专利汇可以提供用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了用于由III族氮化物材料系统形成的 电子 器件的衬底,该衬底包含 硅 碳 层以及在该硅碳层上的硅碳锗层,该硅碳层和硅碳锗层形成了用于由III族氮化物材料系统形成的器件的衬底。,下面是用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底专利的具体信息内容。
1.形成用于由III族氮化物材料系统形成的电子器件的硅碳锗衬底的 方法,包括:
形成硅碳层;
在所述硅碳层上形成硅碳锗层;以及
在所述硅碳锗层上直接形成含III族氮化物的电子器件。
2.如权利要求1的方法,其中所述硅碳锗的组成为(Si0.5-xC0.5-y)Gex+y, 其中0≤x≤0.5且0≤y≤0.5。
3.如权利要求2的方法,其中所述硅碳锗的组成为Si0.35C0.5Ge0.15。
4.如权利要求2的方法,其中相对于所述硅碳与氮化镓的晶格匹配, 所述硅碳锗层与氮化镓的晶格匹配更紧密。
5.如权利要求2的方法,其中所述硅碳锗层被形成为具有3.19埃 ()的晶格常数。
6.如权利要求2的方法,其中所述硅碳锗层被形成为具有3.11埃 ()的晶格常数。
7.如权利要求2的方法,其中所述硅碳锗的组成为(Si0.5-xC0.5-y)Gex+y, 其中0.1≤x≤0.40且0.0≤y≤0.40。
8.用于由III族氮化物材料系统形成的电子器件的衬底,包含:
硅碳层;和
在所述硅碳层上的硅碳锗层,所述硅碳层和所述硅碳锗层形成用于由 III族氮化物材料系统形成的器件的衬底。
9.如权利要求8的衬底,还包含在所述硅碳锗层上直接形成的由氮化 镓材料系统形成的电子器件。
10.如权利要求9的衬底,其中所述电子器件是光电器件。
11.如权利要求9的衬底,其中所述硅碳锗层包含(Si0.5-xC0.5-y)Gex+y, 其中0≤x≤0.5且0≤y≤0.5。
12.如权利要求11的衬底,其中所述硅碳锗层包含Si0.35C0.5Ge0.15。
13.如权利要求11的衬底,其中相对于所述硅碳层与氮化镓的晶格匹 配,所述硅碳锗层与氮化镓的晶格匹配更紧密。
14.如权利要求11的衬底,其中所述硅碳锗层的晶格常数为3.19埃 ()。
15.如权利要求11的衬底,其中所述硅碳锗层的晶格常数为3.11埃 ()。
16.用于由III族氮化物材料系统形成的电子器件的硅碳锗衬底,包 含:
硅碳层;
在所述硅碳层上的硅碳锗层,所述硅碳锗层包括(Si0.5-xC0.5-y)Gex+y,其 中0≤x≤0.5且0≤y≤0.5;和直接在所述硅碳锗层上的含镓和氮的电子器件。
17.如权利要求16的衬底,其中所述硅碳锗的组成在Si0.45C0.5Ge0.05与 Si0.10C0.5Ge0.4之间,并包括这两个端点。
18.如权利要求17的衬底,其中相对于所述硅碳与氮化镓的晶格匹 配,所述硅碳锗层与氮化镓的晶格匹配更紧密。
19.如权利要求16的衬底,其中所述硅碳锗层被形成为具有3.19埃 ()的晶格常数。
20.如权利要求16的衬底,其中所述硅碳锗层被形成为具有3.11埃 ()的晶格常数。
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