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一种 碳化 硅结势垒肖特基 二极管

阅读：108发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种碳化硅结势垒肖特基二极管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提出了一种具有低正向导通电压、高反向击穿电压的碳化硅（SiC）结势垒肖特基二极管。所述碳化硅结势垒肖特基二极管包括碳化硅衬底，衬底上具有不同导电类型的碳化硅外延层。另外在上端表面还制作有有源区和注入区，碳化硅衬底底部背面覆盖有欧姆接触电极，有源区和注入区表面设有肖特基接触电极，在所述的肖特基电极边缘设有钝化层，在钝化层下制作有结终端。本实用新型与传统器件相比，在JBS器件中的漂移区中增加有源区注入，能够有效分散反向击穿时的电场分布，增加反向耐压，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，使器件达到更高的击穿电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利，下面是一种碳化硅结势垒肖特基二极管专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，具有如下结构：
包括SiC衬底（1），该衬底的材料掺杂类型为第一导电类型；
在SiC衬底（1）上具有SiC外延层（2），该外延层的材料掺杂类型为第一导电类型；
在SiC外延层（2）上端表面，制作有第一导电类型的有源区（3）和第二导电类型的注入区（4）；
同时SiC衬底（1）底部背面覆盖有欧姆接触电极（8），SiC第一导电类型有源区（3）和第二导电类型注入区（4）表面设有肖特基接触电极（7），在所述的肖特基电极（7）边缘设有钝化层（6），在钝化层（6）下制作有结终端（5）。
2. 根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型的有源区（3）内设有多个掺杂有第二导电类型的注入区（4），其深度为0.1μm 2μm，其~
浓度为5×1016cm-3 5×1022 cm-3，相邻第二导电类型的注入区（4）注入最大间距不超过10μ~
m。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型的有源区（3）的深度大第二导电类型的于注入区（4）的深度且小于SiC外延层（2）厚度的一半，其浓度大于该外延层浓度。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述的肖特基接触电极（7）制备材料为Ti、TiN、TaN、W、Ni、Pt、Si、Al或Mo任意一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极（8）可为Ti、Ni、Ag或Au任意一种或多种的组合。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述SiC衬底（1）的材料掺杂浓度为1×1018cm-3 1×1020 cm-3，SiC外延层（2）浓度为1×1014cm-3 1×~ ~
1017 cm-3。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
9.根据权利要求1所述的一种碳化硅结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触电极（7）边缘和第一导电类型的有源区（3）边缘均落在第二导电类型的注入区（4）的内部。

说明书全文

一种碳化 硅结势垒肖特基 二极管

技术领域

[0001] 本实用新型涉及领域为半导体器件领域。更具体地为，一种碳化硅结势垒肖特基二极管。

背景技术

[0002] 在功率器件领域，相比于传统材料Si，SiC材料具有更宽的禁带宽度，器件的耐压特性和耐高温特性会更为优秀。碳化硅器件的耐击穿性能优异，因此在相同电学性能要求下，碳化硅器件可拥有比硅基器件更薄的厚度。同时碳化硅器件具有更小的导通电阻，从而可以降低正向导通损耗，提高转换效率。

[0003] 碳化硅功率器件的耐高温特性，允许其在600°C的温度环境下工作，而对应的硅器件则不超过 200°C。此外碳化硅功率器件的正向导通特性和反向阻断特性受温度影响较小，且能长时间保持基本不变，即碳化硅功率器件具有很好的器件稳定性和器件可靠性。

[0004] 肖特基二极管（SBD) 导通压降低，有良好的开关特性。其开关频率很高，反向恢复峰值电流很小，此外温度和正向电流对其器件性能的影响基本可以忽略。但 SBD 的反向阻断特性较差，大多不高于60V，最高仅约100V，从而使 SBD 很难应用于高压领域。PiN 二极管的阻断电压相对SBD来说较高，同时有较低的反向漏电，能够满足在高压环境下的应用需求。然而在高频电路中，PiN 二极管反向恢复的时间长，峰值电流大，能耗较高。

[0005] SiC结势垒肖特基二极管（JBS）把肖特基二极管（SBD）和PiN结构结合在一起，反偏PN结的空间电荷区可为SBD结构承载较高的反向偏压。因此，相比于SBD，JBS结构在反向模式下漏电流更小，耐压性更好。另外，在传统JBS器件中的漂移区中增加有源区注入，能够有效分散反向击穿时的电场分布，增加反向耐压。

[0006] 针对以上特征，本实用新型提出了一种具有低正向导通电压、高反向击穿电压的SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法。发明内容

[0007] 本实用新型的目的为设计一种具有低导通电压，高反向耐压的SiC结势垒肖特基二极管。在不牺牲器件正向导通特性的前提下，达到更高的击穿电压。

[0008] 实现本实用新型的技术方案为：

[0009] 一种结势垒器件结构包括SiC衬底（1），SiC外延层（2），第一导电类型的有源区（3），底部的欧姆接触电极（8），外延层表面的肖特基接触电极（7），钝化层（6），第二导电类型的注入区（4），结终端（5）。

