专利汇可以提供用於製造非揮發性電荷捕獲記憶體元件之基氧化方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一種用於製造非揮發性電荷捕獲記憶體元件之方法被描述。該方法包含使一 基板 承受一第一 氧 化製程以在一多晶矽通道上方形成一穿隧氧化物層,以及在該穿隧氧化物層上方形成一多層電荷儲存層,該儲存層包括一包含氮化物之含氧第一層及一包含該第一層上之氮化物之缺氧第二層。該基板接著係承受一第二氧化製程以耗用一部分第二層並在該多層電荷儲存層上方形成一高溫氧化物(HTO)層。該第一層之化學計量組成成分致使它實質上無捕獲,且該第二層之化學計量組成成分致使它為密集捕獲。該第二氧化製程可包括一電漿氧化製程或使用現場 蒸汽 產生技術之一基氧化製程。,下面是用於製造非揮發性電荷捕獲記憶體元件之基氧化方法专利的具体信息内容。
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