1.一种电路装置，包括：
感测电路；
第一射频(RF)路径，其通过所述第一RF路径的一个或更多个感测点耦合至所述感测电路，所述第一RF路径包括第一放大电路；以及
至少一个第二RF路径，其通过所述第二RF路径的与所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点对应的一个或更多个感测点耦合至所述感测电路，所述第二RF路径包括第二放大电路，所述第二放大电路是所述第一放大电路的缩小尺寸复制，
其中，所述感测电路适于感测在所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点处感测的所述第一RF路径的一个或更多个操作特性与在所述第二RF路径的所述对应的一个或更多个感测点处感测的所述第二RF路径的一个或更多个参考操作特性之间的差异。
2.根据权利要求1所述的电路装置，其中：
所述第一RF路径的所述一个或更多个操作特性受到操作变量集合的影响；并且所述第二RF路径被配置成使得所述第二RF路径的一个或更多个参考操作特性受到所述操作变量的子集的影响。
3.根据权利要求2所述的电路装置，其中，所述操作变量集合包括以下中的一个或更多个：a)所述第一RF路径/所述第二RF路径的负载；b)所述第一放大电路/所述第二放大电路处的局部温度；c)所述第一放大电路/所述第二放大电路的器件上的热载流子注入(HCI)效应；d)所述第一放大电路/所述第二放大电路上的瞬态效应；e)所述第一放大电路/所述第二放大电路的器件上的浮体效应；f)所述第一RF路径/所述第二RF路径的不同操作模式；以及g)所述第一RF路径/所述第二RF路径的不同操作频率。
4.根据权利要求2所述的电路装置，其中，所述第一放大电路的所述操作特性和所述第二放大电路的所述操作特性根据关于所述操作变量集合的已知映射函数相关。
5.根据权利要求2所述的电路装置，其中，所述一个或更多个操作特性包括以下中的一个或更多个：a)信号调制特性；b)信号线性特性；c)信号失真特性；d)信号幅度特性；e)信号相位特性；f)瞬态响应特性；g)温度特性；以及e)偏置条件，包括偏置电压和偏置电流。
6.根据权利要求2所述的电路装置，其中：
所述第一RF路径被配置成通过耦合至所述第一RF路径的输出节点的匹配阻抗在所述第一RF路径的所述输出节点处发送RF信号，并且
所述第二RF路径被配置成通过耦合至所述第二RF路径的输出节点的终止阻抗在所述第二RF路径的所述输出节点处终止RF信号。
7.根据权利要求6所述的电路装置，其中，所述第一RF路径的所述输出节点耦合至所述第二RF路径的所述输出节点，以将所述第二RF路径的所述RF信号与所发送的RF信号组合。
8.根据权利要求6所述的电路装置，其中，所述第一RF路径的所述输出节点与所述第二RF路径的所述输出节点隔离。
9.根据权利要求6所述的电路装置，其中，所述终止阻抗是电阻器。
10.根据权利要求6所述的电路装置，其中，所述终止阻抗的带宽比所述匹配阻抗的带宽宽。
11.根据权利要求6所述的电路装置，其中，在所述第一RF路径的所述输出节点处看到的阻抗根据所述操作变量集合的一个或更多个操作变量而变化。
12.根据权利要求11所述的电路装置，其中，在所述第一RF路径的所述输出节点处看到的所述阻抗的变化与被配置成耦合至所述输出节点的元件的操作特性的变化对应。
13.根据权利要求12所述的电路装置，其中，所述元件包括以下中的一个或更多个：a)滤波器；b)匹配电路；c)开关；以及d)天线。
14.根据权利要求2所述的电路装置，其中，所述感测电路感测所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点处的与所述第一RF路径的所述一个或更多个操作特性对应的信号，并且感测所述第二RF路径的所述一个或更多个感测点处的与所述第二RF路径的所述一个或更多个参考操作特性对应的信号。
15.根据权利要求14所述的电路装置，其中，所感测的信号是以下中的一个或更多个：
a)电压信号；b)电流信号；以及c)功率信号。
16.根据权利要求14所述的电路装置，其中，所述第一RF路径和所述第二RF路径还包括控制输入，所述控制输入被配置成接收控制信号以影响所述一个或更多个操作特性。
17.根据权利要求16所述的电路装置，其中，所述控制信号基于所感测的信号。
18.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述控制信号还基于应用于所感测的信号的偏移和/或增益参数。
19.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述控制信号是以下中的一个或更多个：
