技术领域
[0001] 本
发明实施例涉及有机发光显示技术，尤其涉及一种有机发光显示面板及其显示装置。
背景技术
[0002]
有机发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示技术具有自发光、广视
角、几乎无穷高的
对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经广泛的运用于手机、数码摄像机、
个人数字助理(PDA)、
笔记本电脑、
汽车音响和电视等各显示领域。
[0003]
现有技术中，OLED一般包括
阴极、
电子传输层、
发光层、空穴传输层、
阳极和衬底。工作时，在OLED的阳极和阴极之间施加一偏置
电压，空穴和电子分别从空穴传输层和电子传输层向发光层迁移，在发光层上，电子和空穴复合产生
激子，激子不稳定，释放出
能量，将能量传递给发光层中有机发光物质的分子，使其从基态跃迁到激发态。激发态很不稳定，受激分子从激发态回到基态，
辐射跃迁而产生发光现象。常见的OLED器件，当镁
银共蒸做阴极时，厚度较薄，阴极易形成岛形；银单独做阴极时容易聚集，形成
缺陷，并且阴极厚度大于
20nm时(大于200A)，光透射率发生恶化，导致OLED
发光效率降低。
发明内容
[0004] 本发明实施例提供一种有机发光显示面板及其显示装置，以提高光提取率，有效提高发光效率。
[0005] 第一方面，本发明实施例提供一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：
[0006] 阵列
基板，所述阵列基板包括多个驱动元件；
[0007] 与所述驱动元件对应设置的有机发光器件，所述有机发光器件包括阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，和位于所述有机发光层与所述阴极之间的电子传输层，其中，
[0008] 所述阴极与所述电子传输层之间设置有第一过渡层，所述第一过渡层包括有机材料，且
[0009] 所述第一过渡层对于
波长为500nm的可见光的折射率n1与所述电子传输层对于波长为500nm的可见光的折射率n2满足：0.05≤n1-n2≤0.4；
[0010] 所述第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1与所述阴极的
功函数 之间满足：
[0011] 所述电子传输层的最低未占据轨道能级LUMO2与所述第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.4eV≤|LUMO1-LUMO2|≤1eV。
[0012] 第二方面，本发明实施例还提供一种有机发光显示装置，包括上述有机发光显示面板。
[0013] 本发明实施例提供的有机发光显示面板，包括阵列基板，阵列基板包括多个驱动元件；与驱动元件对应设置的有机发光器件，有机发光器件包括阳极和阴极，以及位于阳极和所述阴极之间的有机发光层，和位于有机发光层与阴极之间的电子传输层，其中，阴极与电子传输层之间设置有第一过渡层，第一过渡层包括有机材料，通过设置第一过渡层对于波长为500nm的可见光的折射率n1与电子传输层对于波长为500nm的可见光的折射率n2满足：0.05≤n1-n2≤0.4，即第一过渡层的折射率大于电子传输层的折射率，避免有机发光层发出的光线经过电子传输层和第一过渡层界面时发生全反射，提高光线的提取率；通过设置第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1与阴极的功函数 之间满足：有利于电子载流子的迁移；通过设置电子传输层的最低未占
据轨道能级LUMO2与第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.4eV≤|LUMO1-LUMO2|≤1eV，二者之间最低未占据轨道的能级差较小，降低了电子的注入势垒，利于更多的电子注入至有机发光层，从而提高有机发光器件的光提取率，有效提高发光效率，提高有机发光显示面板的性能。
附图说明
[0014] 图1为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；
[0015] 图2为本发明实施例提供的一种有机发光层与阴极之间的光线传输示意图；
[0016] 图3为本发明实施例提供的一种有机发光器件阴极形貌显微图片；
[0017] 图4为本发明实施例提供的对比例的阴极形貌显微图片；
[0018] 图5为本发明实施例提供的有机发光器件与对比例的透光率对比图；
[0019] 图6为本发明实施例提供一种有机发光器件的结构示意图；
