电力电子装置
专利汇可以提供电力电子装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提出一种电 力 电子 装置（1），包括： 半导体 开关 结构（2），其中 半导体开关 结构（2）在正向导通状态下的稳态 电流 承载能力 被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下在正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分； 二极管 结构（3），被反并联地电连接于半导体开关结构（2），在电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流的至少一部分；以及反向导通结构（4）。在电力电子装置（1）的反向模式下，如果反向电流（I2）的量等于或者小于第一临界反向电流值（IRC1），则反向导通结构（4）传导少于10%的反向电流（I2）。如果反向电流（I2）的量等于或者大于第二临界反向电流值（IRC2），则反向导通结构（4）传导至少20%的反向电流（I2）。，下面是电力电子装置专利的具体信息内容。
1.一种电力电子装置（1），被配置用于在所述电力电子装置（1）的正向模式下传导正向电流（I1）并且用于在所述电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流（I2），所述电力电子装置（1）包括：
- 半导体开关结构（2），其被配置用于承担正向导通状态，其中在正向导通状态下所述半导体开关结构（2）的稳态电流承载能力被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下所述半导体开关结构（2）被配置用于在所述电力电子装置（1）的正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分；
- 二极管结构（3），其被反并联地电连接于所述半导体开关结构（2）并且被配置用于在所述电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流（I2）的至少一部分；以及- 反向导通结构（4），其与所述半导体开关结构（2）单片地集成；
其中，在所述电力电子装置（1）的反向模式下，如果反向电流（I2）的量小于或者等于第一临界反向电流值（IRC1），则所述反向导通结构（4）传导少于10%的反向电流（I2），所述第一临界反向电流值（IRC1）至少接近于标称电流（Inom），以及
其中如果反向电流（I2）的量大于或者等于第二临界反向电流值（IRC2），则所述反向导通结构（4）传导至少20%的反向电流（I2），所述第二临界反向电流值（IRC2）接近于至多十倍的标称电流（Inom）。
2.如权利要求1所述的电力电子装置（1），其中第一临界反向电流值（IRC1）接近于至少两倍的标称电流（Inom）。
3.如前述权利要求中的一个所述的电力电子装置（1），其中反向导通结构（4）包括被反并联地电连接于半导体开关结构（2）的晶闸管结构（40）。
4.如权利要求3所述的电力电子设备（1），其中晶闸管结构（40）的正向转折电压（Vfwbr）低于二极管结构（3）在临界二极管电流值（Id0）下的二极管导通状态电压（Vd0），其中所述临界二极管电流值（Id0）接近于至多五倍的标称电流（Inom）。
5.如前述权利要求中的一个所述的电力电子装置（1），其中半导体开关结构（2）是IGBT（20）或者包括IGBT（20）。
6.如权利要求5以及权利要求3和权利要求4中的一个所述的电力电子装置（1），其中半导体开关结构（2）以及晶闸管结构（40）被单片地集成在功率半导体器件（5）中，所述功率半导体器件（5）包括：
- 半导体本体（10），其具有耦合到第一负载端子结构（11）的前侧（10-1）和耦合到第二负载端子结构（12）的背侧（10-2）并且被配置用于传导在第一负载端子结构（11）和第二负载端子结构（12）之间的正向电流（I1）的至少一部分，以及
- 多个IGBT控制单元（14），其被布置在所述前侧（10-1），与所述第一负载端子结构（11）相接触并且被至少部分地包括在所述半导体本体（10）中；
其中所述半导体本体（10）包括：
- 第一导电类型的漂移区（100），其被布置成与所述IGBT控制单元（14）相接触；
