1.一种质谱分析装置，其特征在于，包含第1主基板、附着在第1主基板上面的第1上部基板、以及附着在第1主基板的下面的第1下部基板的多基板所组成的质谱分析装置，质谱分析室是被形成在第1主基板的，从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为第1贯通室，第1贯通室在与第1主基板的基板面相垂直的Z方向上被第1上部基板和第1下部基板所围，与Z方向成直角方向，并且沿带电粒子的行进方向，其被称之为X方向，第1贯通室在沿X方向的两侧被第1主基板侧板所围，与Z方向和X方向成直角方向，其被称之为Y方向，第1贯通室在Y方向的两侧面被第1主基板所围，此外，在X方向，存在邻接于前记的第1贯通室的从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为贯通室A，贯通室A和质谱分析室之间被第1主基板的隔壁所隔开，第1主基板的隔壁被称为第1主基板隔壁，在第1主基板隔壁的大致中央部位形成带电粒子通过孔，其被称之为中央孔，带电粒子从前记的贯通室A通过前记的中央孔，射入到质谱分析室作为特征的质谱分析装置，前记的质谱分析室是，磁场加载型，在形成前记的质谱分析室的第1主基板的上面附着了的第1上部基板的上侧和/或前记的第1主基板的下面附着了的第1下部基板的下侧被配置的电磁铁，由前记的电磁铁产生的与主基板面相垂直方向的磁场，改变了带电粒子的轨道做为特征。
2.如权利要求1所述的一种质谱分析装置，其特征在于，前记的磁场加载型质谱分析室的带电粒子的轨道是被对Z方向平行的第1主基板侧面所包围的扇形第1主基板的空间作为特征。
3.如权利要求1所述的一种质谱分析装置，其特征在于，从前记的质谱分析室出来的带电粒子在离子检出室被检出，前记的离子检出室是在第1主基板上形成的从第1主基板的上面贯通到第1主基板的下面的第1主基板的空间，质谱分析室和离子检出室之间被作为第1主基板的壁板的后方基板隔壁所隔开，在前记的后方基板隔壁的中央被配置了连接从前记质谱分析室到前记的离子检出室的中央孔，带电粒子通过前记的后方基板侧壁板的中央孔，从前记质谱分析室射入离子检出室作为特征。
4.如权利要求1所述的一种质谱分析装置，其特征在于，前记的质谱分析室是进一步附加了电场加载型质谱分析室的双重聚焦型，前记的电场加载型质谱分析室的带电粒子通过区域，是在第1主基板上形成，包含了第1主基板的上面被第1上部基板所围，第1主基板的下面被第1下部基板所围，对于Z方向被垂直的第1主基板侧面所围的扇形的第1主基板空间，其被称之为电场加载型贯通室，对于电场加载型贯通室的Z方向相垂直的带电粒子行进方向，被带有中央孔的基板隔壁所围，带电粒子从一边的基板隔壁的中央孔射入作为特征，在电场加载型贯通室中，带电粒子的轨道发生弯曲，从另一边的基板隔壁的中央孔射出作为特征，电场加载型贯通室的中心轨道半径为R0，中心角为α、在离中心轨道一定距离d0的对面的第1主基板两侧面上形成电极，在第1主基板两侧面上形成的电极被加载电压而产生的电场使带电粒子轨道发生弯曲作为特征。
5.如权利要求4所述的一种质谱分析装置，其特征在于，从前记的质谱分析室出来的带电粒子在离子检出室被检出，前记的离子检出室是在第1主基板上形成的从第1主基板的上面贯通到第1主基板的下面的第1主基板的空间，质谱分析室和离子检出室之间被作为第1主基板的壁板的后方基板隔壁所隔开，在前记的后方基板隔壁的中央被配置了连接从前记质谱分析室到前记的离子检出室的中央孔，带电粒子通过前记的后方基板侧壁板的中央孔，从前记质谱分析室射入离子检出室作为特征。
