专利汇可以提供一种超薄柔性晶体硅电池的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种超薄柔性晶体 硅 电池 的制备方法,该方法引入CFZ、MCZ、或FZ 硅片 为衬底,经制绒减薄制备厚度在100μm以下制绒片,采用常规高温扩散法制备 PN结 ,清洗后经 微波 式平板PECVD 镀 Al2O3作背面 钝化 膜,硅片前后表面镀SiNx减反射膜和保护膜后利用激光开膜法打开 电极 接触 窗口,引入新型电极结构图形,经工艺改进通过丝网印刷法制备 铝 浆厚度极小的铝背导电层和前后电极,经 烧结 形成电性能优异的超薄高效晶体硅电池,采用 激光切割 法切割形成便于组件封装且可靠性高的小型电池。本发明制备的超薄柔性新型高效晶体硅电池,多数工艺流程能够在常规晶体硅电池生产线上完成,功率 质量 比高,适用于低空 飞行器 ,制备成本较低,应用前景广阔。,下面是一种超薄柔性晶体硅电池的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种超薄柔性晶体硅电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
2
(1)将电阻率为3~5Ω﹒cm单晶硅片切割成厚度90~120μm的125×125 mm或
2
156×156mm硅片;所述单晶硅片为P型CFZ、MCZ或FZ之一的单晶硅片;
(2)对切割后的硅片清洗并制绒,并经两步高温扩散法在硅片上制备方阻在65~
80Ω/□的PN结;所述两步高温扩散法的参数为:第一步扩散温度为770~800℃,扩散时间为10~20min,第二步扩散温度为800~850℃,扩散时间为15~25min,退火时间为
25min~60min;
(3)去除硅片表面磷硅玻璃并对硅片背面单面抛光;
(4)在抛光的硅片背面采用微波式平板PECVD沉积Al2O3/SiNx叠层钝化膜,所述Al2O3/SiNx叠层钝化膜中Al2O3层与硅片直接接触,所述Al2O3钝化膜厚度为5~20nm,所述SiNx钝化膜厚度为110~180nm;然后采用激光开膜法对钝化膜开膜,采用管式PECVD在硅片前表面镀厚度为70~85nm 的SiNx减反射膜;
(5)设计硅片上的条状无主栅电极结构小电池图形:小电池宽度为25~45mm、长度为
125 mm 或156mm,边缘焊点数量为6~15个;
(6)根据电极结构小电池图形设计硅片上小电池分布网版图:小电池分布网版图上小电池间距设为1~2mm;将小电池分布网版图覆盖于硅片上后在硅片上依次印刷后电极浆料、铝背场浆料和前电极浆料;印刷后电极浆料烧结后形成后电极;铝背场浆料经烧结形成铝背导电层;前电极浆料经烧结后形成前电极;
(7)根据小电池分布网版图在硅片上切出小电池形状。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中是用清洗液对切割后的硅片清洗,所述清洗液是双氧水溶液和氨水溶液的混合液,混合液中双氧水的质量百分比浓度为
5~15%,混合液中氨水的质量百分比浓度为5~15%,混合液温度为25~60℃。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤(2)所述PN结结深在0.3~0.6μm,
19 20 3
表层峰值浓度在3×10 ~2×10 /cm。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(4)所述Al2O3钝化膜厚度为5~10nm。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,步骤(4)中当硅片前表面和背面面镀SiNx后,硅片的有效少子寿命测量值在60us以上。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(5)所述焊点中,前电极焊点宽度为
1.0~2.0mm,焊点长度为1.5~3.5mm;后电极焊点宽度为1.5~2.5毫米、焊点长度为
3~5毫米。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(6)在印刷后电极浆料、铝背场浆料和前电极浆料时印刷任意一种浆料的铝浆的重量为0.376~0.658g。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(7)中切出的小电池,经反向12V电压测试漏电流小于0.05A。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(7)中是采用波长为532nm的绿光在硅片上切割小电池。
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