一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法
专利汇可以提供一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种减少多晶 硅 锭或 铸造 单晶锭 氧 含量和杂质点的装料方法，采用边皮倾斜设置在 坩埚 四周内壁或硅 块 铺设在坩埚四周内侧的方法，通过设置一定间隙，减少硅液和坩埚 接触 反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚 侧壁 上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的 风 险，降低 多晶硅 锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅 原子 错排而产生的位错。，下面是一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法专利的具体信息内容。
1.一种减少多晶硅锭氧含量和杂质点的装料方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在坩埚底部均匀铺设多晶硅籽晶；
2)在多晶硅籽晶层上铺设尾料，尾料与尾料之间紧密贴合，尾料与坩埚内壁紧密贴合；
紧密贴合的尾料形成一个屏障，在融化阶段前期防止硅液流延到坩埚底部，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量；
3)将边皮倾斜设置在坩埚四周内壁上，边皮与边皮之间紧密贴合，边皮顶部与坩埚侧壁紧密贴合，边皮底部与坩埚侧壁之间留有10mm-20mm的间隙；在融化阶段前期，边皮和坩埚侧壁之间的间隙减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低多晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错；
4)在边皮包围形成的空间中装入原生多晶硅棒料、原生多晶硅小块料、提纯多晶硅块；
5)将装满硅料的坩埚放入铸锭炉中制得多晶硅锭。
2.一种减少多晶硅锭氧含量和杂质点的装料方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在坩埚底部均匀铺设多晶硅籽晶；
2)在多晶硅籽晶层上铺设尾料，尾料与尾料之间紧密贴合，尾料与坩埚内壁紧密贴合；
融化阶段硅料从顶部向下融化，融化阶段前期部分硅液会沿着硅料之间的缝隙向下流延，紧密贴合的尾料形成一个屏障，在融化阶段前期防止硅液流延到坩埚底部，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量；
3)将提纯硅块铺设在坩埚内侧四周，硅块与硅块之间紧密贴合，硅块与坩埚侧壁之间留有10mm-20mm的间隙，在融化阶段前期，提纯硅块和坩埚侧壁之间的间隙减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低多晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错；
4)在硅块包围形成的空间中装入原生多晶硅棒料、原生多晶硅小块料、边皮；
5)将装满硅料的坩埚放入铸锭炉中制得多晶硅锭。
3.如权利要求1或2所述的装料方法，其特征在于所述尾料厚度为30mm-70mm之间。
4.一种减少铸造单晶硅锭氧含量和杂质点的装料方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在坩埚底部铺设单晶籽晶，单晶籽晶与单晶籽晶之间紧密贴合，单晶籽晶与坩埚内壁紧密贴合，紧密贴合的单晶籽晶形成一个屏障，在融化阶段前期防止硅液流延到坩埚底部，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量；
2)将边皮倾斜设置在坩埚四周内壁上，边皮与边皮之间紧密贴合，边皮顶部与坩埚侧壁紧密贴合，边皮底部与坩埚侧壁之间留有10-20mm的间隙；在融化阶段前期，边皮和坩埚侧壁之间的间隙减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低单晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错；
3)在边皮包围形成的空间中装入原生多晶硅棒料、原生多晶硅小块料、提纯多晶硅块；
4)将装满硅料的坩埚放入铸锭炉中制得单晶硅锭。
5.一种减少铸造单晶硅锭氧含量和杂质点的装料方法，其特征在于包括如下步骤：
1)在坩埚底部铺设单晶籽晶，单晶籽晶与单晶籽晶之间紧密贴合，单晶籽晶与坩埚内壁紧密贴合，紧密贴合的单晶籽晶形成一个屏障，在融化阶段前期防止硅液流延到坩埚底部，减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量；
2)将提纯硅块铺设在坩埚内侧四周，硅块与硅块之间紧密贴合，硅块与坩埚侧壁之间留有10mm-20mm的间隙，在融化阶段前期，提纯硅块和坩埚侧壁之间的间隙减少硅液和坩埚接触反应产生氧的数量，同时也避免硅液向下流延时对坩埚侧壁上氮化硅涂层的冲刷，减少氮化硅脱落的风险，降低单晶硅锭中氮化硅杂质的数量，减少硅锭中因氮化硅导致硅原子错排而产生的位错；
3)在硅块包围形成的空间中装入原生多晶硅棒料、原生多晶硅小块料、边皮；
4)将装满硅料的坩埚放入铸锭炉中制得单晶硅锭。
6.如权利要求4或5所述的装料方法，其特征在于单晶籽晶层厚度为15mm-35mm之间。
一种减少多晶硅锭或铸造单晶锭氧含量和杂质点的装料方法
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具体实施方式
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