- 与第一导电类型互补的第二导电类型的背侧发射极区（102），所述背侧发射极区（102）被布置在所述背侧（10-2）处，与所述第二负载端子结构（12）相接触；以及- 第一导电类型的至少一个晶闸管发射极区（106），被布置在所述背侧（10-2）处，与所述第二负载端子结构（12）相接触并且通过第二导电类型的半导体区与漂移区（100）隔离。
7.如权利要求6所述的电力电子装置，其中晶闸管发射极区（106）的横向延伸（Lx）限定半导体器件（5）的晶闸管区，并且其中IGBT控制单元（14）中的一个或多个被布置在所述晶闸管区内部。
8.如权利要求6或者权利要求7所述的电力电子装置（1），其中晶闸管发射极区（106）的横向延伸（Lx）等于或者小于半导体本体（10）的竖向延伸（Lz）的两倍。
9.如权利要求6至权利要求8中的一个所述的电力电子装置（1），其中半导体本体（10）包括多个这样的晶闸管发射极区（106），其被分布在半导体本体（10）的横向延伸上。
10.一种电力电子装置（1），被配置用于在所述电力电子装置（1）的正向模式下传导正向电流（I1）并且被配置用于在所述电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流（I2），所述电力电子装置（1）包括：
- 半导体开关结构（2），其被配置用于承担正向导通状态，其中在正向导通状态下所述半导体开关结构（2）的稳态电流承载能力被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下所述半导体开关结构（2）被配置用于在所述电力电子装置（1）的正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分；
- 二极管结构（3），其被反并联地电连接于所述半导体开关结构（2）并且被配置用于在所述电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流（I2）的至少一部分；以及- 晶闸管结构（40），其被反并联地电连接于所述半导体开关结构（2），其中所述晶闸管结构（40）的正向转折电压（Vfwbr）低于所述二极管结构（3）在临界二极管电流值（Id0）下的二极管导通状态电压（Vd0），其中所述临界二极管电流值（Id0）接近于至多五倍的标称电流（Inom）。
11.如权利要求10所述的电力电子装置，其中正向转折电压（Vfwbr）等于或者小于10V。
12.如权利要求10或者权利要求11所述的电力电子装置，其中正向转折电压（Vfwbr）接近于至少3V。
13.如权利要求10至权利要求12中的一个所述的电力电子装置，其中在所述电力电子装置（1）的反向模式下，
如果反向电流（I2）的量等于或者小于第一临界反向电流值（IRC1），则晶闸管结构（40）传导少于10%的反向电流（I2），以及
其中所述第一临界反向电流值（IRC1）接近于至少两倍的标称电流（Inom）。
14.如权利要求10至权利要求13中的一个所述的电力电子装置（1），其中，在电力电子装置（1）的反向模式下，
如果反向电流（I2）的量等于或者大于第二临界反向电流值（IRC2），则晶闸管结构（40）传导至少20%的反向电流（I2），以及
其中所述第二临界反向电流值（IRC2）接近于至多10倍的标称电流（Inom）。
15.如权利要求10至权利要求14中的一个所述的电力电子装置（1），其中二极管结构（3）与半导体开关结构（2）单片地集成。
16.如权利要求15所述的电力电子装置（1），其中半导体开关结构（2）包括MOSFET，并且其中MOSFET的体二极管形成二极管结构（3）的至少一部分。
17.如权利要求16所述的电力电子装置，其中MOSFET是碳化硅MOSFET。
18.如权利要求3至权利要求17中的一个所述的电力电子装置（1），其中晶闸管结构（40）的维持电压（Vh）高于二极管结构（3）在标称电流（Inom）下的二极管正向电压（Vdnom）。
19.如权利要求3至权利要求18中的一个所述的电力电子装置（1），其中，在电力电子装置（1）的反向模式下，二极管结构（3）被配置用于在等于晶闸管结构（40）的维持电压（Vh）的电压下在标称电流（Inom）和四倍的标称电流（Inom）之间进行传导。
20.如权利要求3至权利要求19中的一个所述的电力电子装置（1），其中晶闸管结构（40）的反向阻断电压高于晶闸管结构（40）的正向转折电压（Vfwbr）。
21.如权利要求3至权利要求20中的一个所述的电力电子装置（1），其中晶闸管结构（40）的反向阻断电压接近于二极管结构（3）的击穿电压的至少90%。
