专利汇可以提供誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且 本発明の誘電膜は、エラストマー(101)と誘電性粒子(102)とを含み、走査型電子顕微鏡により撮影された膜厚方向の断面写真(100)において、条件(A)[基準個数の平均値が0.8個/μm以上]、条件(B)[大粒子個数の平均値が0.2個/μm以下]、および条件(C)[エラストマーの面積割合が30%以下である単位領域の個数が10個以下]を満たす。本発明の誘電膜は、柔軟で、比誘電率が大きく、 薄膜 化しても絶縁破壊強度が大きい。本発明のトランスデューサは、該誘電膜と、該誘電膜を介して配置される複数の電極と、を備える。,下面是誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ专利的具体信息内容。
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