[0020] 图7为本发明实施例提供的一种有机发光器件阴极
方块电阻与对比例的阴极方块电阻对比示意图；
[0021] 图8为本发明实施例提供的一种有机发光器件的结构示意图；
[0022] 图9为本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图；
[0023] 图10为本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图；
[0024] 图11为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0025] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
[0026] 在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述述语在本发明的中的具体含义。
[0027] 图1所示为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。参见图1，该有机发光显示面板包括阵列基板10，阵列基板10包括多个驱动元件(图中未示出)；与驱动元件对应设置的有机发光器件20，有机发光器件20包括阳极21和阴极25，以及位于阳极21和阴极25之间的有机发光层22，和位于有机发光层22与述阴极25之间的电子传输层23，其中，阴极25与电子传输层23之间设置有第一过渡层24，第一过渡层24包括有机材料，且第一过渡层24对于波长为500nm的可见光的折射率n1与电子传输层23对于波长为500nm的可见光的折射率n2满足：0.05≤n1-n2≤0.4；第一过渡层24的最低未占据轨道能级LUMO1与阴极25的功函数 之间满足： 电子传输层23的最低未占据轨道
能级LUMO2与第一过渡层24的最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.4eV≤|LUMO1-LUMO2|≤1eV。
[0028] 可以理解的是，本发明实施例中的阵列基板10可为柔性基板，相应的有机发光显示面板可为柔性有机发光显示面板，柔性有机发光显示面板具有低功耗和可弯曲等性能，适用于各种显示设备，尤其适用于可穿戴显示设备中。可选的，柔性基板的材质为聚酯亚胺或聚对苯二
甲酸乙二醇脂
树脂。另外，阵列基板10还可为刚性基板，相应的有机发光显示面板为刚性有机发光显示面板。本发明实施例并不对有机发光显示面板的材质做特别限定。
[0029] 本发明实施例提供的有机发光显示面板，有机发光器件20的阳极21与阵列基板10一侧表面
接触，有机发光层22、电子传输层23、第一过渡层24和阴极25依次层叠在阳极21上。在有机发光器件20发光过程中，驱动元件向阳极21施加正电压。阳极21的材料可以选用
氧化铟
锡(ITO)。具体的，阳极21至少包括反射性膜，反射性膜可位于阳极21背离阵列基板10的一侧表面上，反射性膜的材料可以为Ag。阳极21还可包括透明导电
薄膜，位于反射性膜背离阵列基板10的一侧表面，透明导电薄膜的材料可为ITO或氧化铟锌(IZO)。
[0030] 在有机发光器件20的发光过程中，驱动元件向阴极25施加负电压。为了提升电子载流子的注入能
力，阴极25可以选用Ag，Al，Ca，In，Li，Mg等低功函数金属材料或者低功函数复
合金属材料。
[0031] 现有技术中，有机发光器件20的阴极25在制作过程中会形成缺陷影响光线透过率，引起发光性能恶化，例如当镁银共蒸做阴极时，厚度较薄，阴极易形成岛形；银单独做阴极时容易聚集，形成缺陷，并且阴极厚度较厚时(大于200A)，光透射率会发生恶化。
[0032] 图2所示为本发明实施例提供的一种有机发光层与阴极之间的光线传输示意图。参见图2，有机发光层22发出的光线，经过电子传输层23，到达第一过渡层24，因第一过渡层
24的折射率n1大于电子传输层23的折射率n2，从而，根据折射定律：n1/n2＝sinθ2/sinθ1，则θ1<θ2，在电子传输层23和第一过渡层24的界面光线向出光侧提取一次，提高光的提取率；可选的，设置电子传输层23的折射率n2大于有机发光层22的折射率n3，在有机发光层22与电子传输层23之间的界面，根据折射定律，图中θ2<θ3，在该界面光线向出光侧再提取一次，提高光的提取率。具体地，在本实施例中，第一过渡层24对于波长为500nm的可见光的折射率n1满足：1.8≤n1≤2.2。第一过渡层24对于波长为500nm的可见光的光吸收系数A为：A≤0.5％。通过设置第一过渡层24对于波长为500nm的可见光的光吸收系数A≤0.5％，可以保证有机发光器件20具有足够的出光效率。