22.如前述权利要求中的一个所述的电力电子装置（1），其中二极管结构（3）是碳化硅二极管或者包括碳化硅二极管。
23.如权利要求3至权利要求22中的一个所述的电力电子装置（1），其中晶闸管结构（40）具有与二极管结构（3）相比更小的热电阻。
24.如权利要求3至权利要求23中的一个所述的电力电子装置（1），其中晶闸管结构（40）具有与二极管结构（3）相比更大的热容量。
25.如权利要求3至权利要求24中的一个所述的电力电子装置（1），其中晶闸管结构（40）的有源区至少与二极管结构（3）的有源区一样大。
26.如前述权利要求中的一个所述的电力电子装置（1），其中反向导通结构（4）包括齐纳二极管。
27.如前述权利要求中的一个所述的电力电子装置（1），其中半导体开关结构（2）包括半导体本体（10），所述半导体本体（10）包括被配置用于在所述半导体开关结构（2）的正向阻断状态下阻断所述半导体开关结构（2）的正向阻断电压的pn结（103），所述半导体本体（10）被由管壳包围；
其中所述半导体开关结构（2）具有结-管壳热电阻Rthjc，其表征在所述pn结（103）和所述管壳之间的稳态热传输能力；
其中所述半导体开关结构（2）被配置用于在所述pn结（103）的最大结温度Tjmax和所述管壳的最大工作管壳温度Tc下在正向导通状态下持续地工作；
其中所述半导体开关结构（2）在最大结温度Tjmax下在正向导通状态下的工作被由开关结构导通状态电压Von表征；
并且其中标称电流Inom满足以下等式：
。
28.如权利要求27所述的电力电子装置（1），其中在最大结温度Tjmax和最大工作管壳温度Tc之间的差为至少50K。
29.一种电力电子模块，包括多个根据前述权利要求中的一个所述的电力电子装置（1），其中二极管结构（3）的有源区的总和在半导体开关结构（2）的有源区的总和的从10%至
60%的范围中。
电力电子装置
技术领域
的实施例相关。
背景技术
中的开关。
模式下工作，其中半导体开关传导正向电流的至少一部分，并且在反向模式下，其中二极管传导反向电流的至少一部分。
结构，其被配置用于承担正向导通状态，其中半导体开关结构在正向导通状态下的稳态电
流承载能力被表征为标称电流，并且其中在正向导通状态下半导体开关结构被配置用于在
电力电子装置的正向电流模式下传导正向电流的至少一部分；二极管结构，被反并联地电
连接于半导体开关结构并且被配置用于在电力电子装置的反向模式下传导反向电流的至
少一部分；以及与半导体开关结构单片集成的反向导通结构。在电力电子装置的反向模式
下，如果反向电流的量等于或者小于第一临界反向电流值，则反向导通结构传导少于10%的反向电流，第一临界反向电流值至少接近于标称电流。进一步地，在反向模式下，如果反向电流的量等于或者大于第二临界反向电流值，则反向导通结构传导至少20%的反向电流，第二临界反向电流值接近于至多10倍的标称电流。
体开关结构，其被配置用于承担正向导通状态，其中半导体开关结构在正向导通状态下的
稳态电流承载能力被表征为标称电流，并且其中在正向导通状态下半导体开关结构被配置
用于在电力电子装置的正向电流模式下传导正向电流的至少一部分；二极管结构，被反并
联地电连接于半导体开关结构并且被配置用于在电力电子装置的反向模式下传导反向电
流的至少一部分；以及晶闸管结构，被反并联地电连接于半导体开关结构，其中晶闸管结构的正向转折电压与二极管结构在临界二极管电流值处的二极管导通状态电压VF0相比更
低，其中临界二极管电流值接近于至多5倍的标称电流。
附图说明
图2 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的包括功率半导体器件的电
力电子装置；
图3A 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的在图2中的功率半导体器
件的竖向横截面的区段；
图3B 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的在图2中的功率半导体器
件的竖向横截面的区段；
图3C 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的在图2中的功率半导体器
件的竖向横截面的区段；
图4 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的电力电子装置；
