专利汇可以提供单品硅热场坩埚用生产智能加工设备及其加工方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了单品 硅 热场 坩埚 用生产智能加工设备,包括保温筒和机械桁架,所述机械桁架的上方设置有固定横梁,所述固定横梁上设置有横梁滑轨,所述固定横梁的左右两端上均设置有固定滑座,所述固定滑座的下方设置有伸缩夹持臂,所述固定横梁中间 位置 处的下方设置有顶部 轴承 ,所述顶部轴承的下方设置有上炉腔;本发明还提出了一种单品硅热场坩埚用生产智能加工设备的加工方法;本发明不仅解决了制备过程中因高温导致的不方便对其进行移动的问题,还对原有的设备加工单品硅进行改善,使得单品硅制备加工出来的纯度高,杂质少,给加工生产带来便捷,从而达到方便对设备进行移动调节,制备出的产品更加优质的目的。,下面是单品硅热场坩埚用生产智能加工设备及其加工方法专利的具体信息内容。
1.单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,包括保温筒(1)和机械桁架(17),其特征在于:所述机械桁架(17)的上方设置有固定横梁(4),所述固定横梁(4)上设置有横梁滑轨(3),所述固定横梁(4)的左右两端上均设置有固定滑座(2),所述固定滑座(2)的下方设置有伸缩夹持臂(20),所述固定横梁(4)中间位置处的下方设置有顶部轴承(5),所述顶部轴承(5)的下方设置有上炉腔(6),所述上炉腔(6)的下方设置有隔离阀(7),所述隔离阀(7)的下方设置有保温筒(1),所述隔离阀(7)的下方位于保温筒(1)的内部顶端设置有单晶硅棒(8),所述单晶硅棒(8)的右侧设置有导流筒(9),所述单晶硅棒(8)的下方设置有石英坩埚(10),所述石英坩埚(10)的下方设置有石墨坩埚(11),所述石墨坩埚(11)的外部设置有防护套(19),所述石墨坩埚(11)的左右两侧均设置有加热器(18),所述石墨坩埚(11)的下方设置有坩埚底座(12),所述坩埚底座(12)中间位置处的下方设置有中心轴(16),所述中心轴(16)的底端设置有底部轴承(15),所述中心轴(16)的底端左右两端位于加热器(18)的下方设置有石墨电极(13),所述中心轴(16)的下方设置有底座防护板(14),所述保温筒(1)的内部上方位置处设置有加热腔(22),所述加热腔(22)的下方设置有铸锭炉(21),所述铸锭炉(21)的下方设置有水箱(27),所述水箱(27)的左右两侧均设置有导向柱(24),所述水箱(27)的下方设置有拖车(23),所述拖车(23)的下方设置有托盘架(25),所述托盘架(25)的左右两侧对应设置有支架(26),所述中心轴(16)靠近底端位置处设置有中轴器(29),所述中轴器(29)的左侧设置有顶升机(28),所述中轴器(29)的右侧设置有电机(30),所述电机(30)的右侧设置有导向板(31),所述加热器(18)的上下两端均设置有加热器固定座(32),所述机械桁架(17)、加热器(18)和电机(30)均与外部电源电性连接。
2.根据权利要求1所述的单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,其特征在于:所述固定滑座(2)共设置有两组,所述两组固定滑座(2)对应安装在固定横梁(4)上,所述固定滑座(2)与固定横梁(4)之间通过横梁滑轨(3)滑动连接,所述两组固定滑座(2)的下方均对应设置有伸缩夹持臂(20),所述每组伸缩夹持臂(20)通过伸缩进行调节,所述保温筒(1)与机械桁架(17)之间通过伸缩夹持臂(20)进行夹持固定连接。
3.根据权利要求1所述的单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,其特征在于:所述保温筒(1)与固定横梁(4)之间通过顶部轴承(5)固定连接,所述上炉腔(6)的顶端与顶部轴承(5)之间通过螺纹固定连接,所述上炉腔(6)的底端与隔离阀(7)之间通过螺纹固定连接。
4.根据权利要求1所述的单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,其特征在于:所述导流筒(9)共设置有两个,所述两个导流筒(9)对应安装在石英坩埚(10)上方的左右两侧。
5.根据权利要求1所述的单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,其特征在于:所述支架(26)的一端与托盘架(25)焊接固定,所述述支架(26)的另一端与导向柱(24)焊接固定。
6.根据权利要求1所述的单品硅热场坩埚用生产智能加工设备,其特征在于:所述底座防护板(14)与保温筒(1)一体成型,所述保温筒(1)为中空圆柱体结构。
7.单品硅热场坩埚用生产智能加工设备的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将多晶硅原料放入石英坩埚内;
S2、加完多晶硅原料于石英坩埚内后,打开石墨加热器电源,对其进行加热,加热至熔化温度1420℃以上,将多晶硅原料熔化;
S3、当硅熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入硅熔体中,进行缩颈生长;
S4、长完细颈之后,须降低温度与拉速,使得晶体的直径增大到所需的尺寸,完成放肩生长;
S5、长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,晶棒的直径为1.5-2mm之间,这段直径固定的部分即称为等径生长;
S6、完成等径生长后,必须将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开,这一过程称之为尾部生长;
S7、长完的晶棒被升至上炉室冷却后取出,即完成一次生长周期。
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