[0033] 在本实施例中，第一过渡层24的最低未占据轨道能级LUMO1与阴极25的功函数之间满足： 电子传输层23的最低未占据轨道能级LUMO2与第一过渡层24的最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.4eV≤|LUMO1-LUMO2|≤1eV，通过设置电子传输层23、第一过渡层24的最低未占据轨道能级和阴极25功函数的能级匹配，有利于电子载流子的迁移，降低了电子的注入势垒，利于更多的电子注入至有机发光层22。
[0034] 可以理解的是，由于电子带负电，电子迁移时由低能级向高能级迁移，设置0.4eV≤|LUMO1|-|LUMO2|≤1eV，更有利于电子迁移，提高
有机发光器件的性能。
[0035] 本发明实施例提供的有机发光显示面板，通过设置第一过渡层的折射率大于电子传输层的折射率，避免有机发光层发出的光线经过电子传输层和第一过渡层界面时发生全反射，提高光线的提取率；通过设置阴极功函数、第一过渡层以及电子传输层的最低未占据轨道能级的关系，降低了电子的注入势垒，利于更多的电子注入至有机发光层，从而提高有机发光器件的光提取率，有效提高发光效率，提高有机发光显示面板的性能。
[0036] 可选的，第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1与阴极的功函数 之间满足：电子传输层的最低未占据轨道能级LUMO2与第一过渡层的
最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.5eV≤|LUMO1-LUMO2|≤0.7eV。
[0037]
申请人发现，通过设置第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1与阴极的功函数之间满足： 以及电子传输层的最低未占据轨道能级LUMO2与第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.5eV≤|LUMO1-LUMO2|≤
0.7eV这样的能级范围时，可以进一步提高电子注入效率，提高有机发光器件的性能。
[0038] 可选的，第一过渡层的最高占据轨道能级HOMO1满足：5.8eV≤|HOMO1|≤6.4eV；第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1满足：2.2eV≤|LUMO1|≤2.8eV。
[0039] 通过设置第一过渡层的最高占据轨道能级HOMO1满足：5.8eV≤|HOMO1|≤6.4eV；第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1满足：2.2eV≤|LUMO1|≤2.8eV，可以使第一过渡层和阴极、电子传输层之间匹配合理的能级差，提高电子注入效率。
[0040] 继续参见图1，可选的，第一过渡层24邻接阴极25设置，第一过渡层24用于改善阴极25靠近第一过渡层25的表面形貌。可选的，阴极25靠近第一过渡层24的表面粗糙度小于阴极25背离第一过渡层24的表面粗糙度。
[0041] 可以理解的是，第一过渡层24可以缩短阴极25金属与第一过渡层24界面的分散长度，改善阴极25的形貌及均一性，减少光
波导效应及阴极25
表面等离子体贡献，从而增加阴极25的透光性能。
[0042] 利用扫描电子
显微镜(SEM)对阴极进行显微成像，可以得到阴极的形貌图片，图3所示为本发明实施例提供的一种有机发光器件阴极形貌显微图片，图4所示为本发明实施例提供的对比例的阴极形貌显微图片，其中对比例为不包括第一过渡层的有机发光器件。由图3和图4对比可知，第一过渡层可以明显改善阴极形貌。图5所示为本发明实施例提供的有机发光器件与对比例的透光率对比图，其中实线为本实施例的有机发光器件阴极透过率曲线，虚线为对比例的有机发光器件阴极透过率曲线。由图5可知，第一过渡层有助于增加阴极的透光性能，提高有机发光器件的性能。
[0043] 可选的，第一过渡层包含喹啉基团、恶唑基团以及二氮蒽基团中的一种或者多种。
[0044] 第一过渡层可以为包括喹啉基团、恶唑基团或二氮蒽基团的有机化合物，可以使用一种有机物，也可以多种混合，本实施例对此不作限定。包括喹啉基团、恶唑基团或二氮蒽基团的有机化合物与形成阴极的金属具有较强的
亲和性，可以有效缩短阴极金属成膜时的分散长度，增加阴极的透光性能，提高有机发光器件的性能。
[0045] 可选的，第一过渡层的厚度d满足：d≤30nm。
