一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图
专利汇可以提供一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种防止 翘曲 的屏蔽栅MOSFET版图，适用于屏蔽栅MOSFET 半导体 光刻 工艺，连接金属层通过 沟道 分割为屏蔽栅区域、屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅右侧区域；有源区沟槽层设有若干X方向有源区沟槽，上述X方向有源区沟槽横贯屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅区域、屏蔽栅右侧区域；栅极沟槽层设有若干栅极沟槽，上述栅极沟槽连贯横贯屏蔽栅区域的X方向有源区沟槽；上述屏蔽栅MOSFET版图还包括沟槽连接孔，上述沟槽连接孔连通屏蔽栅区域的X方向有源区沟槽和栅极沟槽，上述有源区沟槽层还设有若干Y方向有源区沟槽，上述Y方向有源区沟槽在屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅右侧区域和X方向有源区沟槽交叉。有益效果是屏蔽栅MOSFET半导体光刻工艺中防止 晶圆 翘曲。，下面是一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图专利的具体信息内容。
1.一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图，适用于屏蔽栅MOSFET半导体光刻工艺，所述屏蔽栅MOSFET版图包括连接金属层(1)，所述连接金属层(1)通过沟道(7)分割为屏蔽栅区域(5)、屏蔽栅左侧区域(6)、屏蔽栅右侧区域(8)；所述屏蔽栅MOSFET版图还包括有源区沟槽层，所述有源区沟槽层设有若干X方向有源区沟槽(2)，所述X方向有源区沟槽(2)横贯屏蔽栅左侧区域(6)、屏蔽栅区域(5)、屏蔽栅右侧区域(8)；所述屏蔽栅MOSFET版图还包括栅极沟槽层，所述栅极沟槽层设有若干栅极沟槽(3)，所述栅极沟槽(3)连贯横贯屏蔽栅区域(5)的X方向有源区沟槽(2)；所述屏蔽栅MOSFET版图还包括沟槽连接孔(4)，所述沟槽连接孔(4)连通屏蔽栅区域(5)的X方向有源区沟槽(2)和栅极沟槽(3)，其特征在于：所述有源区沟槽层还设有若干Y方向有源区沟槽(9)，所述Y方向有源区沟槽(9)在屏蔽栅左侧区域(6)、屏蔽栅右侧区域(8)和X方向有源区沟槽(2)交叉。
2.根据权利要求1所述的防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图，其特征在于：所述屏蔽栅区域(5)包括下部的栅极区域(51)、上部的厚氧柱区域(52)；第一部分X方向有源区沟槽(2)横贯厚氧柱区域(52)，第二部分X方向有源区沟槽(2)从屏蔽栅左侧区域(6)延伸进入栅极区域(51)，第三部分X方向有源区沟槽(2)从屏蔽栅右侧区域(8)延伸进入栅极区域(51)；第一栅极沟槽(3)连贯第一部分X方向有源区沟槽(2)，第二栅极沟槽(3)连贯第二部分X方向有源区沟槽(2)，第三栅极沟槽(3)连贯第三部分X方向有源区沟槽(2)。
一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图
【技术领域】
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