[0010] 其中，SiC衬底（1）、SiC外延层（2）和第一导电类型的有源区（3）掺杂有第一导电类型离子，第二导电类型的注入区（4）掺杂有第二导电类型离子。

[0011] 其中，第二导电类型的注入区（4）应在第一导电类型的有源区（3）内部。

[0012] 其中，注入区（4）俯视形状可为方形、圆形或者六边形。

[0013] 其中，掺杂有第一导电类型的有源区（3）可在反向电压时有效保护掺杂有第二导电类型的注入区（4）的电场分布，增大器件的反向耐压能力。

[0014] 其中，结终端（5）可以降低结终端附近电场，防止由电场表面曲率效应造成的表面击穿。附图说明

[0015] 图1为本实用新型一个实施例的SiC结势垒肖特基二极管器件结构示意图。

[0016] 图2为本实用新型一个实施例的主器件结构示意图。

[0017] 图中，1. SiC衬底，2. SiC外延层，3. 第一导电类型的有源区，4. 第二导电类型的注入区，5. 结终端，6. 钝化层，7.肖特基接触电极，8. 欧姆接触电极。

具体实施方式

[0018] 为了更清楚地展示本实用新型成果，下面将结合附图对本实用新型进一步阐述。

[0019] 本实用新型提供了一种SiC肖特基二极管。本实施例中第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。其中包括SiC衬底（1），在SiC衬底（1）上，制备有第一导电类型的SiC外延层（2），即缓冲层。在缓冲层表面设置有较大的第一导电类型有源区（3），所述有源区表面设有肖特基接触电极（7）。在肖特基接触电极（7）下设有掺杂有第二导电类型的注入区（4）以与SiC衬底（1）和SiC外延层（2）一同形成PiN结，同时缓冲层表面的外围区域设有结终端（5）。另外，在上述肖特基接触电极（7）边缘设有钝化层（6），在SiC衬底（1）底部覆盖有欧姆接触（8）。

[0020] SiC衬底（1）的制备材料可为4H-SiC，掺杂类型为第一导电类型，掺杂浓度为1×1018cm-3，厚度为350μm。

[0021] 在SiC衬底（1）上制备SiC外延层（2），厚度为6μm，掺杂类型为第一导电类型，掺杂浓度为1×1016 cm-3。

[0022] 在SiC外延层（2）上端表面，制有有源区（3），掺杂类型为第一导电类型，掺杂浓度为1×1017cm-3。

[0023] 在有源区（3）内设有多个掺杂制作有第二导电类型的注入区（4），通过光刻有源区（3）上表面得到，其掺杂浓度为5×1018cm-3，相邻第二导电类型的注入区（4）注入最大间距不超过10μm，俯视图形可为方形、圆形、六边形或它们的组合。

[0024] 结终端（5）掺杂类型为第二导电类型，结构为场限环或掺杂浓度渐变的JTE。

[0025] 肖特基接触电极（7）为Ti、TiN、TaN、W、Ni、Pt、Si、Al或Mo任意一种或多种的组合。

[0026] 欧姆接触电极（8）可为Ti、Ni、Ag或Au任意一种或多种的组合。

[0027] 一种SiC结势垒肖特基二极管的制备方法，包括以下步骤：

[0028] 第1步，在N++ SiC衬底（1）上生长N- SiC外延层（2）。

[0029] 对N++衬底片（1）进行RCA标准清洗以及其他预处理，该衬底晶型为4H-SiC，掺杂浓度为1×1018 cm-3，厚度为350μm。使用MOCVD，在N++ SiC衬底（1）上外延沉积厚度为6μm，掺杂浓度为1×1016 cm-3的N- SiC，该SiC晶型为4H-SiC。应理解，本实用新型并不仅限于N型掺杂，应用于P型掺杂时不需要改变掺杂浓度以及厚度等几何参数。

[0030] 第2步，在N- SiC外延层（2）上注入形成N+有源区（3）。

[0031] 使用PECVD，在N- SiC外延层（2）上沉积2μm厚的SiO2作为掩蔽层，通过光刻形成N离子注入窗口。进行不同能量剂量的N离子组合注入，结束后在1600℃真空或惰性气体氛围下进行激活退火。刻蚀去除SiO2掩蔽层。

[0032] 第3步，形成P型注入区（4）和P型结终端（5）。

[0033] 使用PECVD，在N- SiC外延层（2）上沉积2μm厚的SiO2作为掩蔽层，光刻和湿法刻蚀后形成Al离子注入区，Al离子注入后1600℃激活退火，形成P+ 离子注入区（4）以及外围的P+ 型结终端（5）。刻蚀去除SiO2掩蔽层。

[0034] 第4步，在N++ SiC衬底（1）背面形成欧姆接触。

[0035] 在衬底背面通过溅射，得到100nm厚的Ni金属层，在950℃氮气氛围下快速热退火5分钟，形成欧姆接触电极（8），之后再淀积加厚金属Ti/Ni/Ag。

[0036] 第5步，沉积SiO2 钝化层。

[0037] 使用PECVD，在有源区（3）上沉积500nm厚的SiO2，作为钝化层（6），再通过光刻和湿法刻蚀得到SiO2窗口。

[0038] 第6步，沉积肖特基金属，形成肖特基接触电极（7）。

[0039] 通过溅射，在有源区（3）沉积得到300nm厚的Ti金属层，再借助光刻形成金属图形，退火后再淀积加厚金属Al。

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