Manufacture of semiconductor light-emitting element
专利汇可以提供Manufacture of semiconductor light-emitting element专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To accomplish the increase in luminous efficiency of wavelength band of 1.1-1.5mum, and the improvement of current and output characteristics for the titled element by a method wherein impurities with a small diffusion coefficient are doped on the third layer InP. CONSTITUTION:The first layer N type InP layer 2, the second layer undoped InGaAsP layer 3, and the third layer P type InP layer 4 are formed on the substrate 1 of an N type InP by performing liquid-phase epitaxial growth. When the InP layer is formed, the impurities of small diffusion coefficient are introduced as a P type dopant. As a result, the element of P type carrier density of 1X10 cm can be obtained.，下面是Manufacture of semiconductor light-emitting element专利的具体信息内容。
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