信号，并将汇聚的光信号耦合入半导体光放大器芯片305。

[0118] 隔离器303，用于对从光插头302出射的光信号进行光隔离，以保证入射光的单向传输。

[0119] 半导体光放大器芯片305，用于对从第一透镜304耦合入的光信号进行功率调节。而且，半导体光放大器芯片305可以为上述实施例提供的任一种半导体光放大器芯片。

[0120] 载板306，用于承载半导体光放大器芯片305。

[0121] 第二透镜307，用于将从半导体光放大器芯片305出射的光信号进行汇聚，并耦合到光探测器308。

[0122] 光探测器308，用于将收集到的光信号转换为电信号，实现光电信号的转换。

[0123] 跨阻放大器309，用于对光探测器308产生的电信号进行放大，用于信号检测。

[0124] 作为本申请的一可选实施例，当半导体光放大器芯片305支持制冷工作时，如此，为了降低较高的温度对半导体光放大器芯片305的影响，在本申请实施例提供的ROSA中，上述多个元部件中还可以包括：

[0125] 半导体制冷器(Thermo E lectric Cooler，TEC)310，用于为半导体光放大器芯片305 进行温度控制。

[0126] 需要说明的是，半导体制冷器310不是ROSA中必不可少的元部件。若温度的变化将影响半导体光放大器芯片305的正常工作(包括增益和噪声等性能)，则ROSA中需要装设半导体制冷器310；若温度的变化不影响半导体光放大器芯片305的正常工作，则ROSA中不需要装设半导体制冷器310。

[0127] 作为本申请的另一可选实施例，为了使得ROSA满足波分复用场景的要求，在本申请实施例提供的ROSA中，上述多个元部件还可以包括：

[0128] 光解复用器(Optical Demultiplexer，ODMUX)311，位于第二透镜307和光探测器 308之间，用于将入射的光信号按照波长的不同进行区分，实现波长的解复用，并入射到对应的光探测器308中。而且，光解复用器311的结构可以为基于自由空间的解复用器结构，也可以为基于光波导型结构的光解复用器结构。

[0129] 需要说明的是，光解复用器311也不是ROSA中必不可少的元部件。若ROSA应用于波分复用场景，则该ROSA需要装设光解复用器311；若ROSA应用于单波长场景，则该ROSA 不需要装设光解复用器311。

[0130] 作为本申请的又一可选实施例，为了实现ROSA的承载和气密封装，在本申请实施例提供的ROSA中，多个元部件还可以包括：

[0131] ROSA管壳312，用于为上述多个元部件提供承载和气密封装。

[0132] 需要说明的是，ROSA管壳312也不是ROSA中必不可少的元部件。若ROSA不需要承载和气密封装时，则该ROSA可以不包括ROSA管壳312；若ROSA需要承载和气密封装时，则该ROSA可以包括ROSA管壳312。

[0133] 以上为本申请实施例提供的一种ROSA的具体实现方式，在该具体实现方式中，集成在ROSA内的半导体放大器芯片305为上述实施例提供的任一种半导体光放大器芯片。因本申请提供的半导体光放大器芯片305可以通过各个子有源区对光信号大小的调节程度来满足较大的动态范围的需求。因此，在集成有本申请提供的半导体光放大器芯片305的ROSA 中，为了满足较大的动态范围需求，无需同时集成半导体光放大器芯片和可变光可衰减芯片。因此，相较于现有技术中的ROSA，本申请提供的ROSA的尺寸较小，实现了小型化尺寸的ROSA。

[0134] 此外，因ROSA内集成有能够满足较大动态范围的半导体光放大器芯片，包含该ROSA 的光模块的接收端无需再集成可变光可衰减芯片，所以，光模块的接收端无需再采用分立的SOA和VOA器件，因而，不会存在制造SOA和VOA的工艺不兼容的问题，因而，也就能够有效降低光模块接收端的制造成本。

[0135] 而且，本申请提供的半导体光放大器芯片305能够满足较大动态范围，因此，该半导体光放大器芯片305的增益可以根据入射光的功率进行动态调节，如此集成有该半导体光放大器芯片305的ROSA既实现大的动态范围，又能够实现ROSA的小型化，从而最终实现光模块的小型化，使得光模块能够实现QSFP28的封装形态。

[0136] 基于上述实施例提供的一种ROSA，本申请实施例还提供了一种光模块，下面将结合附图进行解释和说明。

[0137] 参见图4，该图为本申请实施例提供的光模块的结构示意图。

[0138] 本申请实施例提供的光模块，包括：控制电路401和光接收子组件402，控制电路401 一端分别连接位于光接收子组件402的半导体光放大器芯片的N个电极，用于分别向N个电极提供驱动信号，以驱动每一电极对应的有源区的子有源区对光信号进行放大或吸收处理。

[0139] 作为另一种实施方式，为了能够对不同的入射光进行合理的增益或衰减，控制电路401 可以根据光接收子组件402提供的与入射光相关的上报信号调整驱动信号，并将调整得到的驱动信号发送至光接收子组件402。

[0140] 其中，光接收子组件402提供的与入射光相关的上报信号可以是光接收子组件402中半导体光放大器芯片的每个电极发出的上报信号，也可以是光接收子组件402中光探测器发出的上报信号，还可以是综合光接收子组件402中半导体光放大器芯片的每个电极发出的上报信号和光探测器发出的上报信号获得的上报信号。

