晶圆图的生成方法
阅读：923发布：2020-05-08
专利汇可以提供晶圆图的生成方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种 晶圆 图的生成方法，晶圆包括多个重复的曝光单元，晶圆图的生成方法包括如下步骤：画出所述晶圆的轮廓和所述曝光单元的轮廓；获取所述曝光单元的 属性信息 ，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元分布图；复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图；去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。本发明 实施例 的晶圆图的生成方法，具有高效、便捷、直观、可用性以及易用性极强的特点，通过本发明的方法构建便捷、高效、适应性强的计算机晶圆图可以极大的提高 半导体 晶圆自动化测量的效率，提高单位时间的产出，并减少人 力 资源的消耗，避免不必要的人为错误。，下面是晶圆图的生成方法专利的具体信息内容。
1.一种晶圆图的生成方法，晶圆包括多个重复的曝光单元，其特征在于，包括如下步骤：
画出所述晶圆的轮廓和所述曝光单元的轮廓；
获取所述曝光单元的属性信息，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元的芯片分布图；
复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图；
去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。
2.如权利要求1所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，所述曝光单元的属性信息包括：所述曝光单元包括的芯片的类型、各种所述芯片的长度和宽度，以及各种所述芯片相对于曝光单元的坐标。
3.如权利要求2所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元分布图的步骤包括：
根据各种所述芯片相对于所述曝光单元的坐标绘制各种所述芯片的矩形轮廓，同时在各种所述芯片的矩形轮廓内标注各种所述芯片类型的代号。
4.如权利要求1所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，所述曝光单元中的芯片包括主芯片和测试芯片。
5.如权利要求4所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，画出所述曝光单元分布图之后，排布生成粗晶圆图之前还包括：
剔除所述曝光单元中的测试芯片。
6.如权利要求1所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，所述曝光单元至少包括一种芯片。
7.如权利要求6所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，所述曝光单元包括的芯片的种类大于两种，所述晶圆为多项目晶圆。
8.如权利要求1至7任意一项所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，所述晶圆、所述曝光单元以及所述芯片的属性信息通过专用配置文件存储。
9.如权利要求8所述的晶圆图的生成方法，其特征在于，生成的晶圆图采用txt文本存储。
晶圆图的生成方法
技术领域
背景技术
[0002] 晶圆图记载了晶圆上芯片的分布信息，在已有晶圆图的情况下(例如设计稿给出的晶圆图)，将晶圆图直接导入扫描机台即可。在没有晶圆图的情况下，需要后续生成晶圆图。
[0003] 对于晶圆上只有一种芯片，那么根据实际的晶圆尺寸、单个芯片的尺寸、复制排列即可简单生成。对于晶圆上分布有不同种的芯片，每种芯片的大小尺寸、版图均不一样，晶圆图的生成变得较复杂。
[0004] 实际操作中，存在手动逐一识别并画出不同种的芯片，有时还需手动剔除图中的测试芯片，尤其在缺陷扫描机台应运中，缺陷扫描时不需要扫描测试芯片，所以需要剔除测试芯片，手动画晶圆图效率极低且容易出错。
[0005] 半自动法需要扫描机台根据芯片形貌扫描后识别不同种芯片，通常形貌相近的芯片无法区分开，以及芯片边界形貌不好的芯片容易过杀(例如功能芯片被当作测试芯片剔除)，导致仍需手动修正，效率较低。
发明内容
[0006] 本发明的目的在于提供一种晶圆图的生成方法，提高晶圆图的生成效率，避免手动识别不必要的人为错误。
[0007] 本发明提供一种晶圆图的生成方法，晶圆包括多个重复的曝光单元，包括如下步骤：
[0008] 画出所述晶圆和所述曝光单元的轮廓；
[0009] 获取所述曝光单元的属性信息，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元的芯片分布图；
[0010] 复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图；
[0011] 去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。
[0012] 进一步的，所述曝光单元的属性信息包括：所述曝光单元包括的芯片的类型、各种所述芯片的长度和宽度，以及各种所述芯片相对于曝光单元的坐标。
[0013] 进一步的，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元分布图的步骤包括：
[0014] 根据各种所述芯片相对于所述曝光单元的坐标绘制各种所述芯片的矩形轮廓，同时在各种所述芯片的矩形轮廓内标注各种所述芯片类型的代号。
[0015] 进一步的，所述曝光单元中的芯片包括主芯片和测试芯片。
[0016] 进一步的，画出所述曝光单元分布图之后，排布生成粗晶圆图之前还包括：
