Integrated circuit of semiconductor
专利汇可以提供Integrated circuit of semiconductor专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain a greatly pressure-tight integrated circuit with excellent performances by forming an even earth conductive epitaxial layer on a minus conductive semiconductor substrate with some dents and setting a minus conductive isobation region so that the dents may be encircled.
CONSTITUTION: Grooves with trapezoidal sections are formed by taper-etching a p- type silicon substrate 1. N
+ flush layers 2, 3 rich in impurities are formed and an N-type epitaxial layer 11 is shaped. The surface is smoothed by mirror-finishing. Then p
+ isolation diffusion regions are formed. The N-type epitaxial region is divided by the above-mentioned processes into four islond regions transistors are composed of. Such thickness of the epitaxial layer enables the transistors to be grately pressure-tight, a shallow insolation region prevents lateral diffusion and the integration rate can be greatly improved.
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio，下面是Integrated circuit of semiconductor专利的具体信息内容。
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