专利汇可以提供一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种用于生产直拉 硅 单晶的双 石英 坩埚 装置及方法。该装置包括内、外两个石英坩埚,还包括 固定器 ,石英坩埚上方设有导流筒,固定器置于导流筒的内壁上,内石英坩埚通过固定器居中固定在外石英坩埚中。其方法是:在装料时,分别在两个坩埚的物料中放入定量 掺杂剂 ,使两个坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度为C0,物料 熔化 后,再对内石英坩埚内的硅熔体进行补充掺杂剂,使内石英坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度提高到C0/k,然后进行 拉晶 、引晶、等径过程。本发明可以有效提高单晶径向 电阻 率 均匀性,使径向电阻率变化降低至5%~8%;可以大大提高单晶纵向电阻率的均匀性,使之基本维持一个恒定值,从而提高了合格品入档率。,下面是一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法专利的具体信息内容。
1.一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置,包括石英坩埚,石英坩埚上方设有导流筒(1),其特征在于:还包括固定器(2),所述石英坩埚是两个石英坩埚,所述固定器(2)置于导流筒(1)的内壁上,内石英坩埚(7)通过固定器(2)居中固定在外石英坩埚(4)中;在所述内石英坩埚(4)的底部设有数个用于满足硅熔体(5)流量的通孔(6);所述固定器(2)为圆环(8)形状,圆环(8)置于导流筒(1)内,在圆环(8)的内壁均匀设有用于固定内石英坩埚(7)的卡勾(9)。
2.根据权利要求1所述的一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置,其特征在于:
所述圆环(8)采用钼材料制成。
3.一种采用双石英坩埚装置生产直拉硅单晶的方法,其特征在于:在装料时,分别在内、外石英坩埚的物料中放入定量掺杂剂,使内、外石英坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度为C0,物料熔化完毕后,再对内石英坩埚内的硅熔体进行补充掺杂剂,使内石英坩埚内硅熔体的掺杂剂浓度提高到C0/k,其中C0为硅单晶中掺杂剂的目标浓度,k<1,为掺杂剂有效分凝系数,然后进行拉晶、引晶、等径过程;在拉晶过程中,设定外石英坩埚埚转为1~3转/min,氩气流量为35~80slpm,单晶炉膛炉压为20~40torr;在引晶过程中,设定拉速为130~150mm/h;随着拉晶的进行,石英坩埚内的硅熔体不断减少,不断升高外石英坩埚的位置,以维持硅熔体液面位置的恒定,当内石英坩埚与外石英坩埚相接触时,拉速降低至35~45mm/h。
4.根据权利要求3所述的一种采用双石英坩埚装置生产直拉硅单晶的方法,其特征在于:在等径过程中,设定拉速为55~68mm/h。
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