[0017] 剔除所述曝光单元中的测试芯片。
[0018] 进一步的，所述曝光单元至少包括一种芯片。
[0019] 进一步的，所述曝光单元包括的芯片的种类大于两种，所述晶圆为多项目晶圆。
[0020] 进一步的，所述晶圆、所述曝光单元以及所述芯片的属性信息通过专用配置文件存储。
[0021] 进一步的，生成的晶圆图采用txt文本。
[0022] 与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
[0023] 本发明提供一种晶圆图的生成方法，晶圆包括多个重复的曝光单元，通过获取所述曝光单元的属性信息，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元的芯片分布图；复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图；去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。本发明的方法操作简单，自动化程度高，可大大简化晶圆图生成时手动识别/剔除测试芯片的步骤，避免不必要的人为错误。附图说明
[0024] 图1为本发明实施例的晶圆图的生成方法流程示意图。
[0025] 图2至图6为本发明一实施例的晶圆图的生成方法各步骤示意图。
[0026] 图7至图9为本发明另一实施例的晶圆图的生成方法各步骤示意图。
[0027] 其中，附图标记如下：
[0028] 1-晶圆；10-曝光单元；2-晶圆；20-曝光单元。
具体实施方式
[0029] 本发明实施例提供了一种晶圆图的生成方法。以下结合附图和具体实施例对本发明进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0030] 一种晶圆图的生成方法，晶圆包括多个重复的曝光单元，如图1所示，包括如下步骤：
[0031] 画出所述晶圆的轮廓和所述曝光单元的轮廓；
[0032] 获取所述曝光单元的属性信息，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元的芯片分布图；
[0033] 复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图；
[0034] 去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。
[0035] 其中，越界是指芯片越过(超出)所述晶圆的轮廓的边缘；所述曝光单元(shot)指光刻机一次曝光图形。
[0036] 以下结合图2至图6详细介绍本发明一实施例的晶圆图的生成方法。
[0037] 如图2所示，晶圆1包括多个重复的曝光单元10，画出所述晶圆1的轮廓和所述曝光单元10的轮廓。在本实施例中，可以根据图形化输入界面获得的晶圆的属性信息参数，例如晶圆1的直径，来绘制晶圆1的轮廓。在晶圆1的轮廓中绘制一个曝光单元10的轮廓。曝光单元10的轮廓例如为一个矩形框。具体的，可采用机台(例如扫描机台)中的自带画图软件，也可以通过绘图软件如GDI,GDI+,OPEN GL等来绘制晶圆1的轮廓和曝光单元10的轮廓，所述曝光单元10的轮廓例如为矩形框，晶圆1包括多个重复的曝光单元。
[0038] 如图3所示，获取所述曝光单元10的属性信息，根据所述曝光单元10的属性信息画出曝光单元的芯片分布图；具体的，所述曝光单元10的属性信息包括：所述曝光单元包括的芯片的类型、所述芯片的长度和宽度，以及所述芯片相对于曝光单元的坐标。
[0039] 示例性的，曝光单元10中的芯片包括主芯片A和测试芯片，所述测试芯片包括第一测试芯片B和第二测试芯片C。主芯片A是指用于正式产品使用的功能芯片，测试芯片是指用于芯片生产过程工艺或制片完成后测试的芯片，测试芯片在后期剔除。根据所述曝光单元10包括的芯片的类型(例如A、B和C)、各种芯片的长度和宽度、各种芯片相对于曝光单元10的坐标画出曝光单元分布图。
[0040] 接着，如图3和图4所示，剔除所述曝光单元10中的测试芯片(第一测试芯片B和第二测试芯片C)。
[0041] 接着，如图5所示，复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图。机台(例如扫描机台)根据所述曝光单元的属性信息(例如曝光单元的宽度、长度)和晶圆的属性信息(例如直径)及划片槽尺寸信息复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图。具体的，在晶圆的轮廓内生成最大曝光单元矩阵，曝光单元例如为曝光单元，曝光单元之间的行和列上分布有划片槽(未示出)。曝光单元分布图已画出，根据晶圆直径、曝光单元的长度、曝光单元的宽度以及划片槽的宽度复制排布生成粗晶圆图。在本实施例中，晶圆包括多个重复的曝光单元，生成最大曝光单元矩阵的行为晶圆的直径与曝光单元的长度(图中竖直方向)之比，生成最大曝光单元矩阵的列为晶圆的直径与曝光单元的宽度(图中水平方向)之比。
[0042] 接着，如图6所示，去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。其中，越界是指芯片越过(超出)所述晶圆的轮廓的边缘。所述晶圆图可缩放为实际半导体晶圆的等比例放大或缩小样式，以方便用户查看。
[0043] 所述曝光单元至少包括一种芯片。示例性的，所述曝光单元包括的芯片种类可为一种，整个晶圆上的芯片全部相同。在单种芯片晶圆情况下，只需根据实际的晶圆尺寸、单个芯片的尺寸、复制排列即可简单生成。所述曝光单元中的芯片种类可为大于等于两种，例如前面所述每个所述曝光单元包括主芯片和测试芯片，整个晶圆上为多个重复的曝光单元。所述曝光单元中的芯片种类可为多种，即每个所述曝光单元包括多种芯片(多项目芯片)，整个晶圆上为多个重复的曝光单元，晶圆为多项目晶圆。