a)模拟控制信号；以及b)连续时间控制信号。
20.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述控制信号是以下中的一个或更多个：
a)数字控制信号；b)采样控制信号；以及c)离散时间控制信号。
21.根据权利要求17所述的电路装置，还包括被配置成生成基于所感测的信号的所述控制信号的控制电路。
22.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述控制信号和所感测的信号根据闭环控制系统操作。
23.根据权利要求22所述的电路装置，其中，所述控制系统包括以下中之一：a)数字控制环路；b)模拟控制环路；以及c)a)和b)的组合。
24.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述控制信号和所感测的信号根据开环系统操作。
25.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第二放大电路的所述缩小尺寸约为所述第一放大电路的尺寸的1/100或更小，例如，所述第二放大电路的电流和功耗约为所述第一放大电路的电流和功耗的1/100或更小。
26.根据权利要求25所述的电路装置，其中，所述第一放大电路和所述第二放大电路分别包括第一共源共栅堆叠和第二共源共栅堆叠。
27.根据权利要求26所述的电路装置，其中，第一共源共栅堆叠的晶体管和第二共源共栅堆叠的晶体管在以下中的一个或更多个方面不同：a)沟道宽度；以及b)沟道长度。
28.根据权利要求26所述的电路装置，其中，所述第二放大电路包括与所述第二堆叠的一个或更多个晶体管串联连接的一个或更多个电阻器，所述一个或更多个电阻器被配置成感测通过所述第二堆叠的电流。
29.根据权利要求28所述的电路装置，其中，所述一个或更多个电阻器经由一个或更多个开关选择性地串联连接至所述第二堆叠的所述一个或更多个晶体管。
30.根据权利要求26所述的电路装置，其中，所述第一共源共栅堆叠和所述第二共源共栅堆叠具有相同的堆叠高度。
31.根据权利要求26所述的电路装置，其中，所述第一共源共栅堆叠和所述第二共源共栅堆叠具有不同的堆叠高度。
32.根据权利要求26所述的电路装置，其中，与所述第一共源共栅堆叠的晶体管相比，所述第二共源共栅堆叠的晶体管经受更小的DC或RF应力。
33.根据权利要求26所述的电路装置，其中：
所述第一共源共栅堆叠被配置成选择性地在待机模式和活动模式之一下操作，以及所述第二共源共栅堆叠被配置成总是在活动模式下操作。
34.根据权利要求26所述的电路装置，其中：
所述第一共源共栅堆叠和所述第二共源共栅堆叠被配置成选择性地在待机模式和活动模式之一下操作，以及
所述第二共源共栅堆叠的所述活动模式在所述第一共源共栅堆叠的所述活动模式之前开始，并且持续贯穿所述第一共源共栅堆叠的所述活动模式。
35.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第一放大电路和所述第二放大电路是可扩展外围放大器。
36.根据权利要求35所述的电路装置，其中，所述可扩展外围放大器的有源可扩展外围段的数目经由所述控制信号控制。
37.根据权利要求35所述的电路装置，其中，所述第二放大电路的可扩展外围段是所述第一放大电路的可扩展外围段的缩小尺寸复制。
38.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第一放大电路和所述第二放大电路是分布式放大器，每个分布式放大器包括经由多个电感器耦合的多个放大级。
39.根据权利要求38所述的电路装置，其中：
所述感测电路还被配置成感测所述第二放大电路的电容值，
基于所感测的电容值生成控制信号以影响所述一个或更多个操作特性。
40.根据权利要求39所述的电路装置，其中，所述控制信号被配置成影响所述第一放大电路的所述多个放大级中的放大级的栅极外围，以基于所感测的所述第二放大电路的电容值来补偿所述放大级的电容值的变化。
41.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第一RF路径和所述第二RF路径各自还包括耦合至所述第一放大电路和所述第二放大电路的相应输出节点的输出信号处理电路。
42.根据权利要求41所述的电路装置，其中，所述第一RF路径和所述第二RF路径各自还包括耦合至所述第一放大电路和所述第二放大电路的相应输入节点的输入信号处理电路。
