Manufacture of semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To enable a gate electrode to be formed thickly without changing a gate length by forming a recess, depositing an insulation film, providing an opening, and then achieving deposition from a skew direction when depositing a gate electrode metal.
CONSTITUTION: After forming a recess 4, an insulation film 6 is clad over an entire surface of a wafer. Then, the insulation film 6 is etched by the dry etching method such as RIEB and an opening 7 is formed at a bottom part of the recess in self-aligned manner. The wafer at the opening is slightly etched, a gate electrode metal 5 is deposited from vertical and skew directions, and then an unneeded metal on a resist A3 is eliminated by the lift-off method.
COPYRIGHT: (C)1992,JPO&Japio，下面是Manufacture of semiconductor device专利的具体信息内容。
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