플렉서블 기판 및 이를 포함하는 플렉서블 표시 장치{Flexible substrate and Flexible display device including the same}

본 발명은 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 플렉서블 표시 장치에 관한 것이다.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED), 전기영동표시장치(Electro Phoretic Display; EPD) 및 플라즈마 액정패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.

최근, 표시 패널에 대한 요구는 평판 표시 패널에만 국한되지 않고 다양한 방향으로 구부리거나 펼 수 있는 플렉서블 표시 패널에까지 미치고 있다.

그러나, 이와 같은 플렉서블 표시 패널에 포함되는 금속 배선의 경우에는 유연성이 낮기 때문에 벤딩되거나 폴딩되는 경우 스트레스를 받는 문제점이 있다. 금속 배선이 벤딩되거나 폴딩되어 스트레스가 밀집되는 경우에 크랙이 발생하거나 금속 배선이 단선되어 결과적으로 플렉서블 표시 패널의 신뢰성을 저하시키는 문제가 발생할 염려가 있다.

본 발명의 목적은, 스트레스를 분산시켜 플렉서블리티가 향상된 금속 배선을 포함하는 플렉서블 기판 및 플렉서블 표시 장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 일 실시예는 플렉서블한 제1 기판 및 상기 제1 기판 상에 위치하며, 상기 제1 기판을 향하는 제1면, 상기 제1면의 반대면인 제2면, 및 상기 제1면으로부터 상기 제2면까지 관통하는 복수의 홀들을 포함하는 금속 배선층을 구비하며, 상기 복수의 홀들은 복수의 행(row)들을 이루도록 배치되고, n번째 행의 홀은 n-1번째 행의 홀로부터 행 방향을 따라 제1거리만큼 이격되어 배치되고, 상기 복수의 홀들 각각의 평면의 형상은 곡선으로 이루어지는 플렉서블 기판을 개시한다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1거리는 상기 n-1번째 행의 홀의 폭 보다 작을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 기판은 벤딩되거나 폴딩되는 변형영역을 포함하고, 상기 복수의 홀들은 상기 변형영역과 대응하는 위치의 상기 금속 배선층에 배치될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 복수의 홀들 각각의 평면의 형상은 동일할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 복수의 홀들 각각의 외곽선은 제1곡선부 및 상기 제1곡선부와 연결된 제2곡선부를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1곡선부 및 상기 제2곡선부 각각은, 열 방향을 따르는 제1충 상에 놓인 임의의 기준점을 시작점으로 하여 시계 방향으로 라운드진 구간 및 반시계 방향으로 라운드진 구간을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 곡선부는 열 방향을 따르는 제1축으로부터 제1곡률을 가지도록 시계방향으로 라운드진 제1 구간, 상기 제1 구간과 연결되며, 상기 제1 구간으로부터 제2곡률을 가지도록 반시계방향으로 라운드진 제2구간 및 상기 제2영역과 연결되며, 상기 제2 구간으로부터 제3곡률을 가지도록 시계방향으로 라운드진 제3 구간을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2곡선부는 상기 행 방향에 대하여 수직인 열 방향을 따르는 제1축을 중심으로 상기 제1곡선부와 대칭을 이룰 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1곡률은 상기 제3곡률과 같을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1곡선부는 상기 행 방향을 따르며 상기 제1 곡선부를 지나는 제2 축을 중심으로 대칭을 이룰 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 금속 배선층의 상부에 구비되는 절연층을 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 실시예는 플렉서블한 제1 기판 상기 제1기판 상에 배치된 복수의 픽셀들 및 상기 복수의 픽셀들과 전기적으로 연결된 금속 배선층을 포함하고, 상기 금속 배선층의 적어도 일 영역은, 복수의 홀들을 포함하고 상기 복수의 홀들 각각의 평면의 형상은 곡선으로 이루어지는 플렉서블 표시 장치를 개시한다.

본 실시예에 있어서, 상기 복수의 홀들은 복수의 행(row)들을 이루도록 배치되고, n번째 행의 홀은 n-1번째 행의 홀로부터 행 방향을 따라 제1거리만큼 이격되어 배치될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1거리는 상기 n-1번째 행의 홀의 폭 보다 작을 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 기판은 벤딩되거나 폴딩되는 변형 영역을 포함하고, 상기 복수의 홀들은 상기 변형영역과 대응하는 위치의 상기 금속 배선층에 배치될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 복수의 홀들 각각의 평면의 형상은 동일할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 복수의 홀들 각각의 외곽선은 제1곡선부 및 상기 제1곡선부와 연결된 제2곡선부를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1곡선부 및 상기 제2곡선부 각각은, 임의의 기준점으로부터 시계 방향으로 라운드진 구간 및 반시계 방향으로 라운드진 구간을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 곡선부는 열 방향을 따르는 제1축으로부터 제1곡률을 가지도록 시계방향으로 라운드진 제1 구간, 상기 제1 구간과 연결되며, 상기 제1 구간으로부터 제2곡률을 가지도록 반시계방향으로 라운드진 제2구간 및

상기 제2영역과 연결되며, 상기 제2 구간으로부터 제3곡률을 가지도록 시계방향으로 라운드진 제3 구간을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2곡선부는 상기 행 방향에 대하여 수직인 열 방향을 따르는 제1축을 중심으로 상기 제1곡선부와 대칭을 이룰 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1곡률은 상기 제3곡률과 같을 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 변형 영역에 대응하는 위치의 금속 배선층에 홀이 형성되어 스트레스가 분산되는 유리한 효과가 있다.

