1.一种像素单元，其包括：
第一光电二极管，其安置在半导体材料中；
第二光电二极管，其安置在所述半导体材料中，其中所述第二光电二极管是外光电二极管，且所述第一光电二极管是内光电二极管，使得所述第二光电二极管在所述半导体材料中横向环绕所述第一光电二极管，其中所述第二光电二极管在所述半导体材料中具有接近所述第一光电二极管的外周界的内周界，其中所述第一光电二极管及所述第二光电二极管适于响应于入射光而光生图像电荷；
浮动扩散部，其安置在所述半导体材料中，接近所述第二光电二极管的外周界；
第一转移栅极，其接近所述半导体材料而安置在介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一沟道区域上方，其中所述第一转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管；及
第二转移栅极，其接近所述半导体材料而安置在介于所述第二光电二极管与所述浮动扩散部之间的第二沟道区域上方，其中所述第二转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第二光电二极管转移到所述浮动扩散部。
2.根据权利要求1所述的像素单元，其进一步包括：
第一p阱区域，其安置在所述半导体材料中介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，以将所述第一光电二极管与所述第二光电二极管彼此隔离；及第二p阱区域，其安置在所述半导体材料中环绕所述第二光电二极管，以隔离所述第二光电二极管。
3.根据权利要求1所述的像素单元，其进一步包括浅沟槽隔离STI区域，所述STI区域安置在所述半导体材料中介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，以将所述第一光电二极管与所述第二光电二极管彼此隔离。
4.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述第二光电二极管在所述第二光电二极管的与所述第一转移栅极及所述第二转移栅极横向相对的侧上的区域中包含间隙，使得所述第二光电二极管中的掺杂剂浓度远离所述第一转移栅极及所述第二转移栅极朝向所述间隙而减小。
5.根据权利要求4所述的像素单元，其中所述间隙从所述第二光电二极管的输出周界朝向所述第二光电二极管的所述内周界横向延伸。
6.根据权利要求5所述的像素单元，其中所述间隙从所述第二光电二极管的所述外周界完全地延伸到所述第二光电二极管的所述内周界。
7.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述入射光穿过所述半导体材料的背侧被引导到所述第一光电二极管及所述第二光电二极管。
8.根据权利要求1所述的像素单元，其中所述第一光电二极管是n型钉扎光电二极管NPPD，所述NPPD包括：
浅区域，其位于所述半导体材料中，接近所述半导体材料的前侧；及
深区域，其位于所述半导体材料中，在所述浅区域下面且介于所述第一光电二极管的所述浅区域与所述半导体材料的背侧之间，且
其中所述第二光电二极管是n型钉扎光电二极管NPPD，所述NPPD包括：
第一浅区域，其位于所述半导体材料中，接近所述间隙且接近所述半导体材料的所述前侧；及
第二浅区域，其位于所述半导体材料中，接近所述第一转移栅极及所述第二转移栅极且接近所述半导体材料的所述前侧；及
深区域，其位于所述半导体材料中，在所述第二光电二极管的所述第一浅区域及所述第二浅区域下面且介于所述第一浅区域及所述第二浅区域与所述半导体材料的所述背侧之间。
9.根据权利要求8所述的像素单元，其中所述第二光电二极管的所述第二浅区域包含虚拟相位植入，使得所述第二光电二极管的所述第二浅区域具有比所述第二光电二极管的所述第一浅区域高的掺杂剂浓度，从而促成所述第二光电二极管中的电场梯度，所述电场梯度在所述第二光电二极管中将电子朝向所述第一转移栅极及所述第二转移栅极而驱动。
10.根据权利要求7所述的像素单元，其进一步包括背侧深沟槽隔离BDTI结构，所述BDTI结构安置在所述半导体材料中，从所述半导体材料的所述背侧朝向所述半导体材料的前侧延伸，以将所述第一光电二极管与所述第二光电二极管隔离。
