1.一种脉冲光源，其包括：
半导体二极管，配置为发射光；以及
驱动电路，包含耦接至所述半导体二极管的端子的晶体管，其中所述驱动电路配置为接收单极脉冲且回应于接收到所述单极脉冲而将双极电脉冲施加至所述半导体二极管。
2.如权利要求1的脉冲光源，其中所述双极电脉冲包括具有第一量值及第一极性的第一脉冲，所述第一脉冲后续接着具有相反极性的第二脉冲，所述第二脉冲具有不同于所述第一量值的第二量值。
3.如权利要求2的脉冲光源，其中所述第二量值介于所述第一量值的25％与90％之间。
4.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其进一步包括连接至所述半导体二极管的端子的多个接合导线。
5.如权利要求1的脉冲光源，其进一步包括脉冲发生器，所述脉冲发生器耦接至所述驱动电路且配置为形成所述单极脉冲并将所述单极脉冲输出至所述驱动电路。
6.如权利要求5的脉冲光源，其中所述脉冲发生器、所述驱动电路及所述半导体二极管位于相同印刷电路板上。
7.如权利要求5的脉冲光源，其中所述脉冲发生器、所述驱动电路及所述半导体二极管位于相同基板上。
8.如权利要求5的脉冲光源，其中所述单极脉冲的脉冲长度介于50ps与500ps之间。
9.如权利要求5至8中任意一项的脉冲光源，其中所述脉冲发生器包括第一逻辑门，所述第一逻辑门由两个差分时钟信号形成所述单极脉冲。
10.如权利要求9的脉冲光源，其中所述第一逻辑门包括发射极耦合逻辑门。
11.如权利要求9的脉冲光源，其中所述脉冲发生器进一步包括扇出门，所述扇出门配置为接收单一时钟信号且将四个时钟信号输出至所述第一逻辑门。
12.如权利要求9的脉冲光源，其中所述脉冲发生器进一步包括可调整延迟组件，所述可调整延迟组件配置为使所述单极脉冲的脉冲长度以介于1ps与5ps之间的增量进行变化。
13.如权利要求9的脉冲光源，其中所述晶体管具有连接于所述半导体二极管的阴极与参考电势之间的载流端子且具有耦接至所述第一逻辑门的栅极端子。
14.如权利要求13的脉冲光源，其进一步包括连接于所述晶体管的所述栅极端子与来自所述第一逻辑门的输出端之间的电容器。
15.如权利要求13的脉冲光源，其中所述晶体管包括高电子迁移率场效应晶体管。
16.如权利要求13的脉冲光源，其中所述晶体管配置为持续介于50ps与2ns之间的持续时间来切换高达4安培以穿过所述半导体二极管。
17.如权利要求13的脉冲光源，其进一步包括第二逻辑门，所述第二逻辑门与所述该第一逻辑门并联连接且布置为由所述两个差分时钟信号形成第二单极脉冲，其中来自所述第二逻辑门的输出端耦接至所述晶体管的所述栅极端子。
18.如权利要求13的脉冲光源，其中所述晶体管的漏极端子直接连接至所述半导体二极管的阴极。
19.如权利要求18的脉冲光源，其进一步包括并联连接至所述漏极端子的第一电容器及电阻器。
20.如权利要求18的脉冲光源，其进一步包括连接于所述半导体二极管的阳极与所述晶体管的源极端子之间的第二电容器。
21.如权利要求5的脉冲光源，其中所述脉冲发生器及所述驱动电路配置为以介于约
30Hz与约200MHz之间的重复率用所述双极电脉冲来调变所述半导体二极管。
22.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中回应于所述双极电脉冲的施加而从所述半导体二极管发射具有介于50ps与500ps之间的半峰全宽持续时间的光脉冲。
23.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述光脉冲具有选自以下群组之一的特征波长：270nm、280nm、325nm、340nm、370nm、380nm、400nm、405nm、410nm、450nm、465nm、
470nm、490nm、515nm、640nm、665nm、808nm及980nm。
24.如权利要求22的脉冲光源，其中所述光脉冲的尾部在从所述脉冲的峰值开始经过
250ps之后保持比所述脉冲的峰值低至少20dB。
25.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述半导体二极管包括激光器二极管。
26.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述激光器二极管包含多量子阱。
27.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述半导体二极管是发光二极管。
28.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述半导体二极管是板坯耦合光学波导激光器二极管。
