专利汇可以提供通过锂化和脱锂的可调谐铌酸锂谐振器和滤波器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种表面 声波 (SAW)装置(100)包括: 硅 衬底(108);由铌酸锂形成的压电衬底(102);插置在所述硅衬底与所述压电衬底之间的 氧 化 铝 层(110);所述压电衬底上的至少一个 电极 (104、106)。被构造成改变所述压电衬底的充电中心的 调谐 电路 (120)可以包括可调谐 电阻 器 (124)和/或 电压 源(122)。,下面是通过锂化和脱锂的可调谐铌酸锂谐振器和滤波器专利的具体信息内容。
1.一种表面声波(SAW)装置,其包括:
具有主表面的硅衬底;
由铌酸锂形成的压电衬底;
插置在所述硅衬底与所述压电衬底之间的金属氧化物层;以及
所述压电衬底上的至少一个电极。
2.根据权利要求1所述的SAW装置,其中,所述金属氧化物层由氧化铝形成。
3.根据权利要求2所述的SAW装置,其中,所述至少一个电极包括至少一对叉指式换能器。
4.根据权利要求1所述的SAW装置,其还包括被构造成改变所述压电衬底的充电中心的调谐电路。
5.根据权利要求4所述的SAW装置,其中,所述调谐电路包括电连接到所述压电衬底的电阻器和电压源中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的SAW装置,其中,所述电阻器是可调谐电阻器。
7.根据权利要求4所述的SAW装置,其中,所述调谐电路包括电压源,所述电压源被构造成向所述压电衬底施加预定电压。
8.根据权利要求3所述的SAW装置,其还包括在所述压电衬底上定位在所述至少一对叉指式换能器的相对侧面上的一对反射器。
10.一种制作可调谐表面声波(SAW)装置的方法,所述方法包括:
在硅衬底上沉积金属氧化物层;
将压电衬底附接到所述金属氧化物层,所述压电衬底由铌酸锂形成;以及在所述压电衬底与所述金属氧化物层相对的侧面上形成至少一个电极。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述金属氧化物层是氧化铝层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述氧化铝层使用原子层沉积过程沉积。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述至少一个电极包括至少一对叉指式换能器。
14.根据权利要求11所述的方法,其还包括:
将调谐电路连接到所述压电衬底,所述调谐电路被构造成选择性地改变所述压电衬底的充电中心。
15.一种操作可调谐表面声波(SAW)装置的方法,所述方法包括:
将调谐电路电连接到所述可调谐SAW装置,所述可调谐SAW装置包括:
硅衬底;
由铌酸锂形成的压电衬底;以及
插置在所述硅衬底与所述压电衬底之间的氧化铝层;
在所述压电衬底上在所述压电衬底与所述氧化铝层相对的侧面上的至少一个电极,激活所述调谐电路以选择性地改变所述压电衬底的充电中心,以便改变所述SAW装置的谐振频率。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述调谐电路包括电连接到所述压电衬底的电阻器和电压源中的至少一者。
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