专利汇可以提供Method of manufacturing MOS type semiconductor devices专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且A MOS type semiconductor device including a P-type semiconductor substrate and at least one N-type region is formed by forming an insulator film on the surface of the substrate, applying a silicon layer on the surface of the insulator film, diffusing a P-type impurity into the silicon layer, removing selected portions of the silicon layer and of the insulator film, and selectively diffusing an N-type impurity into the P-type semiconductor substrate by utilizing the remaining portions of the silicon layer and of the insulator film as a mask.,下面是Method of manufacturing MOS type semiconductor devices专利的具体信息内容。
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