11.根据权利要求7所述的像素单元，其进一步包括微透镜，所述微透镜安置在所述半导体材料的所述背侧上方且在所述第一光电二极管及所述第二光电二极管上方居中，其中所述微透镜具有马鞍形横截面，所述马鞍形横截面包含：
较薄内区域，其在所述第一光电二极管上方对准，使得通过所述较薄内区域的所述入射光从所述微透镜被引导穿过所述半导体材料的所述背侧进入到所述第一光电二极管中；
及
较厚外区域，其环绕所述较薄内区域且在所述第二光电二极管上方对准，使得通过所述较厚外区域的所述入射光由所述微透镜聚焦穿过所述半导体材料的所述背侧进入到所述第二光电二极管中。
12.根据权利要求1所述的像素单元，其进一步包括：
复位晶体管，其耦合到所述浮动扩散部以响应于复位信号而将所述像素单元复位；
放大器晶体管，其具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子以响应于所述浮动扩散部中的所述图像电荷而产生图像数据信号；及
行选择晶体管，其耦合到所述放大器晶体管以响应于行选择信号而将所述图像数据信号输出到输出位线。
13.根据权利要求12所述的像素单元，其进一步包括：
双浮动扩散晶体管，其耦合在所述浮动扩散部与所述复位晶体管之间；及电容器，其耦合到所述双浮动扩散晶体管，其中所述双浮动扩散晶体管适于响应于双浮动扩散信号而将所述电容器耦合到所述浮动扩散部。
14.根据权利要求12所述的像素单元，其中所述复位晶体管、所述第一转移栅极及所述第二转移栅极全部适于被接通，且接着在所述入射光积分于所述第一光电二极管及所述第二光电二极管中之前被同时关断，以将所述浮动扩散部以及所述第一光电二极管及所述第二光电二极管复位。
15.根据权利要求14所述的像素单元，其中所述第二转移栅极适于被接通，且接着在所述入射光由所述第二光电二极管积分之后被关断，以读出所述第二光电二极管中光生的所述图像电荷，以进行较低强度入射光从所述第二光电二极管的高转换增益HCG读出。
16.根据权利要求15所述的像素单元，其中所述第一转移栅极及所述第二转移栅极进一步适于在所述较低强度入射光从所述第二光电二极管的所述HCG读出之后且在所述入射光由所述第一光电二极管积分之后被同时接通，以将所述第一光电二极管中光生的所述图像电荷转移到所述第二光电二极管，及读出从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管的所述图像电荷，以进行较高强度入射光从所述第一光电二极管的低转换增益LCG读出。
17.根据权利要求15所述的像素单元，其中所述复位晶体管进一步适于被接通以将所述浮动扩散部复位，之后接通所述第二转移栅极以进行所述HCG读出。
18.根据权利要求16所述的像素单元，其中所述复位晶体管及所述第二转移栅极两者进一步适于在所述HCG读出之后被同时接通，以在所述HCG读出之后且在所述第一转移栅极及所述第二转移栅极被同时接通之前将所述浮动扩散部及所述第二光电二极管复位以进行所述LCG读出。
19.一种高动态范围HDR成像系统，其包括：
像素单元的像素阵列，其中所述像素单元中的每一者包含：
第一光电二极管，其安置在半导体材料中；
第二光电二极管，其安置在所述半导体材料中，其中所述第二光电二极管是外光电二极管，且所述第一光电二极管是内光电二极管，使得所述第二光电二极管在所述半导体材料中横向环绕所述第一光电二极管，其中所述第二光电二极管在所述半导体材料中具有接近所述第一光电二极管的外周界的内周界，其中所述第一光电二极管及所述第二光电二极管适于响应于入射光而光生图像电荷；
浮动扩散部，其安置在所述半导体材料中，接近所述第二光电二极管的外周界；
第一转移栅极，其接近所述半导体材料而安置在介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一沟道区域上方，其中所述第一转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管；及
第二转移栅极，其接近所述半导体材料而安置在介于所述第二光电二极管与所述浮动扩散部之间的第二沟道区域上方，其中所述第二转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第二光电二极管转移到所述浮动扩散部；
控制电路，其耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作；及
读出电路，其耦合到所述像素阵列以从多个像素读出图像数据。