图5示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的电力电子装置；
图6A 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的在电力电子装置的反向模
式下的二极管结构电流-电压示图；
图6B 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的在电力电子装置的反向模
式下的晶闸管结构电流-电压示图；
图6C 示意性地并且示例性地图示依照一个或多个实施例的在电力电子装置的反向模
式下的电流-电压示图；
图6D 在一个示图中示出图6A至图6C的电流-电压曲线；
图7A 示意性地并且示例性地图示在图6A的二极管结构电流-电压示图中的滞后；
图7B 示意性地并且示例性地图示在图6B的晶闸管结构电流-电压示图中的滞后；
图7C 示意性地并且示例性地图示在图6C的电流-电压示图中的滞后；
图7D 在一个示图中示出图7A至图7C的电流-电压曲线；以及
图8 示意性地并且示例性地图示在对应于图7A至图7D的示图的反向电流中的晶闸管
电流的一部分的滞后。
具体实施方式
者逻辑上的改变。因此不应在限制的意义上看待以下的详细描述，并且本发明的范围由所
附权利要求限定。
一个实施例的一部分的特征能够被使用在其它实施例上或者与其它实施例结合使用以再
得到进一步的实施例。意图的是本发明包括这样的修改和变化。使用不应当被解释为限制
所附权利要求的范围的特定语言来描述示例。附图不是成比例的并且仅用于说明性的目
的。为了清楚，如果没有另外声明，则已经在不同的附图中由相同的标号指明相同的要素或者制造步骤。
第二横向方向Y可以是彼此垂直的。
下文中，术语“接触”意图描述在相应的半导体器件的两个元件之间存在直接的物理连接；
例如，在彼此接触的两个元件之间的过渡可以不包括进一步的中间元件等。
缘的，并且在同时例如借助于绝缘物（例如，电介质）而彼此机械地并且电容地耦合。
管）。因此，在实施例中，半导体器件被配置为承载要被馈送到负载和/或相应地由电力源提供的负载电流。例如，半导体器件可以包括一个或多个有源功率单位单元，诸如单片集成的二极管单元、和/或单片集成的晶体管单元、和/或单片集成的IGBT单元、和/或单片集成的RC-IGBT单元、和/或单片集成的MOS栅控二极管（MGD）单元、和/或单片集成的MOSFET单元和/或它们的衍生物。这样的二极管单元和/或这样的晶体管单元可以被集成在功率半导体
模块中。多个这样的单元可以构成利用功率半导体器件的有源区布置的单元场。
典型地高于100V，更典型地为500V及以上（例如，达到至少1kV，达到至少多于3kV）的高电压。例如，在下面描述的半导体器件可以是表现为条形单元配置或者针形单元配置的半导
体器件并且能够被配置为在低、中和/或高电压应用中作为功率组件采用。
导正向电流I1，在反向模式下电力电子装置1传导在与正向电流I1相反的方向上的反向电
流I2。电力电子装置1包括以并联或者反并联的配置与彼此电连接的半导体开关结构2、二
极管结构3、以及反向导通结构4。
MOSFET，诸如例如基于硅或者基于碳化硅的MOSFET。在实施例中，它也可以是基于例如Ⅲ
族/Ⅴ族半导体（如例如氮化镓）的HEMT。
半导体开关结构2在其正向导通状态下的稳态电流承载能力。本领域技术人员知道取决于
例如半导体开关器件的热特性（其可能限制稳态电流承载能力）来限定标称电流的常见方
法。
导体本体可以被由管壳包围。进一步地，半导体开关结构2可以具有结-管壳热阻Rthjc，其表征在pn结和管壳之间的稳态热传输能力。例如，结-管壳热阻Rthjc可以是例如根据与半
导体开关结构2相关联的数据表的额定结-管壳热阻。
Tjmax是至少150℃，或者诸如至少175℃。例如，最大结温度Tjmax可以是175℃。最大工作管壳温度Tc可以是例如根据与半导体开关结构2相关联的数据表的额定最大工作管壳温度
Tc。例如，在实施例中，最大工作管壳温度Tc可以是至多100℃，诸如至多80℃。最大工作管壳温度Tc低于最大结温度Tjmax。例如，最大结温度和最大工作管壳温度之间的差可以是至少50K。在示例性的实施例中，最大工作管壳温度Tc是至多100℃并且最大结温度Tjmax是至少150℃。
况下，开关结构导通状态电压可以是IGBT的集电极-发射极电压。作为另一个示例，在半导体开关结构2是MOSFET或者包括MOSFET的情况下，开关结构导通状态电压可以是MOSFET的