또한, 홀이 곡선으로 이루어져 직선으로 이루어지는 경우와 비교하여 보다 효율적으로 스트레스 밀집을 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다.

본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 단면도로서, 제1 기판 및 발광 소자를 포함하는 표시부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 단면도로서, 플렉서블 기판의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 금속 배선층의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 복수의 홀(H)들 중 하나의 홀(H)을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선층의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6b는 도 6a의 Ⅵ-Ⅵ 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선층의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 배선층의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위"에 또는 "상"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.

본 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(1000)는 벤딩(bending)되거나 폴딩(folding)되는 변형영역(B)을 포함할 수 있다. 즉, 선택적 실시예로서 일부 영역이 일시적으로 변형되거나 영구적으로 변형될 수 있다.

본 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(1000)는 도 1에 도시된 바와 같이 양 가장자리 부분에 변형영역(B)을 포함할 수 있다.

다만, 플렉서블 표시 장치(1000)에 포함되는 변형영역(B)의 위치나 개수는 이에 한정되는 것은 아니며, 플렉서블 표시 장치(1000)에 포함된다면 어느 부분이라도 위치할 수 있다.

선택적 실시예로서, 변형영역(B)은 사용자가 시인할 수 있도록 화면을 표시하는 표시 영역이 될 수 있고, 다른 실시예로서, 변형영역(B)은 차광 역할을 하는 베젤 영역이 될 수 있다.

즉, 변형영역(B)이 형성되는 부분은 한정되지 않으며, 표시 영역이 벤딩되거나 폴딩될 수도 있고, 베젤 영역이 벤딩되거나 폴딩될 수도 있음은 물론이다.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ 단면도로서, 제1 기판(100) 및 유기 발광 소자를 포함하는 표시부(200)를 개략적으로 도시한 단면도이다.

본 실시예에 따른 표시부(200)는 제1 기판(100)상에 형성될 수 있으며 상기 제1 기판(100) 상에 형성되는 복수 개의 픽셀들의 어레이를 포함할 수 있다.

상기 복수 개의 픽셀들은 금속 배선층에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 금속 배선층은 게이트 전극(G)을 포함하는 배선, 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함하는 배선, 제1 전극(281) 또는 제2 전극(283)을 포함하는 배선 등 제1 기판(100) 상에 구비되는 모든 배선을 포함할 수 있다.

또한, 상기 픽셀들은 각각 박막 트랜지스터(TFT)들과 상기 박막 트랜지스터(TFT)에 의해 제어되는 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 스스로 발광하는 유기 발광 소자일 수 있다.

물론 본 실시예의 표시부(200)가 유기 발광 소자(OLED)를 포함하는 것에 한정되지는 않으나 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 표시부(200)가 유기 발광 소자(OLED)로 구성되는 경우에 한정하여 설명하도록 한다.

본 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치(1000, 도 1 참고)는 변형 영역(B, 도 1 참고)을 포함하는 유연성이 향상된 특징을 가질 수 있으며 이에 따라 변형 영역(미도시)을 포함하는 제1 기판(100)은 연신율이 우수한 재질으로 형성할 수 있다.

즉, 제1 기판(100)은 플렉서블한 특성을 가지며 벤딩(bending)되거나 폴딩(folding)되는 변형 영역(미도시)을 포함할 수 있다.

예를 들어, 제1 기판(100)은 0.4 이상의 포아송 비(Poisson's ratio)를 가지는 재질로 형성될 수 있다. 포아송 비(Poisson's ratio)는 한쪽방향에서 잡아 당겨서 길이를 늘일 때, 다른 쪽 방향이 줄어드는 비를 의미하는 것으로, 제1 기판(100)을 형성하는 재질의 포아송 비(Poisson's ratio)가 0.4 이상이라는 것은 제1 기판(100)이 잘 늘어나는 특성을 갖는다는 것을 의미한다. 연신율이 우수한 재질로 제1 기판(100)이 형성됨에 따라 벤딩 영역(B, 도1 참고)에서 표시 장치의 유연성이 향상되어 벤딩이 잘 일어날 수 있다.

본 실시예에서, 제1 기판(100)은 실리콘계 폴리머(silicone-based polymer), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate), 아크릴레이트 폴리머(acrylate polymer) 및 아크릴레이트 터폴리머(acrylate terpolymer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실리콘계 폴리머는, 예컨대, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 헥사메틸디옥실란(hexamethyldisiloxane, HMDSO) 등을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 기판(100)은 플렉서블한 성질을 가지며, 2차원 적으로 연신 가능한 특성을 가질 수 있다.

