多激光器系统封装
专利汇可以提供多激光器系统封装专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且以不同方式将 光子 芯片与一个或多个互补金属 氧 化物 半导体 芯片一起封装，所述光子芯片包括可调谐 激光器 、发射体和其他光学部件，诸如 波导 、 波长 带组合器以及波长 锁 定器。将所述互补金属氧化物 半导体芯片 布置在所述光子芯片的侧面或底部上。穿Si通孔或接合线提供所述光子芯片与所述 互补金属氧化物半导体 芯片之间的电 接触 。，下面是多激光器系统封装专利的具体信息内容。
1.一种结构，所述结构包括：
光子芯片，所述光子芯片包括在所述光子芯片的顶面的四个横向区中的至少两者上的多个激光器、在所述顶面的中央区中的多个发射体以及在所述顶面上的多个波导，所述多个波导将所述多个激光器连接到所述多个发射体；
至少两个互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片，每个CMOS芯片布置在所述光子芯片的不同侧上；以及
接合线，所述接合线将所述至少两个CMOS芯片连接到所述光子芯片。
2.如权利要求1所述的结构，其中所述至少两个CMOS芯片包括四个CMOS芯片。
3.如权利要求2所述的结构，其中所述四个CMOS芯片包括所述光子芯片的每侧各一个CMOS芯片。
4.如权利要求1至3中任一项所述的结构，其中所述多个激光器中的每一者是可调谐的。
5.如权利要求4所述的结构，其中所述多个激光器中的每一者包括激光器阵列。
6.如权利要求5所述的结构，其中每个激光器阵列包括至少五个离散的激光器。
7.如权利要求1至6中任一项所述的结构，其中所述多个激光器包括八个激光器。
8.如权利要求7所述的结构，其中所述八个激光器按每横向侧各两个激光器定位于所述光子芯片上。
9.一种结构，所述结构包括：
光子硅(Si)芯片，所述光子Si芯片包括在所述光子Si芯片的顶面的四个横向区中的至少两者上的多个激光器、在所述顶面的中央区中的多个发射体以及在所述顶面上的多个波导，所述多个波导将所述多个激光器连接到所述多个发射体；
互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片，所述CMOS芯片在所述光子Si芯片的底面上；以及穿Si通孔，所述穿Si通孔将所述CMOS芯片连接到所述光子Si芯片。
10.一种方法，所述方法包括：
提供光子芯片；
在所述光子芯片的顶面的四个横向区中的至少两者上制作多个激光器、在所述顶面的中央区中制作多个发射体以及在所述顶面上制作多个波导，所述多个波导将所述多个激光器连接到所述多个发射体；
提供至少两个互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片；
将每个CMOS芯片布置在所述光子芯片的不同侧上；以及
通过接合线将所述至少两个CMOS芯片连接到所述光子芯片。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述至少两个CMOS芯片包括四个CMOS芯片。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述四个CMOS芯片包括所述光子芯片的每侧各一个CMOS芯片。
13.如权利要求10至12中任一项所述的方法，其中所述多个激光器中的每一者是可调谐的。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述多个激光器中的每一者包括激光器阵列。
15.如权利要求14所述的方法，其中每个激光器阵列包括至少五个离散的激光器。
16.如权利要求10至15中任一项所述的方法，其中所述多个激光器包括八个激光器。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述八个激光器按每横向侧各两个激光器定位于所述光子芯片上。
18.一种方法，所述方法包括：
提供光子Si芯片；
在所述光子Si芯片的顶面的四个横向区中的至少两者上制作多个激光器、在所述顶面的中央区中制作多个发射体以及在所述顶面上制作多个波导，所述多个波导将所述多个激光器连接到所述多个发射体；
在所述光子Si芯片中制作穿Si通孔；
提供互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片；
将所述CMOS芯片接合在所述光子Si芯片的底面上；以及
通过所述穿Si通孔中的电导体将所述光子Si芯片连接到所述CMOS芯片。
多激光器系统封装
技术领域
具体实施方式
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