横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
专利汇可以提供横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供了一种横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)，包括衬底(10)、衬底(10)上的 阳极 端和 阴极 端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区(30)和栅极(61)，阳极端包括衬底(10)上的P型埋层(52)、P型埋层(52)上的N型缓冲区(54)以及N型缓冲区(54)表面的P+集电区(56)；横向绝缘栅双极型晶体管还包括与阳极端邻接的 沟槽栅极 ，沟槽栅极从N型缓冲区(54)和P+集电区(56)表面贯穿至P型埋层(52)，沟槽栅极包括沟槽内表面的 氧 化层(51)和填充于氧化层内的多晶 硅 (53)。还提供了一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法。当LIGBT关断时，集 电极 的P+区与沟槽栅极为 反向偏置 ，寄生PMOS开启并处于放大状态，开始 抽取 漂移区中残余的少子空穴，通过栅氧的厚度可 控制器 件耐压，并保证较快的 开关 速度，达到快速关断的目的。，下面是横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法专利的具体信息内容。
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