6.一种质谱分析装置，其特征在于，包含第1主基板、附着在第1主基板上面的第1上部基板、以及附着在第1主基板的下面的第1下部基板的多基板所组成的质谱分析装置，质谱分析室是被形成在第1主基板的，从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为第1贯通室，第1贯通室在与第1主基板的基板面相垂直的Z方向上被第1上部基板和第1下部基板所围，与Z方向成直角方向，并且沿带电粒子的行进方向，其被称之为X方向，第1贯通室在沿X方向的两侧被第1主基板侧板所围，与Z方向和X方向成直角方向，其被称之为Y方向，第1贯通室在Y方向的两侧面被第1主基板所围，此外，在X方向，存在邻接于前记的第1贯通室的从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为贯通室A，贯通室A和质谱分析室之间被第1主基板的隔壁所隔开，第1主基板的隔壁被称为第1主基板隔壁，在第1主基板隔壁的大致中央部位形成带电粒子通过孔，其被称之为中央孔，带电粒子从前记的贯通室A通过前记的中央孔，射入到质谱分析室作为特征的质谱分析装置，前记的质谱分析室是，电场加载型，前记的电场加载型质谱分析室的带电粒子通过区域，是在第
1主基板上形成，包含了第1主基板的上面被第1上部基板所围，第1主基板的下面被第1下部基板所围，对于Z方向被垂直的第1主基板侧面所围的扇形的第1主基板空间，其被称之为电场加载型贯通室，对于电场加载型贯通室的Z方向相垂直的带电粒子行进方向，被带有中央孔的基板隔壁所围，带电粒子从一边的基板隔壁的中央孔射入，在电场加载型贯通室中，带电粒子的轨道发生弯曲，从另一边的基板隔壁的中央孔射出作为特征，电场加载型贯通室的中心轨道半径为R0，中心角为α、在离中心轨道一定距离d0的对面的第1主基板两侧面上形成电极，在第1主基板两侧面上形成的电极被加载电压而产生的电场使带电粒子轨道发生弯曲作为特征。
7.如权利要求6所述的一种质谱分析装置，其特征在于，从前记的质谱分析室出来的带电粒子在离子检出室被检出，前记的离子检出室是在第1主基板上形成的从第1主基板的上面贯通到第1主基板的下面的第1主基板的空间，是和离子检出室之间被作为第1主基板的壁板的后方基板隔壁所隔开，在前记的带电粒子通过前记的后方基板侧壁板的中央孔，从前记质谱分析室射入离子检出室作为特征。
8.一种质谱分析装置，其特征在于，包含第1主基板、附着在第1主基板上面的第1上部基板、以及附着在第1主基板的下面的第1下部基板的多基板所组成的质谱分析装置，质谱分析室是被形成在第1主基板的，从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为第1贯通室，第1贯通室在与第1主基板的基板面相垂直的Z方向上被第1上部基板和第1下部基板所围，与Z方向成直角方向，并且沿带电粒子的行进方向，其被称之为X方向，第1贯通室在沿X方向的两侧被第1主基板侧板所围，与Z方向和X方向成直角方向，其被称之为Y方向，第1贯通室在Y方向的两侧面被第1主基板所围，此外，在X方向，存在邻接于前记的第1贯通室的从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为贯通室A，贯通室A和质谱分析室之间被第1主基板的隔壁所隔开，第1主基板的隔壁被称为第1主基板隔壁，在第1主基板隔壁的大致中央部位形成带电粒子通过的中央孔，带电粒子从前记的贯通室A通过前记的中央孔，射入到质谱分析室作为特征的质谱分析装置，前记的质谱分析室是，从第1主基板的上面贯通到第1主基板的下面的第1主基板的空间，带电粒子进入并作回旋加速运动的空间，该质谱分析室被称之为ICR室，ICR室被带有从离子源来的带电粒子进入口的进入中央孔的第1基板隔壁，其被称之为引出电极用第1基板侧壁、沿带电粒子的行进方向，与引出电极用的第1基板侧壁板相面对，回旋加速运动的带电粒子碰撞的第1基板侧壁，其被称之为陷阱