[0044] 在多项目晶圆制程中，每个晶圆包括多种不同芯片，多项目晶圆是不同制程的产品为节省开发成本共用一套掩膜板的晶圆。多项目晶圆(Multi Project Wafer，简称MPW)，就是将多种具有相同工艺的集成电路设计放在同一个掩模板(Reticle/Mask，也称为光罩)上流片，制造完成后，每个设计项目可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型设计阶段的实验、测试已经足够了。而该次制造费用就由所有参加多项目晶圆的项目按照各自所占的芯片面积分摊，成本仅为分别对单个项目进行原型制造成本的5％-10％，极大地降低了产品开发风险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。
[0045] 随着集成电路的技术不断地提升，最小的设计尺寸也在不断降低，单位面积芯片上的器件数量也越来越多。因此在集成电路设计开发阶段，设计者经常采用多项目晶圆，将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一圆片上流片，流片后每个设计品种可以得到数十片芯片样品，这一数量对于设计开发阶段的实验、测试已经足够。同时实验费用由所有参加MPW的项目按面积分担流片费用，以降低开发成本和新产品开发风险，降低中小集成电路设计企业在起步时的门槛，降低单次实验流片造成的资源严重浪费。MPW晶圆通常通过光罩的每个曝光单元(shot)作为一个图形空间(die)的方式进行生产。
[0046] 以下结合图7至图9详细介绍本发明另一实施例的晶圆图的生成方法。如图7至图9所示，晶圆2为多项目晶圆，一个多项目晶圆包括多个曝光单元20，为了降低成本和开发风险，缩短研发周期，每个曝光单元20中包括多种芯片(多项目芯片)。所述曝光单元20例如包括D、E、F、G四种芯片。画出所述晶圆2的轮廓和所述曝光单元20的轮廓。具体的，可采用机台(例如扫描机台)中的自带画图软件，画出所述曝光单元20的轮廓，所述曝光单元20的轮廓例如为矩形框。
[0047] 获取曝光单元20中每种芯片(例如D、E、F和G)的属性信息，例如芯片长度，芯片宽度，相邻芯片间划片槽宽度，空白尺寸等，画出曝光单元20中多种芯片的分布位置。根据每种芯片的属性信息和曝光单元20的矩形框确定每种芯片相对于曝光单元20的坐标。
[0048] 根据每种芯片相对于曝光单元20的坐标绘制每种芯片的矩形轮廓，同时在每种芯片的矩形轮廓内标注每种芯片类型的代号，例如D、E、F和G芯片。如图8所示，复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图。如图9所示，去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。本实施例生成的晶圆图显示效果直观，可以从晶圆图上直接看出当前芯片类型分布、相对位置和绝对位置，更加直观反映出晶圆的实际分布情况。各种芯片之间剩余的部分留作空白。若曝光单元20中，各种芯片总的宽度之和大于曝光单元20的宽度(图中水平方向)，或各种芯片总的长度之和大于曝光单元20的长度(图中竖直方向)，则会给出提示尺寸越界的警报信息。
[0049] 本实施例芯片分布图的创建方法简单，贴近操作人员使用计算机的习惯，利用鼠标拖动描绘矩形框或者通过输入行数、列数及列宽度、行高度来自动生成芯片分布图，更加快速高效。
[0050] 本实施例中，晶圆、曝光单元以及各种芯片的属性信息以及生成的晶圆图可以通过专用配置文件存储，例如采用txt文本。外部程序可调用txt文本内容，与外部程序交互能力强。由于有各种芯片类型、绝对位置和相对位置等信息，外部程序可以直接对各种芯片进行操控(如直接从图上定位到指定的芯片处)和属性检索(如位置、尺寸、类型等)。
[0051] 晶圆图是把一块圆形晶圆切成指定尺寸的多个小芯片。晶圆图是提供追溯产品发生异常原因的重要线索，通过晶圆图的空间分布情况及其模型分析，可以找出发生异常的芯片位置。晶圆图(Wafer map)广泛的用于晶圆的CP(circuit probe)测试中，根据晶圆图获取的CP测试结果，晶圆图可用于数据分析(data analysis)，芯片切割(Die saw)，芯片拾取(Die pickup)等，可以提高工作效率。
[0052] 综上所述，本发明提供了一种晶圆图的生成方法，本实施例画出所述曝光单元中的芯片分布图，所述芯片分布图涵盖曝光单元中各种芯片的分布位置(例如芯片相对于晶圆中心的横纵坐标)、芯片种类代号、芯片编码等。生成的晶圆图包括晶圆属性信息，参数包括：晶圆编号，晶圆直径，芯片编号，芯片宽度，芯片长度，芯片横坐标，芯片纵坐标。芯片的属性信息包括：芯片的类型、芯片的编号、芯片的在晶圆上的相对坐标位置、芯片的的状态信息。
[0053] 本发明实施例兼具单芯片晶圆、多目标晶圆图的构造方法，具有高效、便捷、直观、可用性以及易用性极强的特点，通过本发明的方法构建便捷、高效、适应性强的计算机晶圆图可以极大的提高半导体晶圆自动化测量的效率，提高单位时间的产出，并减少人力资源的消耗，避免不必要的人为错误。
[0054] 本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件未完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤：丽前述的存储介质包括：ROM,RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0055] 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言，由于与实施例公开的器件相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
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