专利汇可以提供一种直拉硅单晶的温度控制方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种直拉 硅 单晶的 温度 控制方法,用于硅单晶等径生长过程 自动调节 温度,包括步骤:确定平均晶体生长速度V并输出;设定目标晶体生长速度VS,并计算平均晶体生长速度V和目标晶体生长速度VS的偏差ΔV;依据ΔV,确定功率设定值Pr并输出,进而调节温度。本发明的直拉硅单晶的 温度控制 方法相比于现有的SP闭环控制方式具有以下优点:1、取消SP参与控制,消除了不稳定因素,提高温度控制系统的 稳定性 ,进而更好地控制晶体直径,提高成品率,降低生产成本;2、取消 热电偶 ,降低了设备成本;3、提高了直拉单晶炉的自动化程度。,下面是一种直拉硅单晶的温度控制方法专利的具体信息内容。
1.一种直拉硅单晶的温度控制方法,用于硅单晶等径生长过程自动调节温度,其特征在于,包括步骤:确定平均晶体生长速度V并输出;设定目标晶体生长速度VS,并计算平均晶体生长速度V和目标晶体生长速度VS的偏差ΔV;依据ΔV,确定功率设定值Pr并输出,进而调节温度。
2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述确定平均晶体生长速度V,包括步骤:设定目标晶体生长直径DS,测量实际晶体生长直径D,计算实际晶体生长直径D与目标晶体生长直径DS的偏差ΔD。
3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述确定平均晶体生长速度V,还包括步骤:依据ΔD,采用PID算法,以等径过程晶体拉速的调节周期t3为固定周期,计算晶体生长速度设定值Vd。
4.根据权利要求3所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述t3不大于10s。
5.根据权利要求3所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述确定平均晶体生长速度V,还包括步骤:设定晶体生长速度初始值Vi,以平均晶体生长速度计算周期t1为固定周期,计算平均晶体生长速度V并输出,所述平均晶体生长速度V计算公式为:
6.根据权利要求5所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述t1的范围为
100-3000s。
7.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述确定功率设定值Pr,包括步骤:设定功率初始值Pi,计算所述功率设定值Pr,计算公式为:
Pr=Pi+ΔPower,
其中,ΔPower为功率调节量。
8.根据权利要求7所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述确定功率设定值Pr,还包括步骤:依据ΔV,采用PID算法,以等径过程功率调节周期t2为固定周期,计算ΔPower。
9.根据权利要求8所述的直拉硅单晶的温度控制方法,其特征在于,所述确定功率设定值Pr,还包括步骤:以t2为固定周期,确定所述功率设定值Pr并输出,进而调节温度。
10.根据权利要求9所述的直拉硅单晶的引晶方法,其特征在于,所述t2的范围为100-
3000s。
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