micro-LED显示器件的制作方法
专利汇可以提供micro-LED显示器件的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种micro-LED显示器件的制作方法，通过分别制作显示 背板 和衬底 基板 ，然后将显示背板和衬底基板合成，再去掉衬底基板后，在形成有LED单晶膜层的显示背板上形成mirco-LED阵列、保护层和透明 电极 层；有益效果为：可以自对准进行LED转移绑定，避免了常规的巨量转移制程，工艺简单，降低了生产成本，大大地提高了产品良率以及micro-LED显示器件的 像素 。，下面是micro-LED显示器件的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10，提供一衬底基板，并在所述衬底基板上沉积LED单晶膜层；
S20，提供一显示背板，在所述显示背板上制作驱动线路，并在所述驱动线路背离所述显示背板的一侧设置触点；
S30，在所述显示背板的所述驱动线路上方覆盖一层介电层，并在正对所述触点沿所述介电层设置通孔；
S40，在所述触点上方沿所述通孔处形成熔融金属点；
S50，将沉积有所述LED单晶膜层的所述衬底基板与所述显示背板进行对位，使得所述LED单晶膜层一侧正对于设置有金属点的所述介电层一侧；
S60，分别向所述衬底基板背离所述LED单晶膜层一侧、所述显示背板背离所述介电层一侧施压，使得所述LED单晶膜层与所述介电层完全贴合，绑定在一起；
S70，将所述衬底基板从所述LED单晶膜层与所述显示背板形成的整体上剥离下来；
S80，对所述LED单晶膜层背离所述显示背板的一侧进行黄光和刻蚀制程，形成mirco-LED阵列；
S90，再在所述介电层背离所述显示背板的一侧填充保护层和透明电极层，以形成完整的mirco-LED显示器件。
2.根据权利要求1所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，步骤“S10”中所述LED单晶膜层采用金属有机化合物化学气象沉积的方式制得。
3.根据权利要求1所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，步骤“S10”中所述衬底基板为蓝宝石衬底基板、碳化硅衬底基板或是硅衬底基板。
4.根据权利要求1所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，所述介电层采用氧化硅、氮化硅或是绝缘有机材料。
5.根据权利要求4所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，所述介电层的高度大于所述驱动线路与所述触点的高度之和；所述通孔的的宽度小于所述驱动线路的宽度，大于所述触点的宽度。
6.根据权利要求1所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，所述熔融金属点采用金属锡制成。
7.根据权利要求1所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，步骤“S60”中绑定设置有所述LED单晶膜层的所述衬底基板与设置有所述介电层的所述显示背板时，所述LED单晶膜层和所述介电层之间采用低熔点金属材料进行绑定。
8.根据权利要求7所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，所述低熔点的金属材料为:锡、铟、铅或是铋。
9.根据权利要求7所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，所述LED单晶膜层和所述介电层之间的绑定采用低温焊接技术。
10.根据权利要求9所述的micro-LED显示器件的制作方法，其特征在于，步骤“S70”中采用激光镭射的方法剥离所述衬底基板。
micro-LED显示器件的制作方法
技术领域
背景技术
移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光烧触等。
元件阵列自转移基板接合至接收基板，之后再将转移基板移除；另一种实施方法为“间接转
移”。此方法包含两次接合/剥离的步骤。在间接转移中，转置头可将位于中间承载基板上的
部分微型元件阵列拾起，然后再将微型元件阵列接合至接收基板，接着再把转置头移除。但
现有技术中的直接转移或间接转移的巨量转移技术，工艺复杂且成本较高。
的问题，急需改进。
发明内容
的工艺都比较复杂且成本高的问题。
采用低熔点金属材料进行绑定。
巨量转移制程，工艺简单，降低了生产成本，大大地提高了产品良率以及micro-LED显示器
件的像素。
附图说明
本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
具体实施方式
本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于
描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间
接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术
人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。
且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，
这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的
关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以
意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
S20，提供一显示背板，在所述显示背板上制作驱动线路并在所述驱动线路背离所述显示背
板的一侧设置触点；S30，在所述显示背板的所述驱动线路上方覆盖一层介电层，并在正对
所述触点沿所述介电层设置通孔；S40，在所述触点上方沿所述通孔处形成所述熔融金属
点；S50，将沉积有所述LED单晶膜层的所述衬底基板与所述显示背板进行对位，使得所述
LED单晶膜层一侧正对于设置有金属点的所述介电层一侧；S60，分别向所述衬底基板背离
所述LED单晶膜层一侧、所述显示背板背离所述介电层一侧施压，使得所述LED单晶膜层与
所述介电层完全贴合，绑定在一起；S70，将所述衬底基板从所述LED单晶膜层与所述显示背
板形成的整体上剥离下来；S80，对所述LED单晶膜层背离所述显示背板的一侧进行黄光和
刻蚀制程，形成micro-LED阵列；S90，再在所述介电层背离所述显示背板的一侧填充保护层
和透明电极层，以形完整的micro-LED显示器件。
步骤“S30”中所述介电层采用氧化硅、氮化硅或是绝缘有机材料。步骤“S40”中所述熔融金
属点采用金属锡制成。
板1上。
触点5的高度之和。并在所述驱动线路4和所述触点5正上方设置通孔7，所述通孔7的宽度小
于所述驱动线路4的宽度，大于所述触点5的宽度。
低熔点的金属材料：锡、铟、铅或是铋，但不限于这几种低熔点金属材料，对所述LED单晶膜
层2和所述介电层6之间进行绑定，绑定采用低温焊接技术进行。
是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替
换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的
范围。
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