电极用第1基板侧壁、附着在ICR室上部的第1上部基板、以及附着在ICR室下部的第1下部基板、以及与带电粒子的行进方向大致相平行地被配置的ICR室的两侧的两个第1主基板侧壁所围，ICR室的两侧的两个第1主基板侧壁被称之为接收电极用第1主基板侧壁，在引出电极用第1基板侧壁的表面形成，从前记的进入中央孔吸引带电粒子进入ICR室的引出电极的导电膜电极，在陷阱电极用第1主基板侧壁的表面形成加载捕捉带电粒子电压的导电膜电极，在第1上部基板和第1下部基板上形成加载激发带电粒子电压的导电膜电极作为特征，
在ICR室中，加载与从带电粒子进行方向的引出电极至陷阱电极方向相平行的磁场作为特征。
9.如权利要求8所述的一种质谱分析装置，其特征在于，围绕ICR室周围的螺旋状态的配线，并由在第1上部基板、第2下部基板、陷阱电极用第1基板侧壁、接收电极用第1主基板侧壁的外侧上形成的螺旋状态配线组成的线圈产生前记的磁场作为特征。
10.一种质谱分析装置，其特征在于，包含第1主基板、附着在第1主基板上面的第1上部基板、以及附着在第1主基板的下面的第1下部基板的多基板所组成的质谱分析装置，质谱分析室是被形成在第1主基板的，从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为第1贯通室，第1贯通室在与第1主基板的基板面相垂直的Z方向上被第1上部基板和第1下部基板所围，与Z方向成直角方向，并且沿带电粒子的行进方向，其被称之为X方向，第1贯通室在沿X方向的两侧被第1主基板侧板所围，与Z方向和X方向成直角方向，其被称之为Y方向，第1贯通室在Y方向的两侧面被第1主基板所围，此外，在X方向，存在邻接于前记的第1贯通室的从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为贯通室A，贯通室A和质谱分析室之间被第1主基板的隔壁所隔开，第1主基板的隔壁被称为第1主基板隔壁，在第1主基板隔壁的大致中央部位形成带电粒子通过孔，其被称之为中央孔，带电粒子从前记的贯通室A通过前记的中央孔，射入到质谱分析室作为特征的质谱分析装置，产生带电粒子的带电粒子发生室，包含上部和下部分别附着在第1上部基板和第1下部基板上的第1主基板上形成的两个贯通室，其被称之为带电粒子发生室1、2，带电粒子发生室1和带电粒子发生室2是被带有中央孔的基板侧壁所隔开的邻室，将带电粒子发生室1和带电粒子发生室2隔开的带有中央孔的基板侧壁被称之为第1基板侧壁A，
从第1上部基板的开口部插入的试样板被配置在带电粒子发生室1，
在带电粒子发生室1中，试样板的背面被紧密地配置在前记的第1主基板侧壁A的对面的第1主基板侧壁上，前记的第1主基板侧壁A的对面的第1主基板侧壁被称之为第1主基板侧壁B，在前记的第1基板侧壁B上开有中央孔，并且该中央孔与第1上部基板或第1下部基板开口部相连的第1主基板的厚度方向上的空洞相连，从该第1上部基板或第1下部基板的开口部进行真空抽气，使试样板被吸附在第1主基板侧壁B上，
前记的第1主基板侧壁B的表面上形成导电膜，该导电膜连接到带电粒子发生室1的第1上部基板的下面和/或第1下部基板的上面形成的导电膜，该导电膜又连接到第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，该接线孔配线又连接到第1上部基板和/或第1下部基板的外侧表面上形成的导电膜电极配线，从该导电膜电极配线加载电压到导电体的试样上，
从第1上部基板上的开口部，用激光照射附着在前记的试样板上的试样，试样就会被分解为粒子状，产生带电粒子，
与试样板同极性的带电粒子从试样板飞出，
与试样板相对面方向被配置了带有中央孔的基板侧壁，其被称之为第1主基板侧壁C，在第1主基板侧壁C的表面被形成导电膜，在第1基板侧壁C的表面上形成的导电膜连接到第