제1 기판(100)의 상부에는 버퍼층(110)이 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 표시부(200) 내로 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 제1 기판(100)의 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 및/또는 블록킹층으로 역할을 할 수 있다.

버퍼층(110)의 상부에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 반도체층(A), 게이트 전극(G), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 도시하였다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.

반도체층(A)은 폴리 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다.

반도체층(A)이 형성된 후 반도체층(A)의 상부에는 게이트 절연막(210)이 기판(100) 전면(全面)에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 반도체층(A)과 상부에 위치하는 게이트 전극(G)을 절연하는 역할을 한다.

상기 게이트 절연막(210)을 형성한 후 게이트 절연막(210)의 상부에 게이트 전극(G)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(G)은 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다.

게이트 전극(G)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

상기 게이트 전극(G)이 형성된 후 층간 절연막(230)이 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다.

층간 절연막(230)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(230)은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.

층간 절연막(230)은 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기물로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 층간 절연막(230)은 SiOx/SiNy 또는 SiNx/SiOy의 이중 구조로 이루어질 수 있다.

층간 절연막(230)의 상부에는 박막 트랜지스터의 소스 전극(S), 드레인 전극(D)이 배치될 수 있다. 상기 소스 전극(S), 드레인 전극(D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 비아층(250)이 형성될 수 있다. 비아층(250)의 상부에는 제1 전극(281)이 형성될 수 있다. 도 2에 도시된 일 실시예에 따르면, 제1 전극(281)은 비아홀을 통해 드레인 전극(D)과 연결된다.

비아층(250)은 절연물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 비아층(250)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 평탄화막(PL)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.

상기 비아층(250)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)가 구비될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 제1 전극(281), 유기 발광층을 포함하는 중간층(283) 및 제2 전극(285)을 포함할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)의 제1 전극(281)과 제2 전극(285)에서 주입되는 정공과 전자는 중간층(283)의 유기 발광층에서 결합하면서 빛이 발생할 수 있다.

제1 전극(281) 및/또는 제2 전극(285)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명 전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 전극(281) 또는 제2 전극(285)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.

중간층(283)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(283)은 유기 발광층(emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(283)은 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층을 더 구비할 수 있다.

중간층(283) 상에는 제2 전극(285)이 형성된다. 제2 전극(285)은 제1 전극(281)과 전계를 형성하여, 중간층(283)에서 광이 방출될 수 있게 한다. 제1 전극(281)은 화소 마다 패터닝될 수 있으며, 제2 전극(285)은 모든 화소에 걸쳐 공통된 전압이 인가되도록 형성될 수 있다.

제1 전극(281)은 비아층(250)상에 형성되고 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.

선택적 실시예로서 제1 전극(281)은 패터닝될 수 있고, 예를 들면 화소 마다 패터닝될 수 있다. 표시부(200)는 화소 정의막(270)을 더 포함할 수 있다. 화소 정의막(270)은 제1 전극(281)을 노출하는 개구(미도시)를 포함할 수 있다. 중간층(283)은 개구(미도시)에 대응되도록 형성되어 제1 전극(281)과 전기적으로 연결될 수 있다.

도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 단면도로서, 플렉서블 기판의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.

본 실시예에 따른 플렉서블 기판(10)은 플렉서블한 제1 기판(100) 및 제1 기판(100) 상에 구비되는 금속 배선층(ML1)을 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이 제1 기판(100)은 벤딩되거나 폴딩될 수 있는 플렉서블한 특성을 가질 수 있으며, 이러한 유연한 제1 기판(100)의 상부에 금속 배선층(ML1)이 형성될 수 있다.

상술한 바와 같이 플렉서블 제1 기판(100)은 벤딩되거나 폴딩되는 변형 영역을 포함할 수 있으며 도 3은 변형 영역에 해당하는 부분을 도시한 것이라 정의하고 이하 설명하도록 한다.

금속 배선층(ML1)은 복수 개의 픽셀들을 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 전기적 신호를 전달하여 표시 장치에 사용자가 시인할 수 있는 화면이 표시되도록 하는 배선일 수 있다.

도 3에는 하나의 금속 배선층(ML1)만이 도시되어 있으나 이에 한정되지 않음은 물론이며, 제1 기판(100) 상에 2개 이상의 금속 배선층이 다층으로 형성될 수 있다.

금속 배선층(ML1)은 게이트 전극(G)을 형성하는 전원 전압선이거나 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 형성하는 데이터 배선일 수 있다. 또한, 제1 전극 또는 제2 전극을 형성하는 배선일 수도 있다.

즉, 금속 배선층(ML1)은 제1 기판(100) 상에 형성되는 복수 개의 픽셀들을 전기적으로 연결하는 배선이라면 어느 것이라도 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 금속 배선층(ML1)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

금속 배선층(ML1)은 제1 기판(100)과 마주보는 제1 면(MLb) 및 제1 면(MLb)의 반대편에 위치하는 제2 면(MLa)을 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 금속 배선층(ML1)은 제1 면(MLb)으로부터 제2 면(MLa)까지 관통하는 복수의 홀(H)들을 포함할 수 있다.

