一种纳米结构Pd薄膜修饰电极
专利汇可以提供一种纳米结构Pd薄膜修饰电极专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种纳米结构Pd 薄膜 修饰 电极 ，该纳米结构Pd薄膜修饰电极的制备方法包括：将玻 碳 电极置于HCl和PdCl2的混合溶液中，在-0.3V～0.8V(VS.SCE)的电位区间内以10～15mV/s的速率连续扫描10～15min，即得所述纳米结构Pd薄膜修饰电极。本发明应用循环 伏安法 将钯直接沉积到玻碳电极表面，制备了具有高催化活性的纳米结构的钯薄膜修饰电极。，下面是一种纳米结构Pd薄膜修饰电极专利的具体信息内容。
1.一种纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，该纳米结构Pd薄膜修饰电极的制备方法包括：将玻碳电极置于HCl和PdCl2的混合溶液中，在-0.3V～0.8V(VS.SCE)的电位区间内以10～15mV/s的速率连续扫描10～15min，即得所述纳米结构Pd薄膜修饰电极。
2.根据权利要求1所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，在将玻碳电极置于HCl和PdCl2的混合溶液中前，还包括对玻碳电极预处理的步骤。
3.根据权利要求2所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，所述对玻碳电极预处理的步骤包括：将玻碳电极用Al2O3抛光膏抛光至镜面亮度，去离子水冲洗干净后，放在2～
5mol/L HNO3溶液中超声处理3～5min，再次用去离子水冲洗干净。
4.根据权利要求1所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，所述混合溶液中，HCl的浓度为1～1.5mmol/L。
5.根据权利要求1所述的纳米结构Pd薄膜修饰电极，其特征在于，所述混合溶液中，PdCl2的浓度为0.2～0.5mmol/L。
一种纳米结构Pd薄膜修饰电极
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