43.根据权利要求42所述的电路装置，其中，所述输入信号处理电路和所述输出信号处理电路被配置成影响以下中的一个或更多个：a)信号幅度；b)信号相位；以及c)呈现给所述相应输入节点和所述相应输出节点的阻抗。
44.根据权利要求43所述的电路装置，其中，所述输入信号处理电路和所述输出信号处理电路中的一个或两个适于由所述控制信号控制。
45.根据权利要求43所述的电路装置，其中，所述输入信号处理电路和所述输出信号处理电路各自包括以下中的一个或更多个：a)可调谐匹配电路；b)固定匹配；c)可变衰减器；
d)固定衰减器；e)可变移相器电路；以及f)滤波器。
46.根据权利要求45所述的电路装置，其中，所述输入信号处理电路和所述输出信号处理电路中的一个或更多个包括a)数字可调谐电容器(DTC)和b)数字可调谐电感器(DTL)中的一个或更多个。
47.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第一RF路径和所述第二RF路径各自包括被配置成偏置所述第一放大电路和所述第二放大电路中的相应一个的放大器偏置电路。
48.根据权利要求47所述的电路装置，其中，所述放大器偏置电路适于由所述控制信号控制。
49.根据权利要求47所述的电路装置，其中，所述放大器偏置电路包括被配置成向所述第一放大电路和所述第二放大电路中的所述相应一个提供电力的DC/DC转换器或低压差(LDO)调节器。
50.根据权利要求49所述的电路装置，其中，所述DC/DC转换器或所述LDO调节器根据以下中之一被控制：a)包络跟踪方案；以及b)平均功率跟踪方案。
51.根据权利要求47所述的电路装置，其中，所述放大器偏置电路包括用于偏置所述第一放大电路和所述第二放大电路中的所述相应一个的晶体管的栅极偏置电路。
52.根据权利要求47所述的电路装置，其中：
根据共源共栅堆叠来布置所述第一放大电路和所述第二放大电路中的所述相应一个的晶体管，以及
所述栅极偏置电路包括耦合至所述晶体管的栅极电容器，所述栅极电容器被配置成跨所述晶体管均匀地分布RF输出电压。
53.根据权利要求17所述的电路装置，还包括被配置成向所述第一RF路径和所述第二RF路径提供电力的第一电源电压。
54.根据权利要求17所述的电路装置，还包括被配置成向所述第一RF路径提供电力的第一电源电压以及被配置成向所述第二RF路径提供电力的第二电源电压。
55.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第一放大电路和所述第二放大电路各自包括多个级联放大器。
56.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述第一RF路径和所述第二RF路径根据效率提高方案操作。
57.根据权利要求56所述的电路装置，其中，所述效率提高方案包括以下中之一：a)包络跟踪方案；b)平均功率跟踪方案；c)多尔蒂放大方案；以及d)使用非线性部件的线性放大(LINC)方案。
58.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述电路装置部分地或以其整体单片式地集成在集成电路中。
59.根据权利要求58所述的电路装置，其中，将所述第二放大电路在物理上放置得离开所述第一放大电路放置，以排除所述第一放大电路的温度对所述第二放大电路的影响。
60.根据权利要求58所述的电路装置，其中，将所述第二放大电路在物理上放置在由所述第一放大电路使用的所述集成电路的区域附近或内部，以使得所述第一放大电路和所述第二放大电路受到相同温度的影响。
61.根据权利要求58所述的电路装置，其中，所述单片式集成是根据CMOS工艺。
62.根据权利要求61所述的电路装置，其中，所述CMOS工艺包括以下中之一：a)绝缘体上硅(SOI)工艺；b)蓝宝石上硅工艺(SOS)；以及c)体硅工艺。
63.根据权利要求58所述的电路装置，其中，所述至少一个第二RF路径包括多个第二RF路径，每个第二RF路径被配置成使得相应一个或更多个参考操作特性受到所述操作变量的不同子集的影响。
64.根据权利要求17所述的电路装置，其中，所述至少一个第二RF路径包括多个第二RF路径，每个第二RF路径被配置成使得相应一个或更多个参考操作特性受到所述操作变量的不同子集的影响。
65.根据权利要求64所述的电路装置，其中，所述多个第二RF路径中的每个第二RF路径通过所述每个第二RF路径的与所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点的子集对应的一个或更多个感测点耦合至所述感测电路。