1上部基板和/或第1下部基板的带电粒子发生室1的内表面上形成的导电膜，该导电膜又连接到第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，该接线孔配线又连接到第1上部基板和/或第1下部基板的外侧表面上形成的导电膜电极配线，
从该导电膜电极配线，对第1基板侧壁C的表面形成的导电膜加载与试样板电压极性相反的电压，吸引从试样板上飞出的带电粒子，前记的带电粒子通过第1主基板侧壁C上形成的中央孔，再通过第1主基板侧壁A的中央孔进入带电粒子发生室2，
在带电粒子发生室2的内面，在第1上部基板和第1下部基板、和/或第1基板侧壁A的表面和/或第1基板侧壁A对面的第1基板侧壁，其被称之为第1基板侧壁D，的表面、和/或其他的两个第1主基板侧壁的侧面、和/或第1主基板侧壁D的中央孔的内面形成导电膜电极，该导电膜电极连接到在第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，该接线孔配线又连接到第1上部基板和/或第1下部基板的外侧表面形成的导电膜电极配线为特征，该导电膜电极配线上被加载的电压与带电粒子的极性相同，调节该电压可聚焦带电粒子，该带电粒子通过第1主基板侧壁D的中央孔后，进入质谱分析室作为特征。
11.一种质谱分析装置，其特征在于，包含第1主基板、附着在第1主基板上面的第1上部基板、以及附着在第1主基板的下面的第1下部基板的多基板所组成的质谱分析装置，质谱分析室是被形成在第1主基板的，从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为第1贯通室，第1贯通室在与第1主基板的基板面相垂直的Z方向上被第1上部基板和第1下部基板所围，与Z方向成直角方向，并且沿带电粒子的行进方向，其被称之为X方向，第1贯通室在沿X方向的两侧被第1主基板侧板所围，与Z方向和X方向成直角方向，其被称之为Y方向，第1贯通室在Y方向的两侧面被第1主基板所围，此外，在X方向，存在邻接于前记的第1贯通室的从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为贯通室A，贯通室A和质谱分析室之间被第1主基板的隔壁所隔开，第1主基板的隔壁被称为第1主基板隔壁，在第1主基板隔壁的大致中央部位形成带电粒子通过孔，其被称之为中央孔，带电粒子从前记的贯通室A通过前记的中央孔，射入到质谱分析室作为特征的质谱分析装置，在带电粒子的行进方向上，在质谱分析室的前面配置了带电粒子发生室，前记的带电粒子发生室是，其上部被附着在第1主基板上面的第1上部基板、其下部被附着在第1主基板下面的第
1下部基板、其2个侧面被第1主基板的基板侧壁所围的在第1主基板上形成的贯通室，对于带电粒子的行进方向上，带电粒子发生室的一边的侧面是带有中央孔的第1基板的基板侧壁，其被称之为试样导入用基板侧壁，试样导入用基板侧壁的中央孔连通，与形成在连通第
1上部基板或第1下部基板的开口部，其被称之为试样导入用开口部的第1主基板上的基板面相垂直的纵向孔，
在试样导入用基板侧壁的中央孔内部形成导电膜，其被称之为第2导电膜，在带电粒子发生室的内面形成导电膜，其被称之为第1导电体膜，第2导电膜被分割成互不导电的2个区域，该2个区域被称之为第2导电膜A和第2导电膜B，第1导电膜被分割成互不导电的2个区域，该2个区域被称之为第1导电膜A和第1导电膜B，
第2导电膜A连接到第1导电膜A，第1导电膜A通过在第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，连接到第1上部基板和/或第1下部基板的外侧上形成的外侧电极A作为特征，
