专利汇可以提供半導体装置、パワーモジュール、電力変換装置、自動車および鉄道車両专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且 基板 上面のソース領域と、基板底面のドレイン領域と、基板上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有するMOSFETのスイッチング速度を制御するために、ゲート電極に抵抗素子を接続する場合において、抵抗素子の形成に起因する半導体チップの大型化を防ぎ、半導体装置の小型化を実現する。その手段として、基板上に形成されたゲート電極を貫通する開口部を、ゲート電極上のゲートパッドの直下に形成し、当該開口部の側壁から延在するゲート電極の一部である細いパターンとゲートパッドとを電気的に接続し、当該パターンを上記抵抗素子として用いる。,下面是半導体装置、パワーモジュール、電力変換装置、自動車および鉄道車両专利的具体信息内容。
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