专利汇可以提供Seiconductor integrated circuit专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To decrease the amount of the leak current by insulating both the mutual wiring and the lead-out electrode from the semiinsulating semiconductor substrate via the insulator layer.
CONSTITUTION: Ohmic electrode 9 is formed partially only at the upper part of the mesa-type conducting layer, and thus Schottky electrode 10 is formed. In this way, the unit of FET is formed. Then the insulator layer of the silicon dioxide or the like is coated on the entire surface, and furthermore metal layer 12 is coated. Thus, FET unit 5 is contacted electrically with conductor unit 6.
COPYRIGHT: (C)1979,JPO&Japio,下面是Seiconductor integrated circuit专利的具体信息内容。
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