Manufacture for semiconductor device
专利汇可以提供Manufacture for semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To constitute insulator only on the region injected with nitrogen ions for a part of the semiconductor substrate, with good precision.
CONSTITUTION: Taking an example for the method of applying this invention to the channel cut of CMOS, first, the P type well 2 is formed on the signal crystal SiN substrate 1 (Fig. 1), the Si dioxide film 3 is formed (Fig. 2), and the pattern having holes only to the region giving by insulator with channel cut is formed with the photo resist 4 (Fig. 3), and further, nitrogen ions are injected (Fig. 4). In this case, the accelerating energy of nitorogen ions is 200 keV and dose is 1×10
17 /cm
2 . Thus, the channel cut region 5 injected with nitrogen ions is formed. Finally, the P channel transistor of CMOS and N channel transistor are made to channel cut with silicon nitride (Fig. 5).
COPYRIGHT: (C)1979,JPO&Japio，下面是Manufacture for semiconductor device专利的具体信息内容。
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