홀(H)의 개수 및 형성 위치는 한정되지 않으며, 금속 배선층(ML1)이 다층으로 형성되는 경우 하나의 금속 배선층(ML1) 혹은 2개 이상의 금속 배선층(ML1)에 홀(H)이 형성될 수 있다.

본 실시예에 따른 플렉서블 기판(10)은 금속 배선층(ML1)의 상부에 구비되는 절연층을 더 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 도 3에 도시된 금속 배선층(ML1)은 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 형성하는 데이터 배선일 수 있다.

이 경우, 도 2에 대한 설명에서 상술한 바와 같이 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 덮도록 기판 전면에 비아층(250)이 형성되므로, 도 3에 도시된 바와 같이 금속 배선층(ML1) 상에 구비되는 절연층은 비아층(250)일 수 있다.

도 3에는 금속 배선층(ML1)의 상부에 비아층(250)이 형성되는 일 실시예가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이며, 홀(H)이 형성되는 금속 배선층(ML1)에 따라 층간 절연막(230), 비아층(250), 화소 정의막(270) 등을 포함하는 어떠한 절연층이라도 형성될 수 있다.

도 4는 도 3에 도시된 금속 배선층(ML1)의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

상술한 바와 같이 본 실시예에 따른 금속 배선층(ML1)은 복수의 홀(H)들을 포함할 수 있다.

상기 복수의 홀(H)들은 복수의 행(row)들을 이루도록 배치될 수 있다.

다만, 홀(H)의 개수나 행(row)의 개수는 한정되지 않으며 2개 이상의 복수의 홀(H)들이 2개 이상의 복수의 행(row)들을 이루도록 배치될 수 있다.

선택적 실시예로서, 도 4에 도시된 바와 같이 복수의 홀(H)들 각각의 평면의 형상은 모두 동일할 수 있다.

물론 금속 배선층(ML1)에 형성되는 홀(H)의 평면의 형상은 도 4에 도시된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 홀(H)의 평면 형상에 대한 상세한 설명은 후술하도록 한다.

본 실시예에 따른 금속 배선층(ML1)은 적어도 일부가 변형 영역(B)에 위치할 수 있다.

도 4는 변형 영역(B)에 위치하는 금속 배선층(ML1)을 확대하여 개략적으로 도시한 평면도이다.

이 경우, 금속 배선층(ML1) 또한 변형 영역(B)에 대응되는 부분이 일시적으로 또는 영구적으로 벤딩(bending)되거나 폴딩(folding)될 수 있다.

금속 배선층(ML1)은 상술한 바와 같이 금속 물질으로 이루어질 수 있고, 금속은 유연성(flexibility)이 낮아 변형 영역(B)에서 금속 배선층(ML1)가 받는 스트레스가 밀집되는 문제가 생길 수 있다.

금속 배선층(ML1)에 스트레스가 밀집되는 경우에, 금속 배선층(ML1)이 단선되거나 금속 배선층(ML1)에 크랙이 생기는 문제가 발생할 수 있고, 이 경우 픽셀들에 전기적 신호를 전달하는 금속 배선층(ML1)의 역할을 제대로 수행하지 못하여 결과적으로 플렉서블 표시 장치의 신뢰성 저하가 초래될 수 있다.

따라서, 본 실시예에 따른 금속 배선층(ML1)은 변형 영역(B)에 대응하는 위치에 복수개의 홀(H)들을 형성함에 따라 금속 배선층(ML1)의 유연성(flexibility)을 향상시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.

선택적 실시예로서, n번재 행의 홀(H)은 n-1 번째 행의 홀(H)로부터 행 방향을 따라 제1 거리(d)만큼 이격되도록 배치될 수 있다.

즉, 연속된 행에서 홀(H)은 열 방향의 홀(H)의 중심축이 서로 동일한 위치에 배치되는 것이 아니라 홀(H)의 열 방향의 중심축의 위치가 서로 상이하도록 배치될 수 있다.

n번째 행의 홀(H)은 n-1 번째 행의 홀(H)로부터 행 방향을 따라 이격되어 배치될 수 있으며, n-1 번째 행의 홀(H)을 중심으로 오른쪽으로 또는 왼쪽으로 임의의 제1 거리(d)만큼 이격되어 배치될 수 있다.

선택적 실시예로서, 상기 제1 거리(d)는 n-1 번째 행의 홀(H)의 폭(w)보다 작을 수 있다.

즉, n번째 행의 홀(H)을 열 방향을 따라 n-1번째 행으로 이동시켰을 때, n-1번째 행에 위치한 홀(H)과 중첩되는 영역이 발생할 수 있다.

도 4에 도시된 실시예는 1번째 행, 3번째 행, 5번째 행에 위치한 홀(H)들의 열 방향을 따르는 중심축이 동일한 위치에 배치되고 2번째 행, 4번째 행에 위치한 홀(H)들의 열 방향을 따르는 중심축이 동일한 위치에 배치되어 있다.

다만, 이는 본 발명의 일 실시예에 불과하고, 본 발명의 복수의 홀(H)들의 배치는 이에 한정되지 않음은 물론이다.