29.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其进一步包括可饱和吸收器，所述可饱和吸收器布置为从所述半导体二极管接收光脉冲。
30.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述可饱和吸收器与所述半导体二极管形成于相同基板中。
31.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其中所述驱动电路包括传输线脉冲发生器。
32.如权利要求31的脉冲光源，其进一步包括以U形状形成的传输线。
33.如权利要求32的脉冲光源，其中所述半导体二极管连接至所述传输线的第一端，且所述脉冲光源进一步包括连接至所述传输线的第二端的端接阻抗。
34.如权利要求33的脉冲光源，其进一步包括短接晶体管，所述短接晶体管布置成将所述传输线的第一端及第二端短接至参考电势。
35.如权利要求1至3中任意一项的脉冲光源，其进一步包括：
光电探测器阵列，所述光电探测器阵列具有多个像素，所述多个像素各自配置为在单一电荷累积间隔期间将光子到达时间区别成至少两个时间仓；以及
光学系统，其布置成在所述光电探测器阵列上形成由所述脉冲光源照射的对象的影像。
36.如权利要求35的脉冲光源，其中所述光电探测器阵列布置为产生表示位于远距离对象处的至少一个荧光分子的荧光寿命的信号。
37.如权利要求36的脉冲光源，其进一步包括信号处理电子器件，所述信号处理电子器件配置为自所述光电探测器阵列接收表示荧光寿命的所述信号，且产生所述对象的电子影像的数字数据，其中所述电子影像指示所述对象基于荧光寿命的至少一个特性。
38.一种产生光脉冲的方法，所述方法包括：
接收至少一个时钟信号；
由所述至少一个时钟信号产生电脉冲；
用所述电脉冲驱动晶体管的栅极端子，其中所述晶体管的载流端子连接至配置为发射光的半导体二极管；以及
回应于藉由所述电脉冲对所述晶体管的启动而将双极电流脉冲施加至所述半导体二极管以产生光脉冲。
39.如权利要求38的方法，其中所述电脉冲是单极脉冲。
40.如权利要求39的方法，其进一步包括调整所述单极脉冲的脉冲持续时间而非脉冲振幅以控制所述光脉冲的振幅。
41.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中所述光脉冲具有介于50ps与2ns之间的半峰全宽持续时间。
42.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中所述光脉冲具有介于50ps与500ps之间的半峰全宽持续时间。
43.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中所述光脉冲具有选自以下群组之一的特征波长：270nm、280nm、325nm、340nm、370nm、380nm、400nm、405nm、410nm、450nm、465nm、
470nm、490nm、515nm、640nm、665nm、808nm及980nm。
44.如权利要求38至40中任意一项的方法，其进一步包括重复接收、产生、驱动及施加的所述动作以便以30Hz与200MHz之间的重复率产生一系列光脉冲。
45.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中所述双极电流脉冲包括具有第一振幅的第一脉冲及具有第二振幅、相反极性且量值不同于所述第一脉冲的第二脉冲。
46.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中所述半导体二极管包括激光器二极管或发光二极管。
47.如权利要求38至40中任意一项的方法，其进一步包括用可饱和吸收器以差分方式使所述光脉冲的一部分衰减。
48.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中接收至少一个时钟信号的所述动作包括：在耦接至所述晶体管的栅极端子的逻辑门处接收两个差分时钟信号。
49.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中接收至少一个时钟信号的所述动作包括：在并联耦接至所述晶体管的栅极端子的两个逻辑门处接收两个差分时钟信号。
50.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中产生所述电脉冲的所述动作包括：用耦接至所述晶体管的栅极端子的逻辑门来处理两个差分时钟信号以形成所述电脉冲。
51.如权利要求50的方法，其进一步包括藉由所述两个差分时钟信号之间的相位延迟来设定所述电脉冲的长度。