[0046] 可以理解的是，第一过渡层设置过厚可能会使器件性能降低，设置第一过渡层厚度小于或等于30nm可以产生较好的发光性能，保证阴极有同等透光率的条件下，阴极厚度可以从10nm～14nm提升到14nm～19nm，有效降低阴极电阻，降低功耗。
[0047] 图6所示为本发明实施例提供的一种有机发光器件的结构示意图。参见图6，可选的，第一过渡层24中包含有第一
掺杂剂241，第一掺杂剂241的功函数 小于阴极25的功函数 可选的，第一掺杂剂241包含
碱土金属元素或者
稀土金属元素。
[0048] 可以理解的是，一些稀土金属或者碱土金属的单质或者化合物掺杂入第一过渡层24后，能够降低阴极25与第一过渡层24之间的界面电阻，从而提升阴极25向第一过渡层24注入电子的能力，提升有机发光器件的响应速度和发光效率。在本是实施例中，第一掺杂剂
241的功函数 小于阴极25的功函数 这样设置能够进一步增强阴极25向第一过渡层24的电子注入能力。示例性的，第一掺杂剂241具体可以为Mg、Ga、Yb、Sm、Y、Tm、Gd和Lu元素中的至少一种。
[0049] 图7所示为本发明实施例提供的一种有机发光器件阴极方块电阻与对比例的阴极方块电阻对比示意图。其中实线为本实施例的有机发光器件阴极不同点位方块电阻曲线，虚线为对比例的有机发光器件阴不同点位方块电阻。参见图7，本实施例提供的有机发光器件可以明显降低阴极方块电阻，提升有机发光器件性能。
[0050] 图8所示为本发明实施例提供的另一种有机发光器件的结构示意图。参见图8，可选的，电子传输层23中包含第二掺杂剂231，第二掺杂剂231的功函数 小于或者等于第一掺杂剂241的功函数 可选的，第二掺杂剂231包含稀土金属元素或者碱土金属元素。
[0051] 示例性的，第二掺杂剂231具体可以为Mg、Ga、Yb、Sm、Y、Tm、Gd和Lu元素中的至少一种。第二掺杂剂231有助于提高电子传输层23的电子传输能力，提高有机发光器件性能。
[0052] 可以理解的是，第一掺杂剂241和第二掺杂剂231可以选用相同的元素，也可以选用不同的元素，选用相同元素时可以用同种工艺实现，有利于降低成本。
[0053] 图9所示为本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图。参见图9，可选的，阴极25与电子传输层23之间还包括电子注入层26。可选的，电子注入层26位于电子传输层23与第一过渡层24之间，电子注入层26的最低未占据轨道能级LUMO3与第一过渡层24的最低未占据轨道能级LUMO1以及电子传输层23的最低未占据轨道能级LUMO2之间满足：|LUMO2|≤|LUMO3|≤|LUMO1|。
[0054] 通过电子注入层26以及电子注入层26的能级设置，可以进一步提高器件电子注入效率，提高发光性能。
[0055] 图10所示为本发明实施例提供的又一种有机发光器件的结构示意图。参见图10，可选的，电子注入层26位于第一过渡层24与阴极25之间，电子注入层26包括稀土金属或者碱土金属中的一种或者多种。
[0056] 示例性的，电子注入层26可以选用Yb、Sm等元素形成薄层，设置于阴极25和第一过渡层24之间，提高器件的电子注入效率。
[0057] 图11为本发明实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。参见图11，该有机发光显示装置1包括本发明实施例提供的任意一种有机发光显示面板2。该有机发光显示装置1具体可以为手机、电脑以及智能可穿戴设备等。
[0058] 本发明实施例提供的有机发光显示装置，包括上述有机发光显示面板，课实现上述有机发光显示面板的所有有益效果，即通过设置有机发光器件的第一过渡层对于波长为500nm的可见光的折射率n1与电子传输层对于波长为500nm的可见光的折射率n2满足：0.05≤n1-n2≤0.4，即第一过渡层的折射率大于电子传输层的折射率，避免有机发光层发出的光线经过电子传输层和第一过渡层界面时发生全反射，提高光线的提取率；通过设置第一过渡层的最低未占 据轨道能级LUMO 1与阴极的功函数 之间满足 ：
有利于电子载流子的迁移；通过设置电子传输层的最低未占
据轨道能级LUMO2与第一过渡层的最低未占据轨道能级LUMO1之间满足：0.4eV≤|LUMO1-LUMO2|≤1eV，二者之间最低未占据轨道的能级差较小，降低了电子的注入势垒，利于更多的电子注入至有机发光层，从而提高有机发光器件的光提取率，有效提高发光效率，提高有机发光显示面板的性能。
[0059] 注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的
权利要求范围决定。
