一种光阻残留物清洗液
专利汇可以提供一种光阻残留物清洗液专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种有效地去除 光刻 胶 残留物的光刻胶剥离液组成及其应用。该光刻胶剥离液以三 乙醇 胺 硼 酸酯、含有酸性基团的共聚物和还原性的糖或肼作为主要的金属 腐蚀 抑制剂 ，三者同时使用，可使得该剥离液在有效的去除 晶圆 上的光刻胶的同时，能有效的保护基材如金属 铝 、 铜 等基本无腐蚀，在对晶圆清洗后可以用 水 直接漂洗。并且不会对UBM( 凸 块 下金属层)蚀刻造成影响和产生UBM残留。因此该新型的清洗液在金属清洗和 半导体 晶片 清洗等微 电子 领域具有良好的应用前景。，下面是一种光阻残留物清洗液专利的具体信息内容。
1.一种光阻残留物清洗液，包括：季胺氢氧化物、醇胺、溶剂、去离子水、三乙醇胺硼酸酯、含有酸性基团的共聚物和均聚物以及还原性糖或肼。
2.如权利要求1所述的清洗液，其中所述季胺氢氧化物含量为质量百分比0.1-10％。
3.如权利要求1所述的清洗液，其中所述季胺氢氧化物含量为质量百分比0.5-8％。
4.如权利要求1所述的清洗液，其中所述醇胺含量为质量百分比0.1-25％。
5.如权利要求1所述的清洗液，其中所述醇胺含量为质量百分比0.5-15％。
6.如权利要求1所述的清洗液，其中所述三乙醇胺硼酸酯含量为质量百分比0.01～
8％。
7.如权利要求1所述的清洗液，其中所述三乙醇胺硼酸酯含量为质量百分比0.1-5％。
8.如权利要求1所述的清洗液，其中所述含有酸性基团的共聚物含和均聚物量为质量百分比0.001-3％。
9.如权利要求1所述的清洗液，其中所述含有酸性基团的共聚物和均聚物含量为质量百分比0.01-1％。
10.如权利要求1所述的清洗液，其中所述还原性糖或肼含量为质量百分比
0.001-3％。
11.如权利要求1所述的清洗液，其中所述还原性糖或肼含量为质量百分比0.01-1％。
12.如权利要求1所述的清洗液，其中所述去离子水含量为质量百分比0.1-30％。
13.如权利要求1所述的清洗液，其中所述去离子水含量为质量百分比0.5-24％。
14.如权利要求1所述的清洗液，其中所述季铵氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。
15.如权利要求1所述的清洗液，其中所述醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。
16.如权利要求1所述的清洗液，其中所述有机溶剂为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。
17.如权利要求16所述的清洗液，其中所述的亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和
1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚为二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。
18.如权利要求1所述的清洗液，其中所述含有酸性基团的共聚物为含有羟基、氨基的聚丙烯酸酯类共聚物和均聚物。
19.如权利要求1所述的清洗液，其中所述含有酸性基团的聚丙烯酸酯类聚合物为聚丙烯酸均聚物，聚丙烯酸共聚物、苯乙烯与丙烯酸羟乙酯的二元共聚物、丙烯酸、马来酸酐与苯乙烯三元星型共聚体系，丙烯酸甲酯及丙烯酸羟乙酯的二元共聚物、丙烯酸与马来酸的二元共聚物，丙烯酸与及丙烯酸羟乙酯的二元共聚物、丙烯酸与丙烯酸丁酯及丙烯酰胺的三元共聚物中的一种或多种。
20.如权利要求1所述的清洗液，其中所述还原性糖为葡萄糖、果糖、半乳糖、乳糖、麦芽糖等中的一种或几种；肼为肼基甲酸甲酯、肼基甲酸苄酯、肼基甲酸乙酯、肼基甲酸叔丁酯、苯肼、硫酸肼、乙酰肼、甲酰肼、苯甲酰肼、草酰二肼、二甲酰肼、烟酸酰肼、碳酸二酰肼、苯磺酰肼、2-羟乙基肼、N-乙酰苯肼、对甲苯磺酰肼、邻苯二甲酰肼、顺丁烯二酰肼、4-羟基苯甲酰肼等中的一种或几种。
21.如权利要求1所述的清洗液，其中所述清洗液的pH大于10。
22.如权利要求1所述的清洗液，其中所述清洗液的pH大于11。
一种光阻残留物清洗液
技术领域
背景技术
102141743 A利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，醇胺和糖醇类金属腐蚀抑制剂组成碱性清洗液，该清洗液对铝铜有较好的保护，但是所需的糖醇含量较高，对光刻胶的去除有很大影响。随着半导体的快速发展，特别是凸球封装领域的发展，对光刻胶残留物的清洗要求也相应提高；主要是在单位面积上引脚数(I/O)越来越多，光刻胶的去除也变得越来越困难。由此可见，寻找更为有效的光刻胶清洗液是该类光刻胶清洗液努力改进的优先方向。一般而言，提高碱性光刻胶清洗液的清洗能力主要是通过提高清洗液的碱性、选用更为有效的溶剂体系、提高操作温度和延长操作时间几个方面来实现的。同时也要兼顾UBM(图快下金属层)的蚀刻不能受到影响和产生UBM残留。但是，提高清洗液的碱性和操作温度以及延长清洗时间往往会增加对金属的腐蚀，同时也可能会有UBM残留的问题。
通常情况下，在凸点封装领域涉及的金属主要是银、锡、铅和铜四种金属。近年来，为了进一步降低成本同时提高良率，一些封装测试厂商开始要求光刻胶清洗液也能进一步抑制金属铝的腐蚀。为了适应新的形势，必须开发出一类光刻胶去除能力强，成本较低，能够对金属铝基本无腐蚀以及不影响清洗之后UBM蚀刻的清洗液。
发明内容
所述的酰胺较佳的为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚较佳的为二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。
具体实施方式
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