66.根据权利要求65所述的电路装置，其中，所述感测电路适于感测在所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点的所述子集处感测的所述第一RF路径的一个或更多个操作特性与在所述每个第二RF路径的所述一个或更多个感测点处感测的所述每个第二RF路径的所述一个或更多个参考操作特性之间的差异。
67.根据权利要求66所述的电路装置，其中，所述感测电路还适于感测两个不同第二RF路径的操作特性之间的差异。
68.根据权利要求64所述的电路装置，其中，所述多个第二RF路径中的第二RF路径没有控制输入。
69.根据权利要求17所述的电路装置，还包括在所述第一放大电路和所述第二放大电路中之一附近的至少一个温度传感器。
70.根据权利要求69所述的电路装置，还包括在所述第一放大电路和所述第二放大电路中的另一个附近的附加温度传感器。
71.根据权利要求69所述的电路装置，其中，所述控制信号中的至少一个控制信号还基于在所述至少一个温度传感器处感测的温度。
72.根据权利要求2所述的电路装置，其中，到所述第二RF路径的输入信号是到所述第一RF路径的输入信号的缩放版本。
73.根据权利要求2所述的电路装置，其中，到所述第二放大电路的输入信号是到所述第一放大电路的输入信号的缩放版本。
74.根据权利要求2所述的电路装置，其中，来自所述第二RF路径的输出信号是来自所述第一RF路径的输出信号的缩放版本。
75.根据权利要求2所述的电路装置，其中，来自所述第二放大电路的输出信号是来自所述第一放大电路的输出信号的缩放版本。
76.根据权利要求72至75中任一项所述的电路装置，其中，所述缩放是一比一缩放。
77.一种电路装置，包括：
感测电路；
第一射频(RF)路径，其通过所述第一RF路径的一个或更多个感测点耦合至所述感测电路，所述第一RF路径包括包含一个或更多个晶体管的第一有源电路；以及至少一个第二RF路径，其通过所述第二RF路径的与所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点对应的一个或更多个感测点耦合至所述感测电路，所述第二RF路径包括包含一个或更多个晶体管的第二有源电路，所述第二有源电路是所述第一有源电路的缩小尺寸复制，
其中，所述感测电路适于感测在所述第一RF路径的所述一个或更多个感测点处感测的所述第一RF路径的一个或更多个操作特性与在所述第二RF路径的所述对应的一个或更多个感测点处感测的所述第二RF路径的一个或更多个参考操作特性之间的差异。
78.根据权利要求77所述的电路装置，其中：
所述第一RF路径的所述一个或更多个操作特性受到操作变量集合的影响；以及所述第二RF路径被配置成使得所述第二RF路径的一个或更多个参考操作特性受到所述操作变量的子集的影响。
79.根据权利要求78所述的电路装置，其中，所述操作变量集合包括以下中的一个或更多个：a)所述第一RF路径/所述第二RF路径的负载；b)所述第一放大电路/所述第二放大电路处的局部温度；c)所述第一放大电路/所述第二放大电路的器件上的热载流子注入(HCI)效应；d)所述第一放大电路/所述第二放大电路上的瞬态效应；e)所述第一放大电路/所述第二放大电路的器件上的浮体效应；f)所述第一RF路径/所述第二RF路径的不同操作模式；
以及g)所述第一RF路径/所述第二RF路径的不同操作频率。
80.根据权利要求78所述的电路装置，其中，所述第一有源电路的所述操作特性和所述第二有源电路的所述操作特性根据关于所述操作变量集合的已知映射函数相关。
81.根据权利要求78所述的电路装置，其中，所述一个或更多个操作特性包括以下中的一个或更多个：a)信号调制特性；b)信号线性特性；c)信号失真特性；d)信号幅度特性；e)信号相位特性；f)瞬态响应特性；g)温度特性；以及e)偏置条件，包括偏置电压和偏置电流。
82.根据权利要求78所述的电路装置，其中，所述第一有源电路包括以下中之一：a)放大器电路；b)功率放大器；c)低噪声放大器(LNA)；d)混合器；e)压控振荡器(VCO)；f)调制器；以及g)解调器。
83.一种用于将根据权利要求1所述的装置用于所述第一RF路径的增益稳定的方法，所述方法包括：
单片式地集成所述装置；
基于所述集成，将所述第二放大电路放置得离开所述第一放大电路；
基于所述放置，将所述第二放大电路与所述第一放大电路热隔离，以及
基于所述热隔离，根据感测的所述第一放大电路和所述第二放大电路的增益差异来控制所述第一放大电路的增益。