源极-漏极电压。标称电流Inom可以满足以下等式：
。
通状态电压Von和/或用于结-管壳热电阻的话。另一方面，在上面等式中的管壳温度Tc可以低于最大工作管壳温度。
导体开关结构2的正向方向相反，即与其中半导体开关结构2在其正向导通状态下传导电流
的方向相反。二极管结构3可以因此被配置用于传导在电力电子装置1的反向模式下的反向
电流的至少一部分。例如，二极管结构3可以在电力电子装置1的工作期间起到续流二极管
的作用。
分。在不同的工作状况（诸如例如在反向模式下的浪涌电流状况）下，反向导通结构4可以传导反向电流I2的相当大的一部分。
甚至至少40%的反向电流I2，其中第二临界反向电流值IRC2接近于标称电流Inom的至多10
倍（诸如例如至多5倍）。
说，晶闸管结构40（如例如由被包括在晶闸管结构2中的半导体区的npnp序列确定的那样）的正向方向可以指向为与半导体开关结构2的正向方向相反，即与其中半导体开关结构2在
其正向导通状态下传导电流的方向相反。晶闸管结构40的正向方向还可以被表征为与阻断
模式以及（正向）传导模式相关联的方向，而相反的方向仅与晶闸管结构40的（反向）阻断模式相关联。如将在随后参照示例性实施例解释的那样，反向导通结构4可以或者可以不与半导体开关结构2单片地集成。
晶闸管结构40被单片地集成在功率半导体器件5中。在图2中的电路图的左分支图示功率半
导体器件5的等效电路。本领域技术人员熟悉在图2中使用的用于IGBT 20、晶闸管结构40、以及二极管3的符号。例如，在图2中，电阻器43可以对应于在晶闸管40的p-基极和IGBT的p-发射极之间的欧姆连接（对照在图3A中的背侧发射极区102）。
第二负载端子结构12和第一负载端子结构11之间的正向电流I1的至少一部分。例如，第一
负载端子结构11可以包括前侧金属化，并且第二负载端子结构12可以包括背侧金属化。半
导体本体10包括第一导电类型（例如，n型）的漂移区100。漂移区100可以包括场阻止区100-
1，其中场阻止区100-1与场阻止区100-1外部的漂移区100的部分相比具有处于更高浓度的
第一导电类型的掺杂剂。进一步地，多个IGBT控制单元14被布置在前侧10-1处与第一负载
端子结构11相接触，其中IGBT 控制单元14可以被至少部分地包括在半导体本体10中。每个IGBT控制单元14可以例如包括：包括栅极电极16和绝缘结构150的栅极沟槽、第一导电类型的至少一个源极区104、与第一导电类型互补的第二导电类型的本体区103、以及漂移区100的一部分。进一步地，在本体区103和漂移区100之间的过渡处形成pn结109。这样的IGBT单元14的配置是技术人员熟知的并且因此将不再详细地解释。
区100隔离。
是，IGBT控制单元14不仅可以被布置在IGBT 201区域的内部，而且还可以被布置在晶闸管
区401中。换句话说，在实施例中，晶闸管发射极区106可以表现为与多个IGBT控制单元14的横向重叠。应当注意的是，可以通过选取在将晶闸管发射极区106与漂移区100隔离的第二
导电类型的半导体区内的掺杂剂浓度来调整晶闸管结构40的正向转折电压Vfwbr、维持电
压Vh、以及维持电流Ih中的每个。例如，可以通过减小在所述半导体区中的第二导电类型的掺杂剂浓度来减小正向转折电压Vfwbr、维持电压Vh、以及维持电流Ih中的每个，并且反之亦然。
结构40的正向转折电压Vfwbr、维持电压Vh、以及维持电流Ih中的每个。例如，可以通过增加横向延伸Lx来减小正向转折电压Vfwbr、维持电压Vh、以及维持电流Ih中的每个，并且反之亦然。进一步地，在实施例中，半导体本体10包括分布在半导体本体10的横向延伸上的多个这样的晶闸管发射极区106，由此限定多个这样的晶闸管区401（未图示在图3A至图3C中描
绘的竖向横截面的区段中）。
二极管作为电力电子装置1的二极管结构3。进一步地，电力电子装置1包括晶闸管40。例如，IGBT 20、二极管3、以及晶闸管40可以被提供为分离的器件，诸如在分离的芯片上。
承载的或者是在沟道被接通的情况下由MOSFET本身承载的。进一步地，提供晶闸管40，其可以被与MOSFET 23分离地布置，诸如在分离的芯片上。
电流Inom的量。x轴示出二极管结构3的对应的二极管电压Vd，即在电力电子装置1的反向模式下的二极管结构3的正向电压Vd。x轴的标度被归一化为在接近于标称电流Inom的二极管
电流Id下的二极管结构3的二极管正向电压Vdnom。技术人员通常熟悉如在图6A中示出的二