第2导电膜B连接到第1导电膜B，第1导电膜B通过第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，连接到第1上部基板和/或第1下部基板的外侧上形成的外侧电极B作为特征，
从试样导入用开口部导入试样液或试样气体，通过前记的第1主基板的纵向孔和试样导入用基板侧壁的中央孔，在通往带电粒子发生室的出口，向带电粒子发生室导入雾化气体作为特征，
通过在外侧电极A和外侧电极B加载电压，在第2导电膜A和第2导电膜B之间，以及在第1导电膜A和第1导电膜B之间产生电场，使得在带电粒子发生室的出口部喷出的雾状气体被离子化作为特征，
对于带电粒子的行进方向，离子化的带电粒子通过带电粒子发生室的另一侧面的第1主基板的基板侧壁的中央孔之后，被导入到权利要求1或2记载的质谱分析室中作为特征。
12.一种质谱分析装置，其特征在于，包含第1主基板、附着在第1主基板上面的第1上部基板、以及附着在第1主基板的下面的第1下部基板的多基板所组成的质谱分析装置，质谱分析室是被形成在第1主基板的，从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为第1贯通室，第1贯通室在与第1主基板的基板面相垂直的Z方向上被第1上部基板和第1下部基板所围，与Z方向成直角方向，并且沿带电粒子的行进方向，其被称之为X方向，第1贯通室在沿X方向的两侧被第1主基板侧板所围，与Z方向和X方向成直角方向，其被称之为Y方向，第1贯通室在Y方向的两侧面被第1主基板所围，此外，在X方向，存在邻接于前记的第1贯通室的从第1主基板的上面贯通至第1主基板的下面的贯通室，其被称之为贯通室A，贯通室A和质谱分析室之间被第1主基板的隔壁所隔开，第1主基板的隔壁被称为第1主基板隔壁，在第1主基板隔壁的大致中央部位形成带电粒子通过孔，其被称之为中央孔，带电粒子从前记的贯通室A通过前记的中央孔，射入到质谱分析室作为特征的质谱分析装置，从质谱分析室出来的带电粒子在离子检出室被离子检出，前记的离子检出室是在第1主基板上形成的贯通室，质谱分析室和离子检出室之间配置了带有中央孔的基板侧壁，其被称之为后方基板侧壁板，带电粒子通过后方基板侧壁板的中央孔射入离子检出室，在前记的后方基板侧壁板的中央孔表面形成导电膜，其被称之为后方基板侧壁板的中央孔导电膜，后方基板侧壁板的中央孔导电膜被分割成2个以上互不导电的区域，在其每个区域通过从第1上部基板或第1下部基板的外侧电极加载电压，使得通过后方基板侧壁板中央孔的带电粒子的轨道发生变化，
在前记的离子检出室，形成2次电子倍增管用的中央孔，在2次电子倍增管用的中央孔的内面形成2次电子放出物质膜，对于二次电子倍增管用的中央孔的带电粒子行进方向,前记的离子检出室内形成的导电膜连接到前方的二次电子放出物质膜，该导电膜通过第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，连接到第1上部基板和/或第1下部基板上形成的外侧电极C，对于二次电子倍增管用的中央孔的带电粒子行进方向，前记的离子检出室内形成的导电膜连接到后方的二次电子放出物质膜，该导电膜通过第1上部基板和/或第
1下部基板上形成的接线孔配线，连接到第1上部基板和/或第1下部基板上形成的外侧电极D，
通过前记的后方基板侧壁板的中央孔的带电粒子，由于轨道发生变化，与二次电子倍增管用中央孔内形成的二次电子放出物质膜相碰撞，从二次电子放出物质膜释放出二次电子，
在外侧电极C和外侧电极D之间加载电压，在二次电子倍增管用中央孔内形成的二次电子放出物质膜就产生倾斜电场，使得二次电子倍增，从2次电子倍增管用中央孔的后方射出的2次电子，与离子检出室的后方配置的第1基板的基板侧壁上形成的导电膜相碰撞，该导电膜通过第1上部基板和/或第1下部基板上形成的接线孔配线，连接到第1上部基板和/或第1下部基板上形成的外侧电极E，在外加电极E上检测出与导电膜相碰撞的二次电子的电子量作为特征。
