在共同基體上製造肖特基能障二極體及非晶形矽薄膜太陽電池之方法
阅读：1发布：2022-10-08
专利汇可以提供在共同基體上製造肖特基能障二極體及非晶形矽薄膜太陽電池之方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一 薄膜 ｐ－ｉ－ｎ太陽電池（12）及肖特基能障二極體（14）為於一共同撓曲性聚亞胺基體（16）上彼此相鄰地製造。於緊接製造中，一氮化鈦擴散阻礙物（24）能防止於基體上一鋁接觸層（22）的污染物與太陽電池（12）及二極體（14）的半導體物體發生反應。一n+一型氫化非晶形矽層（26）為覆蓋於硝化鈦層（24）之上，且與太陽電池（12）及二極體（14）形成歐姆接觸。二極體（14）包含一矽的 n 型層（36），此 n 型層係用磷摻雜至其（36）濃度為每立方公分10^18至10^20個 原子 ，以增加其前向導電 密度 。太陽電池（12）及二極體（14）係藉一環 氧 帶（28）將它們彼此隔開。頂部導電性氧化物層（38）與二極體（14）的半導體物體形成一肖特基能障。，下面是在共同基體上製造肖特基能障二極體及非晶形矽薄膜太陽電池之方法专利的具体信息内容。
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