Electrostatic discharge protection transistor
专利汇可以提供Electrostatic discharge protection transistor专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且A MOS transistor structure is provided for ESD protection in an integrated circuit device. A trench controls salicide deposition to prevent hot spot formation and allows control of the turn-on voltage. The structure includes source and drain diffusion regions (24,26) formed in the silicon substrate, a gate (18), and n-wells formed under the source and drain diffusions on either side of the gate (18). A drain trench (40) is located to separate the salicide between a drain contact (38) and the gate (18) edge, and by controlling the size and location of the drain trench (40), the turn-on voltages can be controlled; i.e., the turn-on voltage due to drain diffusion region (26) to substrate avalanche breakdown and the turn-on voltage due to source well to drain well (30) punch-through. Thus, very low turn-on voltages may be achieved for ESD protection.，下面是Electrostatic discharge protection transistor专利的具体信息内容。
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