专利汇可以提供一种高转换效率异质结器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开一种高转换效率 异质结 器件,包括p型晶 硅 衬底,所述p型晶硅衬底的底面设有背 电极 ,p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极,所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构;该异质结器件具有 晶格匹配 好、界面态 密度 低的优点,转换效率高,增强异质结光伏器件的整体性能。,下面是一种高转换效率异质结器件专利的具体信息内容。
1.一种高转换效率异质结器件,其特征在于,包括p 型晶硅衬底,所述p 型晶硅衬底的底面设有背电极,p 型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极,所述p 型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构。
2.根据权利要求1所述的一种高转换效率异质结器件,其特征在于,所述背电极为厚度
0.8~1.2μm的Au、Al或Ag薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种高转换效率异质结器件,其特征在于,所述p 型晶硅衬底厚度为200~500μm。
4.根据权利要求1所述的一种高转换效率异质结器件,其特征在于,所述n型发射膜层为厚度100~300nm的GaAs、AlAs、ZnTe、CdSe、AlSb、AlGaAs、InP、GaN、SiC或CN薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种高转换效率异质结器件,其特征在于,所述透明导电层为厚度400~700nm的GZO、AZO、BZO、IGZO、IZO或ITO薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种高转换效率异质结器件,其特征在于,所述前电极为厚度
200~600nm的Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜。
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