13.如权利要求1至12中任一项所述的一种质谱分析装置，其特征在于，前记的第1主基板是，绝缘基板、半导体基板、或者导电基板，前述的第1上部基板是，玻璃基板、石英基板、氧化铝基板、氮化铝基板、陶瓷基板、或者高分子基板，
前记的第1下部基板是，玻璃基板、石英基板、氧化铝基板、氮化铝基板、陶瓷基板、或者高分子基板，
前记的第1主基板是，约为前记的第1主基板的厚度约一半的半主基板A和半主基板B在厚度方向相结合的主基板，
半主基板A具有从半主基板A的上面贯通到下面的贯通室，
半主基板B具有从半主基板B的上面贯通到下面的贯通室，
前记的半主基板B和前记的半主基板A具有大致相同的形状，
前记的第1主基板的贯通室，是以前记的半主基板A的贯通室和前记的半主基板B的贯通室相结合的贯通室为特征。
14.如权利要求13所述的一种质谱分析装置，其特征在于，所述高分子基板为塑料基板。
15.一种粒子加速装置，其特征在于，包含具有从上面贯通至下面的多个空间，其被称之为贯通室，的主基板、附着在主基板上面的上部基板、附着在主基板下面的下部基板、隔开贯通室的带有中央孔的基板侧壁板，带电粒子通过贯通室和基板侧壁板的中央孔作为特征的加速带电粒子的加速装置，
加速装置包含带电粒子发生机构、直线加速机构、聚焦机构，在贯通室里形成直线加速机构和聚焦机构，
直线加速机构由配置多个在带有中央孔的主基板侧壁上形成的导电膜电极，其被称之为基本侧壁电极，而组成，在前记的主基板侧壁电极上通过加载静电压或高频电压，加速或聚焦带电粒子作为特征，
把四极磁铁中的两个电磁铁配置在从具有带电粒子通道的贯通室的主基板外侧，垂直于主基板面的方向上，该方向作为Z方向，
把四极磁铁中的另外两个电磁铁配置在从具有带电粒子通道的贯通室的主基板外侧，与Z方向成直角的方向上作为特征。
16.如权利要求15所述的一种粒子加速装置，其特征在于，前记的加速装置，还至少包含一个环形轨道，
环形轨道是从主基板的上面贯通到主基板的下面的空间，
通过前记的直线加速机构和/或聚焦机构的带电粒子进入前记的环形轨道，在前记的环形轨道的弯曲轨道部分，至少有一个电磁铁被配置在附着在主基板的上面的上部基板的外侧，
在前记的环形轨道的弯曲轨道部分，至少有一个电磁铁被配置在附着在主基板的下面的下部基板的外侧，
带电粒子，通过使用前记的电磁铁产生的磁场，沿着前记的环形轨道的弯曲轨道运动作为特征的。
17.如权利要求16所述的一种粒子加速装置，其特征在于，前记的环形轨道包含直线加速机构，
前记的直线加速机构，包含从主基板的上面贯通到主基板的下面的数个空间，其被称之为直线加速贯通室，
前记的直线加速贯通室之中至少有两个是相邻的空间，
前记的相邻的二个直线加速贯通室被主基板的壁所分隔，该主基板的壁被称为主基板隔壁B，
在前记的主基板隔壁B的大致中央部位有连接前记的二个相邻的直线加速贯通室的通道，其被称之为中央孔，
带电粒子，通过前记的中央孔，从前记的两个相邻的直线加速贯通室之中的一个进入前记的两个相邻的直线加速贯通室之中的另外一个，
带电粒子，通过加载直流电压或高频电压到基板隔板B上被形成的电极上，被加速或减速作为特征。
18.如权利要求15至17中任一项所述的一种粒子加速装置，其特征在于，环形轨道存在n个，n为2以上的整数，
第i个的环形轨道被配置在第(i-1)个的环形轨道的外侧，
第(i-1)个的环形轨道是从主基板的上面贯通到主基板的下面的空间，其被称之为贯通室C，
通过贯通室C连接到第i个的环形轨道，
带电粒子从第(i-1)个的环形轨道射出，通过前记的贯通室C进入第i个的环形轨道，这里，i是从2到n的整数，即i＝2，...n为特征。