20.根据权利要求19所述的HDR成像系统，其进一步包括耦合到所述读出电路以存储来自所述像素阵列的所述图像数据的功能逻辑。
21.根据权利要求19所述的HDR成像系统，其中每一像素单元进一步包括：
第一p阱区域，其安置在所述半导体材料中介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，以将所述第一光电二极管与所述第二光电二极管彼此隔离；及第二p阱区域，其安置在所述半导体材料中环绕所述第二光电二极管，以隔离所述第二光电二极管。
22.根据权利要求19所述的HDR成像系统，其中每一像素单元进一步包括浅沟槽隔离STI区域，所述STI区域安置在所述半导体材料中介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间，以将所述第一光电二极管与所述第二光电二极管彼此隔离。
23.根据权利要求19所述的HDR成像系统，其中所述第二光电二极管在所述第二光电二极管的与所述第一转移栅极及所述第二转移栅极横向相对的侧上的区域中包含间隙，使得所述第二光电二极管中的掺杂剂浓度远离所述第一转移栅极及所述第二转移栅极朝向所述间隙而减小。
24.根据权利要求23所述的HDR成像系统，其中所述间隙从所述第二光电二极管的输出周界朝向所述第二光电二极管的所述内周界横向延伸。
25.根据权利要求24所述的HDR成像系统，其中所述间隙从所述第二光电二极管的所述外周界完全地延伸到所述第二光电二极管的所述内周界。
26.根据权利要求19所述的HDR成像系统，其中所述入射光穿过所述半导体材料的背侧被引导到所述第一光电二极管及所述第二光电二极管。
27.根据权利要求26所述的HDR成像系统，其中所述第一光电二极管是n型钉扎光电二极管NPPD，所述NPPD包括：
浅区域，其位于所述半导体材料中，接近所述半导体材料的前侧；及
深区域，其位于所述半导体材料中，在所述浅区域下面且介于所述第一光电二极管的所述浅区域与所述半导体材料的所述背侧之间，且
其中所述第二光电二极管是n型钉扎光电二极管NPPD，所述NPPD包括：
第一浅区域，其位于所述半导体材料中，接近所述间隙且接近所述半导体材料的所述前侧；及
第二浅区域，其位于所述半导体材料中，接近所述第一转移栅极及所述第二转移栅极且接近所述半导体材料的所述前侧；及
深区域，其位于所述半导体材料中，在所述第二光电二极管的所述第一浅区域及所述第二浅区域下面且介于所述第一浅区域及所述第二浅区域与所述半导体材料的所述背侧之间。
28.根据权利要求27所述的HDR成像系统，其中所述第二光电二极管的所述第二浅区域包含虚拟相位植入，使得所述第二光电二极管的所述第二浅区域具有比所述第二光电二极管的所述第一浅区域高的掺杂剂浓度，从而促成所述第二光电二极管中的电场梯度，所述电场梯度在所述第二光电二极管中将电子朝向所述第一转移栅极及所述第二转移栅极而驱动。
29.根据权利要求26所述的HDR成像系统，其中每一像素单元进一步包括背侧深沟槽隔离BDTI结构，所述BDTI结构安置在所述半导体材料中，从所述半导体材料的所述背侧朝向所述半导体材料的前侧延伸，以将所述第一光电二极管与所述第二光电二极管隔离。
30.根据权利要求26所述的HDR成像系统，其中每一像素单元进一步包括微透镜，所述微透镜安置在所述半导体材料的所述背侧上方且在所述第一光电二极管及所述第二光电二极管上方居中，其中所述微透镜具有马鞍形横截面，所述马鞍形横截面包含：
较薄内区域，其在所述第一光电二极管上方对准，使得通过所述较薄内区域的所述入射光从所述微透镜被引导穿过所述半导体材料的所述背侧进入到所述第一光电二极管中；
及
较厚外区域，其环绕所述较薄内区域且在所述第二光电二极管上方对准，使得通过所述较厚外区域的所述入射光由所述微透镜聚焦穿过所述半导体材料的所述背侧进入到所述第二光电二极管中。
31.根据权利要求19所述的HDR成像系统，其中每一像素单元进一步包括：
复位晶体管，其耦合到所述浮动扩散部以响应于复位信号而将所述像素单元复位；
放大器晶体管，其具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子以响应于所述浮动扩散部中的所述图像电荷而产生图像数据信号；及
行选择晶体管，其耦合到所述放大器晶体管以响应于行选择信号而将所述图像数据信号输出到耦合到所述读出电路的输出位线。