极管特性。
40的正向方向上）的晶闸管电流Ithyr。y轴的标度被归一化为半导体开关结构2的标称电流Inom的量。x轴示出在电力电子装置的反向模式下的晶闸管结构40的对应的电压Vthyr。为
了便于比较，x轴的标度与在图6A中相同，即被归一化为二极管正向电压Vdnom。图6B的电
流-电压特性表现出在晶闸管结构40的正向转折电压Vfwbr处晶闸管电压Vthyr的特征回
跳。例如，晶闸管结构40在正向转折电压Vfwbr处被点火。
标称电流Inom的至多5倍。例如，在实施例中，正向转折电压Vfwbr等于或者小于10V，诸如例如等于或者小于8V。进一步地，在实施例中，正向转折电压可以接近于至少3V。
称电流Inom和四倍的标称电流Inom之间进行传导。
元14的闭合的栅极来限定，IGBT单元14也可以存在于半导体器件5的晶体管区401中。
线C1、C2、C12。
流I2）的图7C中的曲线C12来解释滞后。例如，在曲线C12上的初始点p0处，反向电流是零。然后，在点p0和p1之间反向电流I2向上提升（例如，由于浪涌电流事件），其中反向电流I2本质上并且持续地遵循二极管特性C1（参见图7A）。原因在于，在该阶段中，晶闸管结构40处于其断开状态，并且因此本质上并未贡献于反向电流I2的传导。在点p1处，晶闸管电压Vthyr达到正向转折电压Vfwbr（参见在图7B中的C2），并且晶闸管结构40突然接通。作为结果，在曲线C12中发生到点p2的跳跃，其中晶闸管结构突然接管反向电流I2的大部分，由此使反向电压V2降低。该改变在非常短的时间尺度上发生并且在图7C中被指示为点划线。如由图7C中
的箭头指示的那样，从点p2起电流可以沿着曲线C12持续地增加。在一些点处，电流将沿着曲线C12再次减小。当晶闸管电流下降到晶闸管结构40的维持电流Ih以下时（其发生在曲线C12中的点p3处），晶闸管结构40再次关断，并且反向电压V2突然从点p3增加到点p4。然后，反向电流I2可以在曲线C12的下部分支上进一步持续地减小（或者可以在曲线C12的下部分
支上再次增加直到其到达点p1）。
要反向电流I2的量小于或者等于第一临界反向电流值IRC1，晶闸管电流的部分就保持为非
常小，诸如低于反向电流的10%，例如低于反向电流的5%。例如，晶闸管电流可以本质上为零或者被限制于在该机制下的小的正向泄漏电流。例如，第一临界反向电流值IRC1小于维持
电流Ih。如在图8中进一步图示的那样，第一临界反向电流值IRC1可以接近于至少两倍（诸如至少三倍）的标称电流Inom。因此，在当反向电流I2的量为在标称电流Inom的量级上时的通常的反向导通状况下，晶闸管结构40可以本质上不贡献于反向电流I2的传导。
30%，或者甚至至少40%。如示例性地图示的那样，第二临界反向电流值IRC2可以位于图8中的点p1和点p2的右边。在实施例中，第二临界反向电流值IRC2接近于标称电流Inom的至多
10倍，诸如例如至多5倍。例如，晶闸管结构40可以因此被配置用于仅在典型的浪涌电流状况下传导反向电流I2的相当大的部分。例如，可以因此在浪涌电流的状况下减轻二极管结
构3的负担。例如，将在二极管结构3（单独采用）不得不支持第二临界反向电流I2的情况下发生的在二极管结构3处的电压降可能大于晶闸管结构40的正向转折电压Vfwbr。
生的功率损耗的大部分。关于术语“有源区”，应当注意的是，例如在二极管结构3是MOSFET的体二极管的情况下，MOSFET的所有有源区可以例如被当作为二极管结构3的相关有源区。
如果如在上面描述的那样晶闸管结构40与IGBT 20单片地集成，则晶闸管结构40的有源区
可以例如由（一个或多个）晶闸管发射极区106的区域来限定。替换地，在这种情况下，晶闸管结构40的有源区可以被限定为（一个或多个）晶闸管发射极区106以例如45°的横向延展
角对于前侧10-1的投影。因此，可以将电流和/或热电流的横向延展考虑在内。
1的二极管结构3的有源区的总和在电力电子模块内部的各电力电子装置的半导体开关结
构2的有源区的总和的从10%至60%的范围内，诸如例如在从30%至50%的范围内。
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| 用于印刷结构化的具有改善的电流承载能力的银涂层的方法 | 2020-05-14 | 596 |
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