이하에서는 홀(H)들 각각의 평면 형상에 대하여 상세히 설명하도록 한다.

도 5a 및 도 5b는 도 4에 도시된 복수의 홀(H)들 중 하나의 홀(H)을 확대하여 도시한 확대도이다.

본 실시예에 따른 복수의 홀(H)들 각각의 평면 형상의 외곽선은 곡선으로 이루어질 수 있다.

직선이란 두 점 사이를 가장 짧게 연결한 선을 의미하고, 곡선이란 점이 평면 위나 공간 안을 연속적으로 움직일 때 생기는 선을 의미한다.

선택적 실시예로서, 홀(H)의 외곽선은 직선을 포함하지 않고, 곡선으로만 이루어질 수 있다.

변형 영역(B)에서 금속 배선층(ML1)이 벤딩되거나 폴딩되는 경우 금속 배선층(ML1)이 받는 스트레스가 분산될수록, 금속 배선층(ML1)이 단선되거나 크랙이 발생하는 등 금속 배선층(ML1)이 손상될 염려가 줄어들 수 있다.

본 실시예에 따른 플렉서블 표시 장치에서 홀(H)의 외곽선이 곡선으로만 이루어지는 경우에는 홀(H)의 외곽선이 직선을 포함하는 경우와 비교하여 보다 효율적으로 스트레스가 분산되는 유리한 효과가 있다.

즉, 금속 배선층(ML1, 도 4 참고)이 벤딩되거나 폴딩될 때, 홀(H)의 외곽선이 직선인 부분에서 홀(H)의 외곽선이 곡선인 부분에서보다 금속 배선층(ML1)이 받는 응력이 크기 때문에, 홀(H)의 외곽선이 곡선으로만 이루어지는 경우에는 금속 배선층(ML1)의 변형시 스트레스 밀집을 효율적으로 방지할 수 있다.

선택적 실시예로서, 금속 배선층(ML1)에 홀(H)이 형성되는 경우에 홀(H)이 형성되는 영역에 해당하는 금속 배선층(ML1)의 외곽선 또한 홀(H)의 형상을 따라 곡선으로 이루어지도록 형성될 수 있다.

즉, 플렉서블 표시 장치에 포함되는 금속 배선층(ML1)은 변형 영역에 대응하는 일부 영역에서 벤딩(bending)되거나 폴딩(folding)될 수 있고, 상기 변형 영역(B)에 대응하는 위치에 복수개의 홀(H)들이 배치될 수 있다. 이러한 복수개의 홀(H)들이 형성되는 변형 영역(B)에서는 금속 배선층(ML1)의 외곽선 또한 홀(H)의 형상을 따라 곡선으로 이루어질 수 있다.

선택적 실시예로서, 도 4에 도시된 바와 같이 홀(H)이 형성되는 변형 영역(B)에서 금속 배선층(ML1)의 좌측과 우측 외곽선은 모두 홀(H)의 형태를 따라 곡선으로 이루어질 수 있다.

즉, 금속 배선층(ML1)의 외곽선이 홀(H)의 형태를 따라 형성되는 경우 홀(H) 자체가 곡선으로 이루어질 뿐만 아니라 금속 배선층(ML1) 자체의 외곽선도 홀(H)의 형태와 같이 곡선으로 이루어지므로 금속 배선층(ML1)의 유연성을 효율적으로 향상시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.

다만, 이는 하나의 실시예에 불과한 것이며, 금속 배선층(ML1) 자체의 외곽선은 복수의 홀(H)들이 형성되는 부분이라 하더라도 직선으로 형성될 수 있음은 물론이다.

선택적 실시예로서, 홀(H)들 각각의 외곽선은 제1 곡선부(h1) 및 제2 곡선부(h2)를 포함할 수 있다.

각각의 홀(H)은 열 방향을 따르는 제1 축을 중심으로 제1축의 왼쪽에 형성되는 홀(H)의 외곽선인 제1 곡선부(h1), 제1축의 오른쪽에 형성되는 홀(H)의 외곽선인 제2 곡선부(h2)로 이루어질 수 있다.

선택적 실시예로서, 상기 제1 곡선부(h1) 및 제2 곡선부(h2)는 단절되는 부분 없이 연결되어 형성될 수 있다.

제1 곡선부(h1)와 제2 곡선부(h2)가 연결되는 제1축 상에 형성되는 연결점에서 홀(H)의 외곽선이 뾰족한 지점을 가질 수 있으나, 이러한 점도 접선의 기울기가 반대인 두 곡선을 연결하는 하나의 점으로써, 직선을 이루는 것은 아니다.

즉, 본 실시예에 따른 홀(H)의 외곽선은 제1 곡선부(h1) 및 제1 곡선부(h1)와 연결되는 제2 곡선부(h2)를 포함하여 곡선으로 이루어질 수 있다.

선택적 실시예로서, 제1 곡선부(h1) 및 제2 곡선부(h2) 각각은 임의의 시작점을 기준으로 시계 방향으로 라운드진 구간 및 반시계 방향으로 라운드진 구간을 포함하여 형성될 수 있다.

