一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法
专利汇可以提供一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种利用 碳 化 硅 外延 生长 设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把 石墨 载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设 温度 ，保持外延生长室压 力 为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。，下面是一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法专利的具体信息内容。
1.一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，包括步骤：
A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；
B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；
C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为
600℃～800℃；
D.重复预设次数的步骤B、C；
E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；
F.取出石墨载盘。
2.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，在步骤A之前还包括步骤：
A1.在石墨载盘上表面开设用于放置衬底片的定位槽。
3.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第一预设温度为1650℃。
4.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第一预设压力为200托。
5.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第二预设温度为700℃。
6.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，步骤D中，所述预设次数为2次～3次。
7.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，步骤F前还包括步骤：
F1.把石墨载盘翻转180°，并重复步骤B～E。
8.根据权利要求7所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，把石墨载盘翻转180°后、重复步骤B～E前，把石墨载盘1绕中心轴转动180°。
9.根据权利要求1所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，步骤F后还包括步骤：
G.将外延生长室重新升温至第三预设温度，保持外延生长室压力为第二预设压力，以氢气为载气通入清洗气体，对生长室进行清洗；第三预设温度为1550℃～1750℃，第二预设压力为150托～250托。
10.根据权利要求9所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，其特征在于，所述第三预设温度为1650℃，所述第二预设压力为200托，所述清洗气体包括HCl气体。
一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法
技术领域
背景技术
外延工艺，具体是把衬底放在反应室内加热，并通入含硅反应气体进行高温反应，使含硅反
应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底片表面上外延生长。
出杂质元素，需要用涂层将石墨载盘覆盖。
合不够牢固，容易在热循环中脱落。
落，那么可以提高石墨载盘的使用寿命；而且制备SiC涂层的原料价格较低，可降低制备成
本，如果能够使用现成碳化硅外延生长设备进行制备，那么还可以进一步降低成本。
发明内容
A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；
B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为
载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度
为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；
C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为
600℃～800℃；
D.重复预设次数的步骤B、C；
E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；
F.取出石墨载盘。
所述的利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法中，步骤F后还包括步骤：
G.将外延生长室重新升温至第三预设温度，保持外延生长室压力为第二预设压力，以
氢气为载气通入清洗气体，对生长室进行清洗；第三预设温度为1550℃～1750℃，第二预设
压力为150托～250托。
1.在石墨载盘上制备SiC涂层，以取代昂贵的TaC涂层，降低了制备成本；
2.采用现成的碳化硅外延生长设备来对石墨载盘制备SiC涂层，无需另外配置专门的
涂层制备设备，可进一步降低成本；
3.经多次升温、覆盖、降温的循环，可大大地提高SiC涂层与石墨载盘结合的牢固程度，
大大地提高了石墨载盘的使用寿命。
附图说明
具体实施方式
考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于
描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是
为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，
本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他
工艺的应用和/或其他材料的使用。
A. 把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室。
4上，以便加热片对石墨载盘1进行加热。
温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托。
间为t1，该阶段持续通入氢气、硅源和碳源。t1优选为90min～110min，其形成的单层SiC层
的厚度比较适中，得到的SiC涂层的质量较好。
入氢气并关闭硅源和碳源。当单层沉积完成后，在第二预设温度T2的环境下进行定型，可提
高涂层与石墨载盘1之间的结合力。t2优选为90min～110min。
可大大地提高整个SiC涂层与石墨载盘之间的结合的牢固程度。
延生长设备，所用的石墨载盘1的底面没有包覆SiC涂层也不会影响对衬底片的外延层质
量。
行SiC涂层的制备；对于这种石墨载盘1，步骤F前还包括步骤：F1.把石墨载盘翻转180°，并
重复步骤B～E。通过翻转石墨载盘1，使其底面朝上，再重复步骤B～E，可在石墨载盘1底面
形成SiC涂层。
的周面也是需要覆盖SiC涂层的，而在背风方向一侧的周面形成的SiC涂层会比迎风方向一
侧的薄，在石墨载盘1翻转后把石墨载盘1的前后方向调转，可有效地把原先较薄的涂层加
厚，从而使周面上的涂层厚度均匀。
要对外延生长室进行清洗；
具体的，步骤F后还包括步骤：
G.将外延生长室重新升温至第三预设温度，保持外延生长室压力为第二预设压力，以
氢气为载气通入清洗气体，对生长室进行清洗；第三预设温度为1550℃～1750℃，第二预设
压力为150托～250托。
2.采用现成的碳化硅外延生长设备来对石墨载盘制备SiC涂层，无需另外配置专门的
涂层制备设备，可进一步降低成本；
3.经多次升温、覆盖、降温的循环，可大大地提高SiC涂层与石墨载盘结合的牢固程度，
大大地提高了石墨载盘的使用寿命。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种MoSe2/铁磁金属太赫兹辐射源、制备及太赫兹波激发方法 | 2020-05-08 | 721 |
| 用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法 | 2020-05-11 | 933 |
| U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管 | 2020-05-08 | 73 |
| 基于表面等离激元的硅基纳米激光器及其制备方法 | 2020-05-08 | 141 |
| 双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法 | 2020-05-08 | 57 |
| 能有效降低激光增材制造钛合金各向异性的热处理方法 | 2020-05-11 | 776 |
| 一种制备AlN外延层的方法 | 2020-05-08 | 734 |
| 插入多晶硅发射极层的二端双稳态电阻器及其制造方法 | 2020-05-08 | 365 |
| 一种LED发光器件及其制备方法、辐照处理装置 | 2020-05-08 | 926 |
| 一种检测TSV中Cu扩散的器件结构及其制造方法 | 2020-05-08 | 603 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