[0141] 作为示例，光模块的控制电路401的一端分别连接位于光接收子组件402的半导体光放大器芯片的N个电极，而另一端连接光探测器，此时，控制电路401还用于接收N个电极中每一电极的上报信号以及光探测器的上报信号，并依据接收到的上报信号调整控制电路401分别下发给N个电极的驱动信号。

[0142] 其中，控制电路401依据接收到的上报信号调整控制电路分别下发给N个电极的驱动信号，可以具体包括：

[0143] 控制电路401从预先配置的上报信号与驱动信号的对应关系中查找与接收到的上报信号相对应的驱动信号；

[0144] 将查找到的驱动信号分别下发给对应的电极。

[0145] 需要说明的是，为了保护半导体光放大器芯片，半导体光放大器芯片内部的能够对光进行放大和吸收的子有源区初始设置为关闭状态，使其吸收入射光，对入射光产生一定的衰减作用，如此，可以降低大功率光入射时，半导体光放大器芯片被损坏的风险。

[0146] 为了便于说明和解释，下面将以包括包括3个子有源区和3个电极的半导体光放大器芯片为例依次详细的描述光模块中控制电路根据不同的上报信号进行控制的工作原理。

[0147] 控制电路401根据光接收子组件402中半导体光放大器芯片的每个电极发出的上报信号进行控制的工作原理，可以具体为：

[0148] 入射光入射到半导体光放大器芯片中，半导体光放大器芯片内部的每个子有源区对应的电极将根据入射光产生第一上报信号，然后将第一上报信号传输至外部控制电路401。

[0149] 然后，控制电路401根据第一上报信号从预先配置的上报信号与驱动信号的对应关系中查找与接收到的上报信号相对应的第一驱动信号，并将查找到的第一驱动信号分别下发给对应的电极。

[0150] 最后，每个电极根据其对应的驱动信号控制器对应的子有源区的工作状态。

[0151] 控制电路401根据光探测器发出的上报信号进行控制的工作原理，可以具体为：

[0152] 入射光入射到半导体光放大器芯片中，半导体光放大器芯片将对入射光进行增益或衰减，输出第一光电流。

[0153] 然后，从半导体光放大器芯片输出的第一光电流，经过光电转换，转换为光信号，并被传输至光探测器，光探测器也会产生一个与入射到光探测器中的光信号对应的第二上报信号，然后第二上报信号经过跨阻放大器的放大之后，经过FPC板传输至外部控制电路401。

[0154] 其次，控制电路401根据第二上报信号从预先配置的上报信号与驱动信号的对应关系中查找与接收到的上报信号相对应的第二驱动信号，并将查找到的第二驱动信号分别下发给对应的电极。

[0155] 然后，每个电极根据其对应的驱动信号控制器对应的子有源区的工作状态。

[0156] 控制电路401根据光接收子组件402中半导体光放大器芯片的每个电极发出的上报信号和光探测器发出的上报信号进行控制的工作原理，可以具体为：

[0157] 入射光入射到半导体光放大器芯片中，半导体光放大器芯片将对入射光进行增益或衰减，输出第一光电流，在此过程中，半导体光放大器芯片的每个子有源区对应的电极还将根据入射光产生的第一上报信号传输至外部控制电路401。

[0158] 然后，从半导体光放大器芯片输出的第一光电流，经过光电转换，转换为光信号，并被传输至光探测器，光探测器也会产生一个与入射到光探测器中的光信号对应的第二上报信号，然后第二上报信号经过跨阻放大器的放大之后，经过FPC板传输至外部控制电路401。

[0159] 其次，控制电路401根据第一上报信号和第二上报信号从预先配置的上报信号与驱动信号的对应关系中查找与接收到的上报信号相对应的第三驱动信号，并将查找到的第三驱动信号分别下发给对应的电极。

[0160] 然后，每个电极根据其对应的驱动信号控制器对应的子有源区的工作状态。

[0161] 以上为本申请实施例提供的一种光模块的具体实现方式，在该具体实现方式中，光模块包括上述实施例提供的任一种ROSA。因ROSA内集成有能够满足较大动态范围的半导体光放大器芯片，因而，在该光模块的接收端无需集成可变光衰减器芯片，因而该光模块不会存在制造半导体光放大器芯片和可变光衰减器芯片的工艺不兼容的问题，因而，也就能够有效降低光模块接收端的制造成本。

[0162] 而且，由于本申请提供的能够能够满足较大动态范围的半导体光放大器芯片，将该半导体光放大器芯片集成到ROSA内部，能够保证ROSA的小尺寸、低成本和高性能。因而，相较于现有的光模块结构(其采用分立的VOA+SOA和ROSA器件)，本申请提供的光模块，将单片集成的SOA芯片集成到ROSA内，无需采用分立的VOA+SOA和ROSA器件形态，因而，能够降低光模块的尺寸和成本，使得光模块能够实现QSFP28(Quad small form-factor pluggabe，四通道SPF接口)28的封装形态。

[0163] 需要说明，本申请实施例提供的光模块可以为各种速率以及各种距离的光模块。例如 100G光模块、40G光模块等等。

[0164] 需要说明，作为本申请实施例的扩展，本申请提供的半导体光放大器芯片不仅可以用于光接收端的ROSA中，也可以应用于光发送端的光发送子组件中，通过控制每段SOA段的工作状态，来控制光发送子组件的出光功率。

[0165] 此外，该SOA芯片结构和控制方式也可以应用于光发送端的激光器芯片中，通过单片集成的方式集成到激光器芯片中。

[0166] 以上为本申请实施例提供的具体实现方式。

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