52.如权利要求38至40中任意一项的方法，其中产生所述电脉冲的所述动作包括：用并联耦接至所述晶体管的栅极端子的两个逻辑门来处理两个差分时钟信号以形成所述电脉冲。
53.如权利要求38至40中任意一项的方法，其进一步包括：
用来自所述半导体二极管的光脉冲照射样本；以及
探测所述样本的荧光寿命。
54.如权利要求53的方法，其进一步包括在至少两个不同荧光寿命之间进行区分，所述至少两个不同荧光寿命具有与两个不同荧光分子或所述分子所处环境相关联的不同衰变速率，其中所述光脉冲处于单一特征波长。
55.如权利要求53的方法，其进一步包括基于探测到的荧光寿命而判定所述样本的至少一个性质。
56.如权利要求55的方法，其进一步包括：
产生所述样本的区域的电子影像；以及
在所述影像中指示基于荧光寿命的至少一个特性。
57.如权利要求38至40中任意一项的方法，其进一步包括：
用来自所述半导体二极管的光脉冲照射样本；以及
在单一光电探测器的单一电荷累积间隔期间，用所述单一光电探测器将从所述样本向后散射的光子的到达时间区别成至少两个时间仓。
58.如权利要求57的方法，其进一步包括基于所区别的到达时间而产生所述样本的电子三维影像。
59.一种荧光寿命分析系统，其包括：
半导体二极管，配置为发射光；
驱动电路，配置为将双极电流脉冲施加至所述半导体二极管，从而产生光脉冲；
光学系统，布置为将所述光脉冲递送至样本；以及
光电探测器，配置为在所述光电探测器的单一电荷累积间隔期间将光子到达时间区别成至少两个时间仓。
60.如权利要求59的系统，其进一步包括脉冲发生器，所述脉冲发生器布置成将电脉冲提供至电流驱动电路，其中电流驱动电路配置为响应于接收到所述电脉冲而将双极脉冲施加至所述半导体二极管。
61.如权利要求60的系统，其中所述电脉冲是具有介于50ps与2ns之间的持续时间的单极脉冲。
62.如权利要求60或61的系统，其中所述电流驱动电路包括晶体管，所述晶体管具有耦接至来自所述脉冲发生器的输出端的栅极端子，且具有连接于所述半导体二极管的端子与参考电势之间的载流端子。
63.如权利要求62的系统，其进一步包括：
第一电阻器及第一电容器，所述第一电阻器及第一电容器并联连接于所述半导体二极管的阳极与阴极之间；以及
第二电阻器及第二电容器，所述第二电阻器及第二电容器并联连接于所述晶体管的栅极端子与参考电势之间。
64.如权利要求59至61中任意一项的系统，其中所述半导体二极管包括激光器二极管或发光二极管。
65.如权利要求59至61中任意一项的系统，其进一步包括连接至所述半导体二极管的端子的多个接合导线。
66.如权利要求59至61中任意一项的系统，其中所述光脉冲具有介于50ps与500ps之间的半峰全宽持续时间。
67.如权利要求59至61中任意一项的系统，其中所述光脉冲具有选自以下群组之一的特征波长：270nm、280nm、325nm、340nm、370nm、380nm、400nm、405nm、410nm、450nm、465nm、
470nm、490nm、515nm、640nm、665nm、808nm及980nm。
68.如权利要求59至61中任意一项的系统，其进一步包括所述光电探测器所处的光电探测器阵列，所述光电探测器阵列配置为在所述光脉冲的单一电荷累积间隔期间对来自所述样本的荧光进行时间分仓。
69.如权利要求68的系统，其进一步包括位于所述样本与所述光电探测器阵列之间的成像光学器件，其中所述成像光学器件布置为形成由所述光脉冲照射的所述样本在所述光电探测器阵列处的区域的影像。
70.如权利要求69的系统，其中在所述光电探测器阵列处形成的所述影像是所述样本的显微区域的影像。
71.一种脉冲光源，其包括：
半导体二极管，配置为发射光；
第一逻辑门，配置为在所述第一逻辑门的输出端处形成第一脉冲；
驱动电路，耦接至所述第一逻辑门，其中所述驱动电路配置为接收所述第一脉冲且回应于接收到所述第一脉冲而将双极电脉冲施加至所述半导体二极管以产生光脉冲。
72.如权利要求71的脉冲光源，其中所述第一脉冲是单极脉冲。
73.如权利要求72的脉冲光源，其进一步包括耦接至所述第一逻辑门的扇出门及延迟组件，其中所述延迟组件使来自所述扇出门的至少一个输出延迟。
74.如权利要求73的脉冲光源，其中所述延迟组件配置为使所述单极脉冲的脉冲长度以介于1ps与5ps之间的增量变化。
75.如权利要求71至74中任意一项的脉冲光源，其中所述第一逻辑门配置为由两个差分时钟信号形成所述第一脉冲。
76.如权利要求71至74中任意一项的脉冲光源，其中所述双极电脉冲包括具有第一量值及第一极性的第一脉冲，所述第一脉冲续接着具有相反极性的第二脉冲，所述第二脉冲具有不同于所述第一量值的第二量值。