즉, 제1 곡선부(h1) 및 제2 곡선부(h2) 각각은 임의의 점으로부터 시계 방향으로 곡선을 이루는 부분을 포함할 수 있고, 임의의 점으로부터 반시계 방향으로 곡선을 이루는 부분도 포함할 수 있다.

이에 대하여는 이하에서 도 5b를 참고하여 상세히 설명하도록 한다.

도 5b에 도시된 바와 같이 상기 제1 곡선부(h1)는 제1 구간(ha), 제2 구간(hb), 제3 구간(hc)으로 이루어질 수 있다.

선택적 실시예로서, 제1 구간(ha)은 열 방향을 따르는 제1축 상에 위치하는 제1 곡선부(h1)의 점을 시작점으로 하여 시계 방향으로 라운드진 구간일 수 있다.

선택적 실시예로서, 제1 구간(ha)은 제1 곡률을 갖도록 형성될 수 있다.

곡률이란 곡선의 휨 정도를 나타내는 변화율 값으로서, 곡선 위의 점 p가 곡선을 따라 일정한 속도로 움직일 때, 그 진행 방향은 이동한 거리에 따라 변화하는데, 이 때의 변화율을 곡선의 곡률이라 한다.

곡률 반경(r)과 곡률은 역수 관계에 있다. 즉, 곡률의 값은 곡률 반경(r)의 역수 값(1/r)으로 나타낼 수 있다.

따라서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 구간(ha)은 제1 곡률을 갖도록 형성될 수 있으며, 제1 곡률은 곡률 반경(r¹)의 역수 값인 1/r¹일 수 있다.

제1 곡선부(h1)는 제1 구간(ha)과 연결되는 제2 구간(hb)을 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 제2 구간(hb)은 제1 구간(ha)과 연결되는 점을 시작점으로 하여 반시계 방향으로 라운드진 구간일 수 있다.

선택적 실시예로서, 제2 구간(hb)은 제2 곡률을 갖도록 형성될 수 있다.

제2 곡률은 곡률 반경(r²)의 역수 값인 1/r² 일 수 있다.

제1 곡선부(h1)는 제2 구간(hb)과 연결되는 제3 구간(hc)을 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 제3 구간(hc)은 제2 구간(hb)과 연결되는 점을 시작점으로 하여 시계 방향으로 라운드진 구간일 수 있다.

제3 구간(hc)은 제3 곡률을 갖도록 형성될 수 있으며, 제3 곡률은 곡률 반경(r³)의 역수 값인 1/r³일 수 있다.

제1 곡률(1/r¹), 제2 곡률(1/r²), 제3 곡률(1/r³)의 값은 한정되지 않으며, 각각이 상이하거나 2개의 곡률이 동일할 수 있고, 모든 곡률 값이 동일할 수도 있다.

홀(H)의 평면의 외곽선이 곡선으로만 이루어지는 경우라면 도 5a 및 도 5b에 도시된 형상에 한정되지 않고 어떤 형상으로도 홀(H)이 형성될 수 있다.

도 5a에 도시된 바와 같이 열 방향을 따르는 제1 축을 중심으로 하여 제2 곡선부(h2)는 제1 곡선부(h1)와 대칭을 이루도록 형성될 수 있다.

즉, 제2 곡선부(h2)는 제1 곡선부(h1)와 동일한 형태로 형성될 수 있으며, 제1축을 중심으로 홀(H)은 좌우가 대칭되는 외곽선으로 이루어질 수 있다.

선택적 실시예로서, 제1 곡률(1/r¹)은 제3 곡률(1/r³)과 같을 수 있다.

즉, 제1 곡선부(h1)는 행 방향을 따르고 제1 곡선부(h1)를 지나는 제2 축을 중심으로 대칭으로 형성될 수 있다.

선택적 실시예로서, 열 방향을 따르는 제1 축을 중심으로 제1 곡선부(h1)와 제2 곡선부(h2)가 대칭을 이루도록 형성되는 경우, 제2 곡선부(h2) 또한 제2 축을 중심으로 대칭으로 형성될 수 있다.

즉, 홀(H)의 외곽선은 열 방향을 따르며 홀(H)의 한가운데로 지나는 제1축을 중심으로 하여 좌우 대칭을 이루도록 형성될 수 있고, 행 방향을 따르며 홀(H)의 한가운데로 지나는 제2 축을 중심으로 하여 상하 대칭을 이루도록 형성될 수 있다.

도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선층(ML2)의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 6b는 6a의 Ⅵ-Ⅵ 단면도이다. 도 6a 및 도 6b에서, 도 3 및 도 4와 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다.

본 실시예에 따른 금속 배선층(ML2) 또한 게이트 전극(G)을 형성하는 전원 전압선이거나 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 형성하는 데이터 배선일 수 있다. 또한, 유기 발광 소자(OLED)에 포함되는 제1 전극 또는 제2 전극을 형성하는 배선일 수도 있다.

즉, 금속 배선층(ML2)은 복수 개의 픽셀들을 전기적으로 연결하고 제1 기판(100) 상에 구비되는 배선이라면 어느 것이라도 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 금속 배선층(ML2)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

금속 배선층(ML2)은 복수의 홀(H)들을 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 상기 복수의 홀(H)들은 복수의 행(row)들을 이루도록 배치될 수 있다.

