具有多级转移栅极的CMOS图像传感器
专利汇可以提供具有多级转移栅极的CMOS图像传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及具有多级转移栅极的CMOS图像 传感器 。一种图像传感器 像素 包括：第一电荷存储 节点 ，其经配置以具有第一电荷存储电势；第二电荷存储节点，其经配置以具有第二电荷存储电势且从所述第一电荷存储节点接收电荷，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；及转移 电路 ，其耦合于所述第一电荷存储节点与所述第二电荷存储节点之间，其中所述转移电路包括至少三个转移区域，其中：第一转移区域接近所述第一电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第一转移电势；第二转移区域耦合于所述第一转移区域与第三转移区域之间且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第二转移电势；及所述第三转移区域接近所述第三电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第三转移电势。电荷在多个转移 信号 脉冲之后完全地从所述第一电荷存储节点转移到所述第二电荷存储节点。，下面是具有多级转移栅极的CMOS图像传感器专利的具体信息内容。
1.一种图像传感器像素，其包括：
第一电荷存储节点，其经配置以具有第一电荷存储电势；
第二电荷存储节点，其经配置以具有第二电荷存储电势且从所述第一电荷存储节点接收电荷，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；及
转移电路，其耦合于所述第一电荷存储节点与所述第二电荷存储节点之间，其中所述转移电路包括至少三个转移区域，其中：
第一转移区域接近所述第一电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第一转移电势；
第二转移区域耦合于所述第一转移区域与第三转移区域之间且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第二转移电势；及所述第三转移区域接近所述第三电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第三转移电势。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中：
所述第一转移区域包括经配置以控制所述第一转移电势的第一输入电极；
所述第二转移区域包括经配置以控制所述第二转移电势的第二输入电极；
所述第三转移区域包括经配置以控制所述第三转移电势的第三输入电极；且所述第一输入电极、所述第二输入电极及所述第三输入电极与彼此电隔离。
3.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一转移电势、所述第二转移电势及所述第三转移电势基本上相同。
4.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一转移电势低于所述第二转移电势。
5.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第二转移电势低于所述第三转移电势。
6.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一电荷存储节点包括安置于半导体衬底中的光电二极管。
7.根据权利要求6所述的图像传感器像素，其中所述第二电荷存储节点包括安置于所述半导体衬底中的浮动扩散节点。
8.根据权利要求7所述的图像传感器像素，其中所述转移电路包括形成在所述半导体衬底上的场效晶体管的改性栅极。
9.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中所述场效晶体管的所述改性栅极被划分成与彼此隔离的至少三个邻近区域，其中第一区域与所述第一转移区域相关联且包括所述第一输入电极，第二区域与所述第二转移区域相关联且包括所述第二输入电极，且第三区域与所述第三转移区域相关联且包括所述第三输入电极。
10.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中所述场效晶体管的所述改性栅极定位在所述半导体衬底的共同掺杂区域之上。
11.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中所述第一输入电极、所述第二输入电极及所述第三输入电极包括多晶硅、金属及金属化合物中的至少一者。
12.一种在图像传感器像素中将电荷从具有第一电荷存储电势的第一电荷存储节点转移到具有第二电荷存储电势的第二电荷存储节点的方法，其包括：
响应于第一转移信号增加接近所述第一电荷存储节点的第一转移区域的第一转移电势使得增加的第一转移电势大于所述第一电荷存储电势但低于所述第二电荷存储电势；
响应于第二转移信号增加邻近所述第一转移区域与第三转移区域之间的第二转移区域的第二转移电势使得增加的第二转移电势不低于所述增加的第一转移电势但低于所述第二电荷存储电势；
响应于第三转移信号减小所述第一转移区域的所述第一转移电势使得减小的第一转移电势小于所述第一电荷存储电势；
响应于第四转移信号增加接近所述第二电荷存储节点的所述第三转移区域的第三转移电势使得增加的第三转移电势不低于所述增加的第二转移电势且不高于所述第二电荷存储电势，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；
响应于第五转移信号减小所述第二转移区域的所述第二转移电势使得减小的第二转移电势与所述减小的第一转移电势基本上相同；及
响应于第六转移信号减小所述第三转移区域的所述第三转移电势使得减小的第三转移电势与所述减小的第一转移电势基本上相同。
13.根据权利要求12所述的方法，其中重复地提供所述第一、第二、第三、第四、第五及第六转移信号作为多个脉冲以便在所述多个脉冲之后将电荷完全地从所述第一电荷存储节点转移到所述第二电荷存储节点。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述增加的第一转移电势低于所述增加的第二转移电势，且所述增加的第二转移电势低于所述增加的第三转移电势。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一电荷存储节点包括光电二极管。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二存储节点包括浮动扩散节点。
17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括转移电路，其中所述转移电路包括形成在半导体衬底上的场效晶体管的改性栅极，其中所述场效晶体管的所述改性栅极被划分成至少三个区域，其中第一区域与所述第一转移区域相关联，第二区域与所述第二转移区域相关联且第三区域与所述第三转移区域相关联。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述场效晶体管的所述改性栅极定位在所述半导体衬底的共同掺杂区域之上。
19.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述第一转移区域包括经配置以控制所述第一转移电势的第一输入电极；
所述第二转移区域包括经配置以控制所述第二转移电势的第二输入电极；
所述第三转移区域包括经配置以控制所述第三转移电势的第三输入电极；且所述第一输入电极、所述第二输入电极及所述第三输入电极与彼此电隔离。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一输入电极、所述第二输入电极及所述第三输入电极包括多晶硅、金属及金属化合物中的至少一者。
具有多级转移栅极的CMOS图像传感器
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
205形成图3A中的第一电荷存储节点301，其经配置以具有第一电荷存储电势。另一N型掺杂区域204安置于半导体衬底207中以便形成浮动扩散节点作为图3A中的第二电荷存储节点
305，其经配置以具有第二电荷存储电势且从第一电荷存储节点301接收电荷。
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