Avalanche diode microwave detector
阅读：723发布：2022-10-25
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1. IN A CIRCUIT FOR THE DETECTION OF LARGE AMPLITUDE MICROWAVE SIGNALS INCLUDING AN AVALANCHE-INJECTION MICROWAVE DIODE FORWARD-BIASED TO HIGH DETECTION SENSITIVITY, SAID DIODE COMPRISING: A FIRST LAYER OF METALLIC MATERIAL; A SECOND LAYER OF N TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, CHARACTERIZED BY A HIGH MELTING POINT AND A LARGE BAND GAP IN WHICH AN AVALANCHE-INJECTION CONDITION MAY BE PRODUCED; SAID FIRST LAYER BEING BONDED TO SAID SECOND LAYER TO FORM AN OHMIC CONTACT; SAID SECOND LAYER HAVING AN AREA OF MINUTE THICKNESS; AND CAT WHISKER MEANS TO THE TUNGSTEN VARIETY ASSOCIATE WITH SAID SECOND LAYER TO FORM A POINT CON-
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