专利汇可以提供一种低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种低压触发高维持 电压 可控 硅 整流器 静电释放器件,包括P型衬底;P型衬底中设有第一N阱、P阱;第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区;P阱中设有第二N阱、第三N+注入区、第三N阱、第二P+注入区;第一N阱和P阱之间跨接有第二N+注入区;第二N+注入区和第三N+注入区之间为 多晶硅 栅;第二N+注入区、多晶硅栅、第三N+注入区构成寄生MOSFET场效应管结构。本发明通过在P阱中加入两个N阱,使得寄生NPN的发射极面积增大,以增加失效 电流 ;另外器件在击穿导通后能够使得电流泄放路径增长,流经的阱 电阻 增大,能够使得器件更加快速开启,从而提高器件的维持电压和失效电流,可有效避免闩 锁 效应。,下面是一种低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件专利的具体信息内容。
1.一种低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件,其特征在于:包括P型衬底;
所述P型衬底中设有第一N阱、P阱,且第一N阱右侧与P阱左侧连接;
所述第一N阱中从左至右依次设有第一N+注入区、第一P+注入区;
所述P阱中从左至右依次设有第二N阱、第三N+注入区、第三N阱、第二P+注入区,其中第三N+注入区横跨在第三N阱左侧与P阱交界处;
所述第一N阱和P阱之间跨接有第二N+注入区,且第二N+注入区的右侧位于第二N阱的上方;
所述第二N+注入区和第三N+注入区之间为多晶硅栅;
所述第一N+注入区、第一P+注入区连接在一起并作为器件的阳极;所述多晶硅栅、第三N+注入区、第二P+注入区连接在一起并作为器件的阴极;
所述第二N+注入区、多晶硅栅、第三N+注入区构成寄生MOSFET场效应管结构。
2.根据权利要求1所述的低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件,其特征在于:所述第一N+注入区左侧和P型衬底左侧边缘之间为第一场氧隔离区,第一N+注入区右侧与第一P+注入区左侧连接,第一P+注入区右侧和第二N+注入区左侧之间为第二场氧隔离区,第二N+注入区右侧和第三N+注入区左侧之间为多晶硅栅,第三N+注入区右侧和第二P+注入区左侧之间为第三场氧隔离区,第二P+注入区右侧和P型衬底右侧边缘之间为第四场氧隔离区。
3.根据权利要求2所述的低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件,其特征在于:当高压ESD脉冲来到器件阳极,器件阴极接地电位时,所述第一P+注入区、第一N阱、P阱构成一纵向PNP三极管结构,同时所述第一N阱、P阱和第三N+注入区构成一横向NPN三极管结构,纵向PNP三极管结构的基极与横向NPN三极管结构的集电极通过N阱的寄生电阻相连,而横向NPN三极管结构的基极与纵向PNP三极管结构的集电极通过P阱的寄生电阻相连,即所述的纵向PNP三极管结构和所述的横向NPN三极管结构形成背靠背的两个BJT晶体管结构,即SCR结构。
4.根据权利要求3所述的低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件,其特征在于:当ESD高压脉冲来到器件阳极,器件阴极接地电位时,所述多晶硅栅接地电位,所述第二N+注入区与P阱发生雪崩击穿,由于第二N阱和第三N阱的存在,器件在击穿导通后电流泄放路径发生改变,电流从第二N阱和第三N阱下方通过,使得电流泄放路径增长。
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