다만, 홀(H)의 개수나 행(row)의 개수는 한정되지 않으며 2개 이상의 복수의 홀(H)들이 2개 이상의 복수의 행(row)들을 이루도록 배치될 수 있다.

선택적 실시예로서, 도 6a에 도시된 바와 같이 복수의 홀(H)들 각각의 평면의 형상은 모두 동일할 수 있다.

플렉서블 기판(10')은 일부가 벤딩(bending)되거나 폴딩(folding)되는 변형 영역(B)을 포함할 수 있다.

즉, 도 6b에 도시된 바와 같이 플렉서블 기판(10')의 폭의 일부 영역만이 변형 영역(B)에 해당할 수 있다.

이에 따라, 변형 영역(B)에 대응되는 위치의 금속 배선층(ML2)도 벤딩되거나 폴딩될 수 있다.

선택적 실시예로서 도 6a에 도시된 바와 같이, 금속 배선층(ML2)의 폭의 일부만이 벤딩되거나 폴딩되는 변형 영역(B)에 위치할 수 있다.

선택적 실시예로서, 복수의 홀(H)들은 변형 영역(B)에 대응되는 위치의 금속 배선층(ML2)에만 배치될 수 있다.

변형 영역(B)에서는 금속으로 이루어지는 유연성(Flexibility)이 낮은 금속 배선층(ML2)이 응력을 많이 받게 되고, 스트레스가 밀집되는 부분에서 금속 배선층(ML2)이 단선되거나 크랙이 발생하는 등 금속 배선층(ML2)이 손상될 염려가 있다.

이에 따라, 변형 영역(B)에서 홀(H)을 형성하여 스트레스를 분산시키고 금속 배선층(ML2)의 유연성을 향상시키는 유리한 효과가 있다.

선택적 실시예로서, n번재 행의 홀(H)은 n-1 번째 행의 홀(H)로부터 행 방향을 따라 제1 거리(d)만큼 이격되도록 배치될 수 있다.

즉, 연속된 행에서 홀(H)은 열 방향의 홀(H)의 중심축이 서로 동일한 위치에 배치되는 것이 아니라 홀(H)의 열 방향의 중심축의 위치가 서로 상이하도록 배치될 수 있다.

n번째 행의 홀(H)은 n-1 번째 행의 홀(H)로부터 행 방향을 따라 이격되어 배치될 수 있으며, n-1 번째 행의 홀(H)을 중심으로 오른쪽으로 또는 왼쪽으로 임의의 제1 거만큼 이격되어 배치될 수 있다.

선택적 실시예로서, 상기 제1 거리는 n-1 번째 행의 홀(H)의 폭(w)보다 작을 수 있다.

즉, n번째 행의 홀(H)을 열 방향을 따라 n-1번째 행으로 이동시켰을 때, n-1번째 행에 위치한 홀(H)과 중첩되는 영역이 발생할 수 있다.

다만, 이는 본 발명의 일 실시예에 불과하고, 본 발명의 복수의 홀(H)들의 배치는 이에 한정되지 않음은 물론이다.

홀(H)의 평면 형상의 외곽선은 곡선으로 이루어질 수 있다.

선택적 실시예로서, 홀(H)의 외곽선은 직선 영역을 포함하지 않고, 곡선 영역으로만 이루어질 수 있다.

홀(H)의 외곽선이 직선을 포함하지 않고 곡선으로만 이루어지는 경우에는 스트레스 밀집을 저하시킬 수 있고, 배선에 크랙이 발생하거나 단선될 염려를 효율적으로 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다.

도 6a 및 도 6b에는 도 4 내지 도 5에서 상술한 홀(H)과 동일한 형상을 갖는 홀(H)이 도시되어 있으므로, 설명의 편의를 위하여 홀(H)의 평면 형상에 대한 자세한 설명은 생략하도록 한다.

다만, 상술한 바와 같이 홀(H)의 형상은 도 4 내지 도 6에 도시된 실시예에 한정되는 것이 아니며, 곡선으로 이루어지는 것이라면 어떤 것이라도 포함할 수 있음은 물론이다.

선택적 실시예로서 변형 영역(B)에 홀(H)이 형성되는 경우, 홀(H)이 형성되는 부분의 금속 배선층(ML2)의 외곽선 또한, 홀(H)의 형상을 따라 곡선으로 이루어질 수 있다.

이 경우, 보다 효율적으로 금속 배선층(ML2)의 플렉서블리티를 향상시켜 스트레스 밀집 없이 유연하게 금속 배선층(ML2)을 변형시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.

선택적 실시예로서, 도 6a에 도시된 바와 같이 금속 배선층(ML2)은 폭 가운데 일부 영역만이 변형 영역(B)을 포함할 수 있고, 상기 변형 영역(B)에 복수의 홀(H)들이 배치될 수 있다. 또한, 금속 배선층(ML2)의 외곽선 가운데 변형 영역(B)에 위치하는 외곽선은 홀(H)의 형상을 따라 곡선으로 이루어질 수 있다.

