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X波段腔体式梳状谱产生器

阅读:929发布:2020-05-14

专利汇可以提供X波段腔体式梳状谱产生器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种X波段腔体式梳状谱产生器,由固定式谐振杆、带通 滤波器 、负载、 波导 谐振腔 组成;固定式谐振杆安装在所述波导谐振腔内形成输入匹配组件,固定式谐振杆末端 焊接 一节阶跃 二极管 ,所述节阶跃二极管的一端插入波导谐振腔内。本方案采用固定式谐振杆和波导腔体来实现匹配网络及脉冲发生 电路 。固定式谐振杆和波导谐振腔组成的输入匹配激励组件,在确保端口良好阻抗匹配的同时、因其较高的Q值,也保障了高阶谐波的输出功率;波导腔体式的结构,在 散热 方面比传统电路要更好。采用将节阶跃二极管一段焊接在谐振杆上,另一端插入腔体内的结构模式,在一定程度上降低了调试难度,工艺可靠性上更好。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是X波段腔体式梳状谱产生器专利的具体信息内容。

1.一种X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,由固定式谐振杆(1)、带通滤波器(2)、负载(3)、波导谐振腔(4)组成;
所述固定式谐振杆(1)安装在所述波导谐振腔(4)内形成输入匹配组件,所述固定式谐振杆(1)末端焊接一节阶跃二极管(21),所述节阶跃二极管(21)的一端插入波导谐振腔(4)内;
所述带通滤波器(2)、负载(3)分别固定在所述波导谐振腔(4)前后两侧。
2.根据权利要求1所述的X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,所述节阶跃二极管(21)参数选择为:阶跃时间tst:tst≤1/f0;少量寿命τ:τ≥1/2πfi;反向结电容Cj:Cj=l/2πf0xN,其中xN为阻抗电平,规定10Ω3.根据权利要求2所述的X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,所述固定式谐振杆(1)一体设计有第一电感(22)和第二电感(23),所述第一电感(22)、第二电感(23)、阶跃二极管(21)依次串联
4.根据权利要求3所述的X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,所述第一电感(22)和第二电感(23)呈阶梯式结构分布。
5.根据权利要求4所述的X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,所述第一电感(22)为“S”型往复式结构。
6.根据权利要求1所述的X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,所述固定式谐振杆(1)表面处理。

说明书全文

X波段腔体式梳状谱产生器

技术领域

[0001] 本实用新型涉及梳状谱产生器领域,具体涉及一种X波段腔体式梳状谱产生器。

背景技术

[0002] 梳状谱发生器是一种输入一个射频信号就能产生丰富谐波的器件,它利用足够大的功率推动阶跃恢复二极管(Steprecoverydiode,SRD,简称阶跃管)以产生多次谐波,可以得到X波段及以上的频率源。目前利用阶跃管设计梳状谱产生器,常用可调线圈设计匹配网络及脉冲发生电路,将二极管两端焊接在微带电路上,形成微带平面结构。但可调线圈Q值较低,端口匹配较差,使其高阶谐波输出功率不高;且存在调试难度大,散热差,二极管失效后更换较为困难等问题。实用新型内容
[0003] 本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种X波段腔体式梳状谱产生器,采用固定式谐振杆和波导腔体来实现匹配网络及脉冲发生电路。固定式谐振杆和波导谐振腔组成的输入匹配激励组件,在确保端口良好阻抗匹配的同时、因其较高的Q值,也保障了高阶谐波的输出功率;波导腔体式的结构,在散热方面比传统电路要更好。采用将节阶跃二极管一段焊接在谐振杆上,另一端插入腔体内的结构模式,在一定程度上降低了调试难度,工艺可靠性上更好。
[0004] 本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
[0005] 一种X波段腔体式梳状谱产生器,由固定式谐振杆、带通滤波器、负载、波导谐振腔组成;
[0006] 所述固定式谐振杆安装在所述波导谐振腔内形成输入匹配组件,所述固定式谐振杆末端焊接一节阶跃二极管,所述节阶跃二极管的一端插入波导谐振腔内;
[0007] 所述带通滤波器、负载分别固定在所述波导谐振腔前后两侧。
[0008] 作为本实用新型的进一步改进,所述节阶跃二极管参数选择为:阶跃时间tst:tst≤1/f0;少量寿命τ:τ≥1/2πfi;反向结电容Cj:Cj=l/2πf0xN,其中xN为阻抗电平,规定10Ω
[0009] 进一步的,所述固定式谐振杆一体设计有第一电感和第二电感,所述第一电感、第二电感、阶跃二极管依次串联。通过阶梯式结构设计,实现两组不同的电感量。该谐振杆通过一体式设计,将两组电感与阶跃二极管进行串联,减小了分立器件焊接所带来的损耗。
[0010] 进一步的,所述第一电感为“S”型往复式结构,通过S型往复式结构设计,在同等长度的情况下,增加了信号的传播长度,在保证了该组电感的电感量的同时。有效的增加导体的表面积,从而克服高频信号趋肤效应的影响,使得Q值比相同截面积的电感高30%~40%。
[0011] 进一步的,所述固定式谐振杆表面处理,该谐振杆整体采用表面镀银处理,能够增加导体的导电系数,即减小电感直流电阻,从而使得该谐振杆具有较常规可调线圈高50%~60%的Q值。
[0012] 本实用新型的有益效果是:
[0013] 1、固定式谐振杆和波导谐振腔组成的输入匹配激励组件,一方面利用谐振杆与腔体间配合,形成匹配网络,使得确保端口良好阻抗匹配,另一方面利用较高的Q值,保障了高阶谐波的输出功率;
[0014] 2、波导腔体式的结构,与传统平面结构相比有更大的导热面,所以在散热方面比传统平面结构电路要更好。
[0015] 3、采用将节阶跃二极管一段焊接在谐振杆上,另一端插入腔体内的结构模式,在一定程度上降低了调试难度,工艺可靠性上更好。附图说明
[0016] 图1为本实用新型侧视图;
[0017] 图2为本实用新型主视图;
[0018] 图3为本实用新型俯视图;
[0019] 图4为波导谐振腔结构示意图;
[0020] 图5为固定式谐振杆的结构示意图;
[0021] 图6为带通滤波器的剖面图;
[0022] 图7为本实用新型仿真测试图;
[0023] 图8为本实用新型带通滤波器仿真图;
[0024] 图9为本实用新型固定式谐振杆的等效电路图;
[0025] 图10为本实用新型节阶跃二极管Spice模型图;
[0026] 图11为本实用新型等效电路。

