专利汇可以提供LOW DEFECT DENSITY, VACANCY DOMINATED SILICON专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且The present invention relates to single crystal silicon, in ingot or wafer form, which contains an axially symmetric region in which vacancies are the predominant intrinsic point defect and which is substantially free of agglomerated vacancy intrinsic point defects, wherein the first axially symmetric region comprises the central axis or has a width of at least about 15 mm, and a process for the preparation thereof.,下面是LOW DEFECT DENSITY, VACANCY DOMINATED SILICON专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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