다만, 이는 하나의 실시예에 불과한 것이며, 금속 배선층(ML2) 자체의 외곽선은 복수의 홀(H)들이 형성되는 부분이라 하더라도 직선으로 형성될 수 있음은 물론이다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선층(ML3)의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

본 실시예에 따른 금속 배선층(ML3) 또한 게이트 전극(G)을 형성하는 전원 전압선이거나 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 형성하는 데이터 배선일 수 있다. 또한, 제1 전극 또는 제2 전극을 형성하는 배선일 수도 있다.

즉, 금속 배선층(ML3)은 복수 개의 픽셀들을 전기적으로 연결하는 배선이라면 어느 것이라도 포함할 수 있다.

선택적 실시예로서, 금속 배선층(ML3)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

도 7은 변형 영역(B)에 대응하는 위치의 금속 배선층(ML3)을 확대하여 개략적으로 도시한 평면도이다. 이 경우, 금속 배선층(ML3) 또한 변형 영역(B)에 대응되는 부분이 일시적으로 또는 영구적으로 벤딩(bending)되거나 폴딩(folding)될 수 있다.

금속 배선층(ML3)은 복수의 홀(H')들을 포함할 수 있다.

상기 복수의 홀(H')들은 복수의 행(row)들을 이루도록 배치될 수 있다.

다만, 홀(H')의 개수나 행(row)의 개수는 한정되지 않으며 2개 이상의 복수의 홀(H')들이 2개 이상의 복수의 행(row)들을 이루도록 배치될 수 있다.

복수의 홀(H')들이 배치됨에 따라 금속 물질으로 이루어져 변형시 스트레스를 받기 쉬운 금속 배선층(ML3)에 가해지는 스트레스가 분산될 수 있고, 금속 배선층(ML3)에서 스트레스 밀집이 저하되는 유리한 효과가 있다.

선택적 실시예로서, 도 7에 도시된 바와 같이 복수의 홀(H')들 각각의 평면의 형상은 모두 동일할 수 있다.

선택적 실시예로서, 홀(H') 각각의 평면의 외곽선은 곡선으로 이루어질 수 있으며, 도 7에 도시된 바와 같이 원 형태로 이루어질 수 있다.

홀(H')의 외곽선 형태가 이에 한정되는 것은 아니나 원과 같이 곡선으로만 이루어짐에 따라 직선에 비해 스트레스를 효율적으로 분산시킬 수 있으며 결과적으로 금속 배선층(ML3)이 받는 스트레스 밀집을 저하시키는 유리한 효과가 있다.

선택적 실시예로서, 복수개의 홀(H')들이 형성되는 영역에서 금속 배선층(ML3)의 외곽선도 홀(H')의 형상을 따라 곡선으로 이루어질 수 있다.

이에 따라, 변형 영역(B)에서 금속 배선층(ML3)에 밀집되는 스트레스를 보다 효율적으로 분산시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.

다만, 금속 배선층(ML3)의 외곽선은 직선으로 이루어질 수도 있고, 곡선으로 이루어질 수도 있으며 변형 영역(B)에 복수개의 홀(H')들을 포함하고 있다면 한정되지 않음은 물론이다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 배선층(ML4)의 평면의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 8에 도시된 금속 배선층(ML4) 또한 역할이나 구성 물질은 도 7에서 상술한 금속 배선층(ML3)과 동일하므로 설명의 편의를 위하여 반복적으로 설명하지 않는다.

변형 영역(B)에 대응하는 위치의 금속 배선층(ML4)은 일부가 벤딩되거나 폴딩될 수 있으며, 변형 영역(B)에 대응하는 위치의 금속 배선층(ML4)에 복수의 홀(H”)들이 배치될 수 있다.

선택적 실시예로서, 복수의 홀(H”)들 각각의 평면의 형태는 모두 동일하게 형성될 수 있다.

선택적 실시예로서, 홀(H”) 각각의 평면의 외곽선은 곡선으로 이루어질 수 있으며, 각각의 홀(H”)은 수직하는 두 중심축을 기준으로 하여 상하, 좌우 대칭으로 형성될 수 있다.

선택적 실시예로서, 홀(H”)의 평면의 외곽선은 임의의 시작점을 기준으로 하여 시계 방향으로 라운드진 구간과 반시계 방향으로 라운드진 구간을 포함할 수 있다.

도 8에 도시된 바와 같이 홀(H”)의 외곽선은 다이아몬드 형태와 유사한 네 곡선으로 이루어진 형태일 수 있다.

물론, 홀(H”)의 외곽선의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 곡선으로 이루어진다면 어떤 형태로도 형성될 수 있음은 물론이다

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.

1000: 플렉서블 표시 장치
B: 변형 영역
10: 플렉서블 기판
100: 제1 기판
200: 표시부
ML1, ML2, ML3, ML4: 금속 배선층
H, H', H”: 홀
h1: 제1 곡선부
h2: 제2 곡선부
ha: 제1 구간
hb: 제2 구간
hc: 제3 구간