具体实施方式

[0027] 下面结合具体实施例进一步详细描述本实用新型的技术方案,但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0028] 如图1-3所示,一种X波段腔体式梳状谱产生器,其特征在于,由固定式谐振杆1、带通滤波器2、负载3、波导谐振腔4组成;固定式谐振杆1安装在波导谐振腔4内形成输入匹配组件,定式谐振杆1末端焊接一节阶跃二极管21,节阶跃二极管21的一端插入波导谐振腔4内;带通滤波器2、负载3分别固定在波导谐振腔4前后两侧。
[0029] 即由固定式谐振杆1和波导谐振腔4组成输入匹配激励组件。
[0030] 其中固定式谐振杆1的等效电路如图9所示,图中Rg=50Ω,Rin=ωiL=2πfinL,fin为输入频率,L为激励电
感量。
[0031] 通过参数上述参数的计算,结构实际使用材料,得出固定式谐振杆1外形图如图5所示。
[0032] 固定式谐振杆1一体设计有第一电感22和第二电感23,所述第一电感22、第二电感23、阶跃二极管21依次串联。第一电感22和第二电感23呈阶梯式结构分布,即两者一上一下间隔设置形成两级阶梯式。其中,第一电感22为“S”型往复式结构,固定式谐振杆1表面镀银处理。
[0033] 波导谐振腔4为阶跃二极管提供激励电感和调谐电容
[0034]
[0035] 式中:ξ为衰减因子,为简化计算一般取0.3,tP为理想脉冲宽度。
[0036] 节阶跃二极管21参数选择为:阶跃时间tst:tst≤1/f0;少量寿命τ:τ≥1/2πfi;反向结电容Cj:Cj=l/2πf0xN,其中xN为阻抗电平,规定10Ω
[0037] 此外,阶跃二极管的参数还有输入功率等。由于作为本振用的小功率倍频器,[0038] 一般的阶跃二极管都能满足要求,因此这里不予考虑。通过参数上述参数的计算,最终选用MA-COM公司提供的SRD器件MMD820-C12,其反向结电容为1.7P,阶跃时间为95ps,少量寿命为60ns,符合设计参数要求,其Spice模型如图10所示。
[0039] 如图6所示,带通滤波器通过腔体内的凹槽,形成谐振电路,对频带进行选择,对其等效电路进行仿真,得到仿真结果如见图8
[0040] 输入信号经过外部偏置电路,传输到由固定式谐振杆和波导谐振腔组成的输入匹配激励组件,匹配激励组件一方面是为了与输入信号源内阻阻抗实现共轭匹配,保证输入电压有效的加到阶跃管上。另一方面起到激励电感和调谐电容的作用,使得阶跃管在导通时存储能量,而在截至瞬间将能量转换为脉冲能量,并使得二极管输入端的阻抗为纯电阻性阻抗。阶跃二极管在信号源和匹配激励组件的共同作用下,将输入信号的能量转变为一个狭窄的具有丰富谐波的大幅度脉冲,其原理图参考图11,使用频谱测试仪对本实施例进行测试,得到测试参数如图7所示,其数据见下表。
[0041]
[0042]
[0043] 以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
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