84.根据权利要求83所述的方法，其中，所述增益的所述控制包括以下中的一个或更多个：a)控制偏置电压；b)控制到所述第一放大电路和/或所述第二放大电路的输入信号电平；以及c)控制来自所述第一放大电路和/或所述第二放大电路的输出信号电平。
85.根据权利要求83所述的方法，还包括：
基于所述集成，在所述第二放大电路附近提供温度传感器；
基于所述提供，感测所述第二放大电路的温度；以及
基于所述感测，控制所述第二放大电路的增益。
86.一种用于将根据权利要求1所述的装置用于补偿所述第一RF路径的瞬态效应和/或浮体效应的方法，所述方法包括：
单片式地集成所述装置；
在激活所述第一放大电路之前激活所述第二放大电路；
基于所述激活，从所述第二放大电路消除瞬态效应和/或浮体效应；
基于所述消除，提供所述第二RF路径的稳定操作；
激活所述第一放大电路；
感测所述第一RF路径和所述第二RF路径的一个或更多个操作特性之间的差异；以及基于所述感测，控制所述第一RF路径以影响所述第一RF路径的所述一个或更多个操作特性，
其中，所感测的差异包括以下中的一个或更多个：a)偏置电压；b)输出电压；以及c)增益。
87.一种用于将根据权利要求1所述的装置用于补偿所述第一RF路径上的热载流子注入(HCI)效应的方法，所述方法包括：
设计所述第二放大电路以得到减小的应力；
基于所述设计，单片式地集成所述装置；
基于所述设计，减小所述第二放大电路上的HCI效应；以及
基于所述减小，根据感测的所述第一放大电路和所述第二放大电路的偏置电压差异，控制对所述第一放大电路的偏置。
88.根据权利要求87所述的方法，其中，所述第二放大电路的所述设计包括对以下中的一个或更多个进行设计：a)不同的堆叠高度；b)不同的器件宽度；c)不同的器件长度；d)输入信号缩放；e)输出信号缩放；以及f)不同的电源电压。
89.一种用于将根据权利要求1所述的装置用于所述第一RF路径的根据多个不同操作频率的操作的方法，所述方法包括：
单片式地集成所述装置；
使用宽带负载在所述第二RF路径的输出节点处终止所述第二RF路径；
配置所述第一RF路径以在所述多个操作频率中的所选操作频率下操作；
感测所述第一RF路径和所述第二RF路径的一个或更多个操作特性之间的差异；以及基于所述感测，控制所述第一RF路径以减小所述差异，
其中，所感测的差异包括以下中的一个或更多个：a)偏置电压；b)输出电压；c)增益；d)输出阻抗；以及e)输入阻抗。
90.根据权利要求89所述的方法，其中，所述第一RF路径的所述控制包括控制耦合至所述第一放大电路的输出节点/输入节点的输出可调谐匹配电路/输入可调谐匹配电路。
91.根据权利要求89所述的方法，其中，所述宽带负载包括电阻性负载和电感性负载中之一。
92.根据权利要求89所述的方法，
其中，所述宽带负载是可调谐负载，以及
其中，所述第二RF路径的所述终止包括：
对所述可调谐负载进行调谐，以及
基于所述调谐，提供所述第二RF路径的期望频率响应。
93.根据权利要求89所述的方法，其中，所述第二RF路径的所述终止包括将第二RF路径的所述输出节点处的总RF功率基本上吸收到所述宽带负载中。
94.一种用于将根据权利要求1所述的装置用于所述第一RF路径的功率控制的方法，所述方法包括：
单片式地集成所述装置；
确定通过所述第二放大电路的传导路径的电流；以及
基于所述确定，控制所述第一放大电路，从而控制所述第一RF路径的输出节点处的功率。
95.根据权利要求94所述的方法，其中，所述控制包括控制以下中的一个或更多个：a)偏置电压；b)电力电流；c)匹配阻抗；d)输入信号幅度；e)输出信号幅度；以及f)可扩展外围放大器的激活段的数目。
96.根据权利要求94所述的方法，其中，所述确定包括：
选择性地将电阻器与所述第二放大电路的电流传导路径串联耦合；以及
基于所述耦合，确定通过所述第二放大电路的所述传导路径的电流。
97.一种用于将根据权利要求1所述的装置用于所述第一RF路径的失真控制的方法，所述方法包括：
单片式地集成所述装置；
在所述第一RF路径的感测点处感测所述第一RF路径的RF信号的包络信号；
在所述第二RF路径的感测点处感测所述第二RF路径的RF信号的包络信号；
基于所述感测，检测所述第一RF路径的所述感测点处的所述包络信号的压缩；以及基于所述检测，控制所述第一放大电路以消除所述压缩，从而控制所述第一RF路径的失真。
98.一种用于使用根据权利要求1所述的装置的方法，所述方法包括：
单片式地集成所述装置，其中，所述至少一个第二RF路径包括多个第二RF路径；
感测所述多个第二RF路径中的两个不同第二RF路径的操作特性之间的差异；以及基于所述感测，控制所述第一RF路径以影响所述第一RF路径的一个或更多个操作特性。