77.如权利要求76的脉冲光源，其中所述第二量值介于所述第一量值的25％与90％之间。
78.如权利要求71至74中任意一项的脉冲光源，其进一步包括连接至所述半导体二极管的端子的多个接合导线。
79.如权利要求75的脉冲光源，其进一步包括第二逻辑门，所述第二逻辑门配置为由所述两个差分时钟信号形成第二脉冲，其中所述第二逻辑门与所述第一逻辑门并联连接且所述第二逻辑门的输出端耦接至所述驱动电路。
80.如权利要求71至74中任意一项的脉冲光源，其进一步包括处于所述驱动电路内的晶体管，所述晶体管具有连接于所述半导体二极管与参考电势之间的载流端子。
81.如权利要求80的脉冲光源，其中所述光脉冲具有介于50ps与2ns之间的持续时间。
82.一种脉冲光源，其包括：
半导体二极管，配置为发射光；以及
驱动电路，包含耦接至所述半导体二极管的端子的晶体管，其中所述驱动电路配置为接收单极脉冲且回应于接收到所述单极脉冲而将双极电脉冲施加至所述半导体二极管，其中所述晶体管与所述半导体二极管并联连接于电流源与参考电势之间。
83.如权利要求82的脉冲光源，其进一步包括并联连接于所述半导体二极管与所述参考电势之间的电阻器及电容器。
84.如权利要求82的脉冲光源，其中所述晶体管配置为正常导通且用所述单极脉冲进行脉冲式关断。
85.如权利要求82至84中任意一项的脉冲光源，其进一步包括：
光电探测器阵列，所述光电探测器阵列具有多个像素，所述多个像素各自配置为在单一电荷累积间隔期间将光子到达时间区别成至少两个时间仓；以及
光学系统，配置为在所述光电探测器阵列上形成由所述脉冲光源照射的对象的影像。
86.一种脉冲光源，其包括：
半导体二极管，配置为发射光；以及
多个第一电路分支，连接至所述半导体二极管的第一端子，每一电路分支皆包括晶体管，所述晶体管具有连接于参考电势与所述半导体二极管的第一端子之间的其载流端子。
87.如权利要求86的脉冲光源，其中所述多个第一电路分支中的第一电路分支的第一参考电势具有不同于多个第一电路分支中的第二电路分支的第二参考电势的值。
88.如权利要求86的脉冲光源，其中多个第一电路分支中的第一电路分支的第一参考电势具有正值，且所述多个第一电路分支中的第二电路分支中的第二参考电势具有负值。
89.如权利要求86的脉冲光源，其进一步包括处于每一电路分支中的电阻器，所述电阻器连接于所述晶体管的载流端子与所述参考电势之间。
90.如权利要求86的脉冲光源，其进一步包括处于每一电路分支中的电容器，所述电容器连接于所述晶体管的载流端子与接地电势之间。
91.如权利要求86至89中任意一项的脉冲光源，其进一步包括：
光电探测器阵列，所述光电探测器阵列具有多个像素，所述多个像素各自配置为在单一电荷累积间隔期间将光子到达时间区别成至少两个时间仓；以及
光学系统，布置成在所述光电探测器阵列上形成由所述脉冲光源照射的对象的影像。
92.一种脉冲光源，其包括：
射频放大器，提供信号及反相信号；
逻辑门，配置为接收所述信号及相移的反相信号且输出脉冲及反相脉冲；
合路器，配置为将所述脉冲及所述反相脉冲合路至共同输出端上；以及
半导体二极管，耦接至所述共同输出端且配置为响应于接收到所述脉冲及所述反相脉冲而产生光脉冲。
93.如权利要求92的脉冲光源，其进一步包括可变衰减器，所述可变衰减器布置成使所述脉冲或所述反相脉冲衰减。
94.如权利要求92的脉冲光源，其进一步包括延迟组件，所述延迟组件布置成使所述脉冲或所述反相脉冲在时间上延迟。
95.如权利要求92的脉冲光源，其进一步包括连接至所述射频放大器的输入端的DC区块。
96.如权利要求92至95中任意一项的脉冲光源，其进一步包括：
光电探测器阵列，所述光电探测器阵列具有多个像素，所述多个像素各自配置为在单一电荷累积间隔期间将光子到达时间区别成至少两个时间仓；以及
光学系统，配置为在所述光电探测器阵列上形成由所述脉冲光源照射的对象的影像。
97.一种脉冲光源，其包括：
射频逻辑门，配置为接收第一信号及所述第一信号的反相版本，且输出脉冲及所述脉冲的反相版本；以及
半导体二极管，连接至所述射频逻辑门且布置成在所述半导体二极管的第一端子处接收所述脉冲并在所述半导体二极管的第二端子处接收所述脉冲的反相版本，且发射光脉冲。
98.如权利要求97的脉冲光源，其进一步包括：
第一放大器，布置成接收周期信号且输出所述第一信号及所述第一信号的反相版本；
以及
移相器，配置为使所述第一信号或所述第一信号的反相版本的相位变化。
99.如权利要求97或98的脉冲光源，其进一步包括：
光电探测器阵列，所述光电探测器阵列具有多个像素，所述多个像素各自配置为在单一电荷累积间隔期间将光子到达时间区别成至少两个时间仓；以及
光学系统，布置成在所述光电探测器阵列上形成由所述脉冲光源照射的对象的影像。