专利汇可以提供PROCESS FOR GROWTH OF DEFECT FREE SILICON CRYSTALS OF ARBITRARILY LARGE DIAMETERS专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且A process for growing single crystal silicon ingots which are substantially free of agglomerated intrinsic point defects. An ingot is grown generally in accordance with the Czochralski method. No portion of the ingot cools to a temperature which is less than a temperature TA at which agglomeration of intrinsic point defects in the ingot occurs during the time the ingot is being grown. The achievement of defect free ingots is thus substantially decoupled from process parameters, such as pull rate, and system parameters, such as axial temperature gradient in the ingot.,下面是PROCESS FOR GROWTH OF DEFECT FREE SILICON CRYSTALS OF ARBITRARILY LARGE DIAMETERS专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
单晶硅板状体及其制造方法 | 2020-05-12 | 260 |
单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 | 2020-05-12 | 738 |
单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 | 2020-05-12 | 598 |
单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置 | 2020-05-12 | 1010 |
一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置 | 2020-05-14 | 853 |
一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法 | 2020-05-15 | 795 |
多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片 | 2020-05-13 | 357 |
一种掺杂硅片的制备方法和太阳电池 | 2020-05-16 | 903 |
一种坩埚 | 2020-05-15 | 67 |
一种侧部加热器和单晶硅铸锭装置 | 2020-05-11 | 609 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。